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電容 1、電容在電路中一般用“C”加數字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號...

大多數半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各...

光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉換成電信號，然后經過放大器將電信號放大，從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發展的一種光電探測器。它利用了半導體受光照后電阻變小的效應。此外，光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微...

本征半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴。空穴導電并不是實際運動，而是...

在速率上，商用系統大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統正在實用化，預計到2004年開始商業應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz...

對于正、負極標志不明的電解電容器，可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負極。D 使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進行正、反向充電...

測量儀器是將被測量轉換成可供直接觀察的指示值儀器，包括各類指示儀器，比較儀器，記錄儀器，傳感儀器和變送器等。直接測量在測量過程中，能夠直接將被測量與同類標準量進行比較，或能夠直接用事先刻度好的測量儀器對被測量進行測量，直接獲得數值的測量稱為直接測量。間接測量當...

一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產品。器件名稱----一般可以推斷產品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區分商業級，工業級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業級，E...

在速率上，商用系統大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統正在實用化，預計到2004年開始商業應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz...

集成電路技術的進步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數量每兩年翻一番，這種趨勢被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個方面都得到改善。每個晶體管的成本和每個晶體管的開...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質量較好，允許溫升還可提高。H 檢測判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時，有時為了得到所需的次級電壓，可將兩個或多個次級繞組串聯起來使用。采用串聯法使用電源變壓器時，參加串聯的各繞組的同名端必須...

光刻工藝的基本流程如 ，首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現曝光，激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充...

***個集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個雙極性晶體管，三個電阻和一個電容器。根據一個芯片上集成的微電子器件的數量，集成電路可以分為以下幾類：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個以...

技術改進： 1、將指標水準器改為豎盤指標自動補償器，提高了豎直角的觀測速度與準確性； 2、軸系也有很大的改進，使軸系變得輕便靈活，同時穩定可靠； 3、望遠鏡也由倒像望遠鏡改成了正像望遠鏡； 4、使用光柵盤或光學碼盤，用光電轉換元件接...

半導體 -----指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子...

中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。 五個部分意義如下： ***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第...

LCR參數測試儀電感、電容、電阻參數測量儀，不僅能自動判斷元件性質，而且能將符號圖形顯示出來，并顯示出其值。其還能測量Q、D、Z、Lp、Ls、Cp、Cs、Kp、Ks等參數，且顯示出等效電路圖形。 、頻譜分析儀頻譜分析儀在頻域信號分析、測試、研究、維修中有著廣泛...

在使用自動測試設備（ATE）包裝前，每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（“die”）。每個好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內，pads通常在die的邊上。封裝之后，設備在晶圓探通中使用...

晶體管發明并大量生產之后，各式固態半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個小芯片...

1912年，也就是在無畏級下水的第5年，在被稱為“現代海軍炮術之父”帕西。斯科特勛爵士的設計和指導下，英國維克斯公司制造出了單人控制椅。這套系統包括連接了**的***炮長**回旋式測距儀的目鏡，水平角度和俯仰的設定機構以及這些數據的傳輸裝置，還有一個**形的擊...

技術發展趨勢新型元器件將繼續向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環保節能方向發展。市場需求分析隨著下一代互聯網、新一代移動通信和數字電視的逐步商用，電子整機產業的升級換代將為電子材料和元器件產業的發展帶來巨大的市場機遇。“十一五”發展重點我國《電子...

全站儀具有角度測量、距離(斜距、平距、高差)測量、三維坐標測量、導線測量、交會定點測量和放樣測量等多種用途。內置**軟件后，功能還可進一步拓展。全站儀的基本操作與使用方法 ：1）水平角測量（1）按角度測量鍵，使全站儀處于角度測量模式，照準***個目標A。（2）...

估測溫度系數αt 先在室溫t1下測得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測出電阻值RT2，同時用溫度計測出此時熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進行計算。7 壓敏電阻的檢測。用萬用表的R×1k擋測量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無窮大，...

華為和合作伙伴正在朝這個方向走去——華為的計劃是做IDM，業內人士對投中網表示。 IDM，是芯片領域的一種設計生產模式，從芯片設計、制造、封裝到測試，覆蓋整個產業鏈。 一方面，華為正在從芯片設計向上游延伸。余承東曾表示，華為將***扎根，突破物...

目前我國半導體材料在這方面的發展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發展的主要研究方向上，同時要根據市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結構的材料，在未來生產過程中的需求進行仔...

非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長程序。非晶...

被測色碼電感器直流電阻值的大小與繞制電感器線圈所用的漆包線徑、繞制圈數有直接關系，只要能測出電阻值，則可認為被測色碼電感器是正常的。2 中周變壓器的檢測A 將萬用表撥至R×1擋，按照中周變壓器的各繞組引腳排列規律，逐一檢查各繞組的通斷情況，進而判斷其是否正常。...

封裝的分類 1、按封裝集成電路芯片的數目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP)； 2、按密封材料區分:高分子材料(塑料)和陶瓷； 3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙...

以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導體材料及器件的開發是新興半導體產業的**和基礎，其研究開發呈現出日新月異的發展勢態。GaN基光電器件中，藍色發光二極管LED率先實現商品化生產成功開發藍光LED和LD之后，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上GaN材...

產業鏈整合與拓展：公司可能會進一步整合上下游資源，優化供應鏈管理，提高整體競爭力。同時，也有望拓展新的業務領域和市場空間，如汽車電子、航空航天、智能制造等**應用領域。市場需求與客戶服務：面對日益增長的市場需求和客戶期望，無錫微原電子科技有限公司將繼續秉承“以...