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晶圓測(cè)試經(jīng)過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，組織一次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過程，這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對(duì)成本...

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和大規(guī)模集成電路的使用，徹底改變了人們?cè)O(shè)計(jì)思想，對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了很高的要求，更重要的是測(cè)試儀器可以直接采用***的計(jì)算機(jī)成果，使儀器的更新?lián)Q代速度與計(jì)算機(jī)保持同步。國(guó)內(nèi)測(cè)試儀器的總體技術(shù)水平：通用臺(tái)式儀器：微波毫米波儀器門類基本齊全，寬帶...

該過程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上***份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來負(fù)責(zé)的，但是，各...

電解電容器的檢測(cè)A 因?yàn)殡娊怆娙莸娜萘枯^一般固定電容大得多，所以，測(cè)量時(shí)，應(yīng)針對(duì)不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測(cè)量，大于47μF的電容可用R×100擋測(cè)量。B 將萬用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬...

繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 汽車?yán)^電器/信...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無）-非***品...

模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號(hào)的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場(chǎng)...

新型材料應(yīng)用：二維材料、量子點(diǎn)、碳納米管等新型材料的研究和應(yīng)用，為芯片設(shè)計(jì)帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。這些材料具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術(shù)優(yōu)化：先進(jìn)的封裝技術(shù)，如3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無）-非***品...

光在大氣中的傳播速度會(huì)隨大氣的溫度和氣壓而變化，15℃和760mmHg是儀器設(shè)置的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)值，此時(shí)的大氣改正為0ppm。實(shí)測(cè)時(shí)，可輸入溫度和氣壓值，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算大氣改正值（也可直接輸入大氣改正值），并對(duì)測(cè)距結(jié)果進(jìn)行改正。（3）量?jī)x器高、棱鏡高并輸入全站儀。...

電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、...

1912年，也就是在無畏級(jí)下水的第5年，在被稱為“現(xiàn)代海軍炮術(shù)之父”帕西。斯科特勛爵士的設(shè)計(jì)和指導(dǎo)下，英國(guó)維克斯公司制造出了單人控制椅。這套系統(tǒng)包括連接了**的***炮長(zhǎng)**回旋式測(cè)距儀的目鏡，水平角度和俯仰的設(shè)定機(jī)構(gòu)以及這些數(shù)據(jù)的傳輸裝置，還有一個(gè)**形的擊...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)...

電子元件：指在工廠生產(chǎn)加工時(shí)不改變分子成分的成品。如電阻器、電容器、電感器。因?yàn)樗旧聿划a(chǎn)生電子，它對(duì)電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。按分類標(biāo)準(zhǔn)，電子元件可分為11個(gè)大類。2、電子器件：指在工廠生產(chǎn)加工時(shí)改變了分子結(jié)構(gòu)的成品。例如晶體管、電子管、...

照準(zhǔn)部水準(zhǔn)軸應(yīng)垂直于豎軸的檢驗(yàn)和校正檢驗(yàn)時(shí)先將儀器大致整平,轉(zhuǎn)動(dòng)照準(zhǔn)部使其水準(zhǔn)管與任意兩個(gè)腳螺旋的連線平行,調(diào)整腳螺旋使氣泡居中,然后將照準(zhǔn)部旋轉(zhuǎn)180度,若氣泡仍然居中則說明條件滿足,否則應(yīng)進(jìn)行校正。校正的目的是使水準(zhǔn)管軸垂直于豎軸．即用校正針撥動(dòng)水準(zhǔn)管一端...

分類： 集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數(shù)字，可以分為：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號(hào)集成電路（模擬和數(shù)字在一個(gè)芯片上）。數(shù)字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路。這些電路的小尺寸使...

元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運(yùn)用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多...

本征半導(dǎo)體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運(yùn)動(dòng)方向相反。載流子：運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。導(dǎo)體電的特點(diǎn)：導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電。本征半導(dǎo)體電的特點(diǎn)：本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。本征激發(fā)：半...

直讀法用直接指出被測(cè)量大小的指示儀表進(jìn)行測(cè)量，能夠直接從儀表刻度盤商或從顯示器上讀取被測(cè)量數(shù)值的測(cè)量方法，稱為直讀法。比較法將被測(cè)量與標(biāo)準(zhǔn)量在比較儀器中直接比較，從而獲得被測(cè)量數(shù)值的方法，稱為比較法。 時(shí)域測(cè)量時(shí)域測(cè)量也叫作瞬時(shí)測(cè)量，主要是測(cè)量被測(cè)量...

電子測(cè)量?jī)x器是什么？ 電子測(cè)量?jī)x器是以模擬電路技術(shù)、數(shù)字電路技術(shù)為基礎(chǔ)，涵蓋信號(hào)處理技術(shù)、通信技術(shù)、軟件技術(shù)、總線技術(shù)等多學(xué)科融合的高精尖測(cè)量設(shè)備或系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類物理參數(shù)和成分的儀器。其用途是對(duì)電特性進(jìn)行定性或定量測(cè)量，目前已經(jīng)廣泛...

封裝的分類 1、按封裝集成電路芯片的數(shù)目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP)； 2、按密封材料區(qū)分:高分子材料(塑料)和陶瓷； 3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態(tài):單邊引腳、雙...

電容器電容器通常簡(jiǎn)稱其為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。定義2：...

它在電路中用字母“IC”表示。集成電路的發(fā)明者是JackKilby（集成電路基于鍺(Ge)）和RobertNoyth（基于硅(Si)的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的大多數(shù)應(yīng)用都是基于硅的集成電路。集成電路是1950年代末和1960年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件...

簡(jiǎn)稱測(cè)距儀。用電磁波(光波或微波)運(yùn)載測(cè)距信號(hào)以測(cè)量點(diǎn)間距離的儀器。其測(cè)距基本原理為測(cè)定傳輸在待測(cè)點(diǎn)間的電磁波一次往返所需的時(shí)間t，并根據(jù)電磁波在大氣中的傳輸速度c，求得距離D=1/2ct。按測(cè)定t的方式不同，分為脈沖式測(cè)距儀(直接測(cè)定t)，相位式測(cè)距儀和脈沖...

測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下：型號(hào)1N4001 1N4002 1N4003 1N4...

測(cè)量?jī)x器是用來測(cè)量物理量的裝置。在物理科學(xué)、質(zhì)量保證和工程中，測(cè)量是獲取和比較現(xiàn)實(shí)世界中物體和事件的物理量的行為。已建立的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)象和事件被當(dāng)做單位，在測(cè)量過程中給出與研究項(xiàng)目和參考測(cè)量單位相關(guān)的數(shù)字。所有測(cè)量?jī)x器都會(huì)受到不同程度的儀器誤差和測(cè)量不確定度的影響。...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無）-非***品...

照準(zhǔn)部水準(zhǔn)軸應(yīng)垂直于豎軸的檢驗(yàn)和校正檢驗(yàn)時(shí)先將儀器大致整平,轉(zhuǎn)動(dòng)照準(zhǔn)部使其水準(zhǔn)管與任意兩個(gè)腳螺旋的連線平行,調(diào)整腳螺旋使氣泡居中,然后將照準(zhǔn)部旋轉(zhuǎn)180度,若氣泡仍然居中則說明條件滿足,否則應(yīng)進(jìn)行校正。校正的目的是使水準(zhǔn)管軸垂直于豎軸．即用校正針撥動(dòng)水準(zhǔn)管一端...