流延成型的體系，有機流延體系和水基流延體系。有機流延體系所用到的添加劑的成分均有毒，對綠色生產提出了很大的挑戰。近年來，研究者一直致力于尋找添加劑毒性小的流延成型方法。郭堅等以無水乙醇和異丙醇為混合溶劑，利用流延成型制備AlN生坯，燒結后得到AlN陶瓷的熱導率為178 W/(m·K)。水基流延體系因為其綠色環保等特點，成為流延成型發展趨勢。但其在成型后需要對陶瓷生坯進行干燥，目前干燥技術還有待進一步完善。相對而言，流延成型的生產效率高，產品質量高，但此種方法存在的局限性是只能成型簡單外形的陶瓷生坯，無法滿足復雜外形的陶瓷生坯成型要求。近年來，隨著微電子技術的飛速發展，大規模集成電路和大功率微波器件對高尺寸精度的異形封裝和散熱器件的需求正在每年成倍增加，因而需要越來越多的微型、復雜形狀高導熱AlN陶瓷零部件，但是傳統的加工方法很難制備出形狀和尺寸精度滿足需要的零部件。于是，另一種成型方法——粉末注射成型獲得越來越多的關注。氮化鋁陶瓷作為耐火材料應用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。臺州球形氧化鋁供應商

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優良的新型陶瓷材料，具有優良的熱傳導性、可靠的電絕緣性、低的介電常數和介電損耗、無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數等一系列優良特性，被認為是新一代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料，受到了國內外研究者的較廣重視。理論上，氮化鋁的熱導率接近于氧化鈹的熱導率，但由于氧化鈹有劇毒，在工業生產中逐漸被停止使用。與其它幾種陶瓷材料相比較，氮化鋁陶瓷綜合性能優良，非常適用于半導體基片和結構封裝材料，在電子工業中的應用潛力非常巨大。另外，氮化鋁還耐高溫，耐腐蝕，不為多種熔融金屬和融鹽所浸潤，因此，可用作高級耐火材料和坩堝材料，也可用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質的容器和處理器的里襯等。氮化鋁粉末還可作為添加劑加入各種金屬或非金屬中來改善這些材料的性能。高純度的氮化鋁陶瓷呈透明狀，可用作電子光學器件。氮化鋁還具有優良的耐磨耗性能，可用作研磨材料和耐磨損零件。深圳球形氮化鋁哪家好氮化鋁陶瓷基板是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。

納米氮化鋁粉體主要用途：導熱硅膠和導熱環氧樹脂:超高導熱納米AIN復合的硅膠具有良好的導熱性，良好的電絕緣性，較寬的電絕緣性使用溫度（工作溫度-60℃ --200℃ ，較低的稠度和良好的施工性能。產品已達或超過進口產品，因為可取代同類進口產品而較廣應用于電子器件的熱傳遞介質，提高工作效率。如CPU與散熱器填隙、大功率三極管、可控硅元件、二極管、與基材接觸的細縫處的熱傳遞介質。納米導熱膏是填充IC或三極管與散熱片之間的空隙，增大它們之間的接觸面積，達到更好的散熱效果。其他應用領域:納米氮化鋁應用于熔煉有色金屬和半導體材料砷化銨的紺蝸、蒸發舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫及耐腐蝕結構陶瓷及透明氮化鋁微波陶瓷制品，以及目前應用與PI樹脂，導熱絕緣云母帶，導熱脂，絕緣漆以及導熱油等。

氮化鋁陶瓷因具有高熱導率、低膨脹系數、度、耐腐蝕、電性能優、光傳輸性好等優異特性，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。隨著我國電子信息產業蓬勃發展，電子設備儀器的小型輕量化，以及混合集成度大幅提高，對散熱基板的導熱性能要求越來越高，氮化鋁陶瓷的熱導率較氧化鋁陶瓷高5倍以上，膨脹系數低，與硅芯片的匹配性更好，因此在大功率器件等領域，已逐漸取代氧化鋁基板，成為市場主流。但氮化鋁陶瓷基板行業進入技術壁壘高，全球市場中，具有量產能力的企業主要集中在日本，日本企業在國際氮化鋁陶瓷基板市場中處于壟斷地位，此外，中國臺灣地區也有部分產能。而隨著國內市場對氮化鋁陶瓷基板的需求快速上升，在市場的拉動下，進入行業布局的企業開始增多，但現階段我國擁有量產能力的企業數量依然極少。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。

氮化鋁是共價鍵化合物，屬于六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，呈白色或灰白色。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。氮化鋁導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料。具有優異的抗熱震性。AlN的導熱率是Al2O3的2～3倍，熱壓時強度比Al2O3還高。氮化鋁對Al和其他熔融金屬、砷化鎵等具有良好的耐蝕性，尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性，還具有優良的電絕緣性和介電性質。但氮化鋁的高溫抗氧化性差，在大氣中易吸潮、水解，和濕空氣、水或含水液體接觸產生熱和氮并迅速分解。在2516℃分解，熱硬度很高，即使在分解溫度前也不軟化變形。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應，而被水解。和干燥氧氣在800℃以上進行反應。由于鋁和氮的原子序數小，氮化鋁本身具有很高的熱導率。溫州球形氮化鋁粉體多少錢

利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度，膨脹系數小，導熱性好的特性。臺州球形氧化鋁供應商

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：薄膜金屬化（如Ti/Pd/Au）、厚膜金屬化（低溫金屬化、高溫金屬化）、化學鍍金屬化（如Ni）、直接覆銅法（DBC）及激光金屬化。薄膜金屬化法采用濺射鍍膜等真空鍍膜法使膜材料和基板結合在一起，通常在多層結構基板中，基板內部金屬和表層金屬不盡相同，陶瓷基板相接觸的薄膜金屬應該具有反應性好、與基板結合力強的特性，表面金屬層多選擇電導率高、不易氧化的金屬。由于是氣相沉積，原則上任何金屬都可以成膜，任何基板都可以金屬化，而且沉積的金屬層均勻，結合強度高。但薄膜金屬化需要后續圖形化工藝實現金屬引線的圖形制備，成本較高。臺州球形氧化鋁供應商

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