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總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。因此，對于**終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進芯片結構的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在...

晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點列于下，名稱共發射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路。輸入阻抗中(幾百歐～幾千歐)大(幾十千歐以上)小(幾歐～幾十歐)輸出阻抗中(幾千歐～幾十...

儀器工作條件儀器在15~25℃條件下工作。2、外觀儀器的工作面不得有砂眼、氣孔、碰傷、劃傷、毛刺、銹跡及其他影響使用的缺陷；裸露的非工作面不得有氣孔、砂眼、裂紋、銹蝕及其他明顯的缺陷。儀器的電鍍層應均勻光潔。儀器的噴漆表面不得有明顯的影響外觀質量的脫漆、斑點、...

關于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個正方形包含一個小型化的組件。然后，組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網格中。這個想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國陸軍提出的，并導致了短命的小模塊計劃(類似于 1951 年的 T...

一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產品。器件名稱----一般可以推斷產品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區分商業級，工業級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業級，E...

新型材料應用：二維材料、量子點、碳納米管等新型材料的研究和應用，為芯片設計帶來了新的發展機遇。這些材料具有優異的電學、熱學和力學性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術優化：先進的封裝技術，如3D封裝、系統級封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分...

Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）和PLCC封裝。20世紀90年代，盡管PGA封裝依然經常用于**微處理器。PQFP和thin small-outline package（TSOP）成為高引腳數設備的通常封裝。Inte...

兆歐表兆歐表（俗稱搖表）是一種檢查電氣設備、測量高電阻的簡便直讀式儀表，通常用來測量電路、電機繞組、電纜等絕緣電阻。兆歐表大多采用手搖發電機供電，故稱搖表。由于它的刻度是以兆歐（MΩ）為單位，故稱兆歐表。 紅外測試儀紅外測試儀是一種非接觸式測溫儀器，它包括光學...

一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產品。器件名稱----一般可以推斷產品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區分商業級，工業級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業級，E...

晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數字表示，如：D5表示編號為5的二極管。1、作用：二極管的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極管具有上述特性，無繩電話機中常，把它用在整流、隔離...

晶體生長類型將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半...

檢驗時用十字絲豎絲瞄準一清晰小點，使望遠鏡繞橫軸上下轉動，如果小點始終在豎絲上移動則條件滿足．否則需要進行校正．校正時松開四個壓環螺釘（裝有十字絲環的目鏡用壓環和四個壓環螺釘與望遠鏡筒相連接。轉動目鏡筒使小點始終在十字絲豎絲上移動，校好后將壓環螺釘旋緊。 視準...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。IC可以在一塊豌...

同時其測距部分的外光路系統又能使測距部分的光敏二極管發射的調制紅外光在經物鏡射向反光棱鏡后，經同一路徑反射回來，再經分光棱鏡作用使回光被光電二極管接收；為測距需要在儀器內部另設一內光路系統，通過分光棱鏡系統中的光導纖維將由光敏二極管發射的調制紅外光傳也送給光電...

目前我國半導體材料在這方面的發展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發展的主要研究方向上，同時要根據市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結構的材料，在未來生產過程中的需求進行仔...

應注意，有些型號的全站儀在距離測量時不能設定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標測量（1）設定測站點的三維坐標。（2）設定后視點的坐標或設定后視方向的水平度盤讀數為其方位角。當設定后視點的坐標時，全站儀會自動計算后視方向的方位...

截至 2018 年，絕大多數晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側的單層中制造的。研究人員已經生產了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡，此...

變容二極管發生故障，主要表現為漏電或性能變差：(1)發生漏電現象時，高頻調制電路將不工作或調制性能變差。(2)變容性能變差時，高頻調制電路的工作不穩定，使調制后的高頻信號發送到對方被對方接收后產生失真。出現上述情況之一時，就應該更換同型號的變容二極管。晶體三極...

電感 電感在電路中常用“L”加數字表示，如：L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電...

糾纏量子光源2023年4月，德國和荷蘭科學家組成的國際科研團隊***將能發射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 。原子級薄晶體管2023年，美國麻省理工學院一個跨學科團隊開發出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二...

檢測10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現象，進而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號硅三極管組成復合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復合管的發射極e和集電極c相接。由于復合三極管的放大作用，把被測...

發展： **的集成電路是微處理器或多核處理器的**，可以控制計算機到手機到數字微波爐的一切。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產品上，每個集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏...

晶圓測試經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本...

集成電路的早期發展可以追溯到1949年，當時德國工程師沃納·雅可比[4]（西門子)[5]申請了集成電路狀半導體放大器的**[6]示出了公共襯底上的五個晶體管組成的三級放大器。雅可比披露了小巧便宜的助聽器作為他**的典型工業應用。他的**尚未被報道而立即用于商業...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。因此，對于**終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進芯片結構的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在...

技術改進： 1、將指標水準器改為豎盤指標自動補償器，提高了豎直角的觀測速度與準確性； 2、軸系也有很大的改進，使軸系變得輕便靈活，同時穩定可靠； 3、望遠鏡也由倒像望遠鏡改成了正像望遠鏡； 4、使用光柵盤或光學碼盤，用光電轉換元件接...

繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統（又稱輸入回路）和被控制系統（又稱輸出回路），通常應用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。 汽車繼電器/信...

大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各...