氮化鋁陶瓷的制備技術：壓制成形的三個階段：一階段，主要是顆粒的滑動和重排，無論是一般的粉體或者造粒后的粉體，其填充于模具中的很初結構中都含有和顆粒尺寸接近或稍小的空隙。第二階段，顆粒接觸點部位發生變形和破裂，當壓力超過顆粒料的表觀屈服應力時，顆粒發生變形使得顆粒間空隙減小，隨著顆粒的變形，坯體體積很大空隙尺寸減少，塑性低的致密粒料對應的屈服應力大，達到相同致密度所需要更高的壓力。第三階段，坯體進一步密實與彈性壓縮，這一階段起始于高壓力階段，但密度提高幅度較小，此階段發生一定程度的彈性壓縮，這種彈性壓縮過大，則在脫模后會造成應力開裂與分層。模壓成型的優點是成型坯體尺寸準確、操作簡單、模壓坯體中粘結劑含量較少、干燥和燒成收縮較小，特別適用于制備形狀簡單、長徑比小的制品。但是，這種傳統的成型方法效率低，且制得的AlN陶瓷零部件的尺寸精度取決于所用模具的精度，而高精度模具的制備成本較高。良好的粘結劑可起到形狀維持的作用，且有效減少坯體變形和脫脂缺陷的產生。衢州單晶氧化鋁品牌

氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能，所以它的應用范圍比較廣。可以制成氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。氮化鋁陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中較廣應用。杭州微米氧化鋁銷售公司氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。

納米氮化鋁粉體主要用途：導熱塑料中的應用:納米氮化鋁粉體可以大幅度提高塑料的導熱率。通過實驗產品以5-10%的比例添加到塑料中，可以使塑料的導熱率從原來的0.3提高到5。導熱率提高了1l6倍多。相比較目前市場上的導熱填料（氧化鋁或哦氧化鎂等）具有添加量低，對制品的機械性能有提高作用，導熱效果提高更明顯等特點。目前相關應用廠家已經大規模采購納米氮化鋁粉體，新型的納米導熱塑料將投放市場。高導熱硅橡膠的應用:與硅匹配性能好，在橡膠中容易分散，在不影響橡膠的機械性能的前提下（實驗證明對橡膠的機械性能還有提高作用)可大幅度提升硅橡膠的導熱率，在添加過程中不象氧化物等使黏度上升很快，添加量很小(根據導熱要求一般在5%左右就可以使導熱率提高50%-70%)，現較廣應用與，航空以及信息工程中。

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結工藝，致密度對氮化鋁陶瓷的熱導率有重要影響，致密度較低的氮化鋁陶瓷很難有較高的熱導率，因此必須選擇合適的燒結工藝實現氮化鋁陶瓷的致密化。常壓燒結：常壓燒結的燒結溫度通常為1600℃至2000℃，當添加了Y2O3燒結助劑后，氮化鋁粉會產生液相燒結，燒結溫度一般在1700℃至1900℃，特別是1800℃很常用，保溫時間為2h。燒結溫度還要受到氮化鋁粉粒度、添加劑含量及種類等的影響。熱壓溫度相對能低一些，一般是在1500℃至1700℃，保溫時間為0.5h，施加的壓力為20MPa左右。在1500℃至1800℃范圍內，提高氮化鋁燒結溫度通常會明顯提高氮化鋁燒結體的導熱率和致密度，特別是在常壓燒結時，這種影響更為明顯。影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。

納米氮化鋁粉體主要用途：制造高性能陶瓷器件:制造集成電路基板，電子器件，光學器件，散熱器，高溫紺塢。制備金屬基及高分子基復合材料:特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應用前景。納米無機陶瓷車用潤滑油及抗磨劑﹔納米陶瓷機油中的納米氮化鋁陶瓷粒子隨潤滑油作用于發動機內部的摩擦副金屬表面，在高溫和極壓的作用下被，并牢固滲嵌到金屬表面凹痕和微孔中，修復受損表面，形成納米陶瓷保護膜。因為這層膜的隔離作用，從而極大的降低摩擦力，將運動機件間的摩擦降至近乎零，通過改善潤滑，可降低摩擦系數70%以上，提高抗磨能力300%以上，降低磨損80%以上，可延長機械零件壽命3倍以上，減少停工，降低維修成本，延長大修期一倍以上，節能5%~30%,提高設備輸出功率15%-40%，其添加量為萬分之二。由于氮化鋁的聲表面波速度高，具有壓電性，可用作聲表面波器件。杭州微米氧化鋁銷售公司

氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發展的關鍵因素。衢州單晶氧化鋁品牌

氧雜質對熱導率的影響：AIN極易發生水解和氧化，使氮化鋁表面發生氧化，導致氧固溶入AIN晶格中形成鋁空位缺陷，這樣就會導致聲子散射增加，平均自由程降低，熱導率也隨之降低。因此，為了提高熱導率，加入合適的燒結助劑來除去晶格中的氧雜質是一種有效的辦法。氮化鋁陶瓷的燒結的關鍵控制要素：AlN是共價化合物，原子的自擴散系數小，鍵能強，導致很難燒結致密，其熔點高達3000℃以上，燒結溫度更是高達1900℃以上，如此高的燒結溫度嚴重制約了氮化鋁在工業上的實際應用。此外，AlN表層的氧雜質是在高溫下才開始向其晶格內部擴散的，因此低溫燒結還有另外一個作用，即延緩燒結時表層的氧雜質向AlN晶格內部擴散，減少晶格內的氧雜質，因此制備高熱導率的AlN陶瓷材料，低溫燒結技術的研究勢在必行。目前工業上，氮化鋁陶瓷的燒結有多種方式，可以根據實際需求，采取不同的燒結方法來獲得致密的陶瓷體，無論用什么燒結方式，細化氮化鋁原始粉料以及添加適宜的低溫燒結助劑能夠有效降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度。衢州單晶氧化鋁品牌

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