溫度校準是確保半導體設備管式爐正常運行和工藝精度的關鍵環節。常用的溫度校準方法主要有熱電偶校準和標準溫度計校準。熱電偶校準通過將高精度的標準熱電偶與管式爐內的熱電偶進行比對,測量兩者在相同溫度下的熱電勢差異,根據差異值對管式爐熱電偶的溫度測量數據進行修正。標準溫度計校準則是將經過機構校準的標準溫度計放置在管式爐內,在不同溫度點讀取標準溫度計和管式爐顯示的溫度值,繪制溫度偏差曲線,從而對管式爐的溫度控制系統進行校準。溫度校準的重要性不言而喻,在半導體制造工藝中,許多工藝對溫度精度要求極高,如外延生長工藝中溫度偏差可能導致外延層生長缺陷,影響半導體器件性能。定期進行溫度校準,能夠保證管式爐溫度測量...
隨著半導體技術的不斷發展,新型半導體材料如二維材料(石墨烯、二硫化鉬等)、有機半導體材料等的研發成為熱點,管式爐在這些新型材料的研究中發揮著探索性作用。在二維材料的制備方面,管式爐可用于化學氣相沉積法生長二維材料薄膜。通過精確控制爐內溫度、氣體流量和反應時間,促使氣態前驅體在襯底表面發生化學反應,逐層生長出高質量的二維材料。例如,在石墨烯的制備過程中,管式爐的溫度均勻性和穩定性對石墨烯的生長質量和大面積一致性起著關鍵作用。對于有機半導體材料,管式爐可用于研究材料在不同溫度條件下的熱穩定性、結晶行為以及電學性能變化。通過在管式爐內模擬不同的環境條件,科研人員能夠深入了解新型半導體材料的特性,探索...