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強抗輻場效應管在深空探測中的意義：深空探測環境極端惡劣，強抗輻場效應管是探測器能夠正常工作的關鍵保障。探測器在穿越輻射帶、靠近太陽等過程中，會遭受宇宙射線的輻射，這種輻射強度遠遠超出了普通電子設備的承受能力。強抗輻場效應管采用特殊材料與結構，能夠有效抵御輻射粒...

小噪音場效應管致力于攻克信號傳輸中的噪聲干擾難題，在音頻、射頻等對信號質量要求近乎苛刻的領域發揮著關鍵作用。在信號傳輸過程中，電子的熱運動等因素會產生噪聲，如同噪音污染一般，嚴重影響信號的完整性。小噪音場效應管通過改進制造工藝，優化內部結構，從根源上減少電...

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內，二極管相當于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對特性的影響，由于二極管的主要是一個PN結，它的導...

場效應管由于它只靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導...

當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件，PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：...

雙柵極場效應管擁有兩個獨特的柵極，這一創新設計極大地拓展了其功能邊界，使其如同擁有兩個控制開關的精密儀器。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務，例如一個柵極專注于信號輸入，如同信息的入口；另一個柵極負責增益控制，能夠根據信號強度靈活調整放大倍數。在電視調諧器中，復...

三極管放大作用，集電極電流受基極電流的控制(假設電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，并且基極電流很小的變化，會引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大...

三極管放大信號，三極管在放大信號時，首先要進入導通狀態，即要先建立合適的靜態工作點，也叫 建立偏置 ，否則會放大失真。我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個電流的方向都是流入發射極的，所以發射...

場效應管注意事項：（1）結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。（2）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊...

三極管的參數。三極管主要性能參數：直流參數： 1、共射直流電流放大系數β;2、ICBO是發射極開路時，集電結的反向飽和電流;3、ICEO是基極開路時，集電極與發射極之間的穿透電流。交流參數： 1、共射交流電流放大系數β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時對...

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負...

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發現了...

三極管的兩個PN結，類似于兩個共陰或共陽的二極管。與晶閘管和MOS管相比，三極管的特點是具有放大功能，而晶閘管和MOS管則沒有這種功能。三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機制像一個可控制的閥門。根據不同的工作狀態和連接方式，三...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應注意避光使用。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須...

N溝道耗盡型MOSFET場效應管的基本結構：a.結構：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。b.區別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導電溝道產生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現導電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管...

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點，SOA失效，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續的發熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式...

三極管是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發射極接地），當基極電壓UB有一個微小的變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

LED 燈具的驅動。設計LED燈具的時候經常要使用MOS管，對LED恒流驅動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設計時...

三極管一個重要參數就是電流放大系數β。當三極管的基極B上加一個微小的電流時，在集電極C上可以得到一個是基極電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。電流控制：NP...

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，具有電流放大作用，也用作無觸點開關，是電子電路的主要元件。三極管的作用：1、放大作用。三極管的單向導電性，使得它很容易把信號放...

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50m...

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；（4）...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數電中則作開關或者邏輯轉換。三極管的主要結構是PN結，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號放大成一定強度的信號，...

VMOS場效應管，VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不只繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐...

計算導通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微...

電流放大原理，下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發射極的,所以發射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

三極管的應用領域，三極管作為一種重要的電子器件，普遍應用于電子工業、電力系統、通訊系統、計算機系統等領域。它可以被用作信號放大器、開關、振蕩器、調制器等電路中。在電子工程師的日常工作中，三極管也是非常重要的組成部分。本文介紹了三極管的定義、工作原理和應用領域。...

二極管的分類：一、按半導體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...