EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補(bǔ)償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站 EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。廣西鍵合機(jī)美元價(jià)

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持天津鍵合機(jī)免稅價(jià)格晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。

ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進(jìn)行測量的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度，此對準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路。” 

鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程。可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。晶圓鍵合類型■陽極鍵合■黏合劑鍵合■共熔鍵合■瞬間液相鍵合■熱壓鍵合EVG鍵合機(jī)特征■基底高達(dá)200mm■壓力高達(dá)100kN■溫度高達(dá)550°C■真空氣壓低至1·10-6mbar■可選：陽極，UV固化，650℃加熱器EVG鍵合機(jī)加工服務(wù)EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下：■等離子活化直接鍵合■ComBond®-硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合■高真空對準(zhǔn)鍵合■臨時鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離■混合鍵合■黏合劑鍵合■集體D2W鍵合。 EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質(zhì)量。EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過遠(yuǎn)程通信的。湖北GEMINI鍵合機(jī)

EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。廣西鍵合機(jī)美元價(jià)

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 廣西鍵合機(jī)美元價(jià)