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    所述***氧化層厚度為1000-1200a。進一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結構之間設置有***摻雜區，所述***摻雜區的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反。進一步地，在所述***摻雜區的內表面設置兩個第二摻雜區，所述第二摻雜區的摻雜類型與***摻雜區的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區分別設置在靠近兩個所述溝槽柵結構的一側，所述***摻雜區和所述第二摻雜區與發射極金屬接觸。進一步地，所述半導體的底部還設置有緩沖層和集電極，所述集電極設置在比較低層。與現有技術相比，本實用新型的有益效果：本實用新型提供的溝槽柵igbt通過在溝槽內設置兩種厚度氧化層，兩種厚度氧化層分別為***氧化層和第二氧化層，該第二氧化層厚度大于***氧化層厚度，因為結電容與氧化層的厚度成反比，因此增加氧化層的厚度會降低器件的結電容大小，從而解決了現有技術中溝槽柵igbt結電容大的問題，從而提高了本實用新型的開關特性，使得本實用新型可應用于高頻場景。附圖說明圖1為現有技術中平面柵igbt的示意圖；圖2為現有技術中溝槽柵igbt的示意圖；圖3為現有技術中溝槽柵結構制作方法的流程圖；圖4為本實用新型實施例提供的溝槽柵igbt的示意圖。浙江進口模塊廠家直銷IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種常見的功率半導體器。

    脈沖的幅值與柵驅動電路阻抗和dV/dt的實際數值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產生集電極電流并產生很大的損耗，因為此時集電極到發射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau)特性，C的實際值就可以進一步減小。這種現象是由IGBT內部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可以**小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實際的CRES，即減小dV/dt感生開通對IGBT的影響。圖3需負偏置關斷的典型IGBT的寄生電容與V的關系。IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V，30ANPTIGBT。它是一個Co-Pack器件，與一個反并聯超快軟恢復二極管共同配置于TO-247封裝。設計人員可減小多晶體柵極寬度。

    焊層是至關重要的。故障機理是焊料疲勞會導致熱阻增加和模塊過早發生故障。表征封裝設備熱性能的一個通常方法是通過半導體器件的“熱阻”；熱阻表示在某一給定參考值之上，對于芯片表面所耗散的每瓦功率，芯片結的穩態溫升［1］。新一代模塊中，熱阻減小了，并且可靠性也提高了。與當前一代的模塊相比，新一代模塊的熱阻要低得多。減少熱應力功率半導體模塊的特點是它們具有單獨的電流和散熱路徑。不同的材料——絕緣體，導體，當然還有半導體都必須連接在一起。由于熱膨脹系數（CTE）存在差異，在溫度和功率循環中，相互連接的材料之間會產生機械應力。該應力與材料CTE的差異，剛性連接的長度以及超溫△T成正比。因此，功率模塊比須被設計成能滿足給定應用的熱應力要求［2］。為了符合這一要求，新模塊采用了新的焊接材料，以便在DBC和半導體的CTE差異中進行折衷。正如上文所述，在被動的熱循環期間，焊層是至關重要的。基于這個原因，新一代模塊中，DBC、襯底和柵極/輔助陰極端子間的通過彈簧進行壓接。這種類型的連接易于安裝，無需額外的焊接，并且可用于各種電流范圍。彈簧針觸點已被證明具有良好的長期可靠性，非常適合用于電力電子應用中［3］。隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。

    大中小燒IGBT或保險絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開全文一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序電流保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認下列其它零件是在正常狀態時才能進行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。1．目視電流保險絲是否燒斷2．檢測IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認下列其它零件是在正常狀態時才能進行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。這樣付出的代價就大了。1．檢查保險絲是否燒斷2．檢測IGBT是否擊穿：用萬用表二極管檔測量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿短路。A：“E”極與“G”極；“C”極與“G”極，正反測試均不導通(正常)。B：萬用表紅筆接”E“極，黑筆接“C”極有電壓降（型號為GT40T101三極全不通）。3．測量互感器是否斷腳，正常狀態如下：用萬用表電阻檔測量互感器次級電阻約80Ω；初極為0Ω。4．整流橋是否正常（用萬用表二極管檔測試）：A：數字萬用表紅筆接“-”，黑筆接“+”有，調反無顯示。B：萬用表紅筆接“-”，黑筆分別接兩個輸入端均有，調反無顯示。C：萬用表黑筆接“+”，紅筆分別接兩個輸入端均有，調反無顯示。5．檢查電容C301；C302；C303。IGBT模塊的應用非常***，它可以用于汽車、船舶、飛機、電梯、電力系統、電力調節器。新疆光模塊

普通PPS的CTI值大約在150V左右，遠遠滿足不了要求。山西模塊智能系統

    您所在位置：網站首頁>海量文檔>理工科>能源/化工富士IGBT應用手冊.pdf92頁本文檔一共被下載：次,您可全文**在線閱讀后下載本文檔。下載提示1.本站不保證該用戶上傳的文檔完整性，不預覽、不比對內容而直接下載產生的反悔問題本站不予受理。2.該文檔所得收入(下載+內容+預覽三)歸上傳者、原創者。3.登錄后可充值，立即自動返金幣，充值渠道很便利同意并開始全文預覽下載地址文檔糾錯收藏文檔下載幫助下載源文檔（pdf格式，）特別說明：下載前務必先預覽，自己驗證一下是不是你要下載的文檔。上傳作者：kolr（上傳創作收益人）發布時間：2018-03-04需要金幣：180(10金幣=人民幣1元)瀏覽人氣：下載次數：收藏次數：文件大小：MB下載過該文檔的會員：這個文檔不錯0%(0)文檔有待改進0%。山西模塊智能系統

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