從激光器發(fā)出的光束，經(jīng)擴束準直后由分光鏡分為兩路，并分別從固定反射鏡和可動反射鏡反射回來會合在分光鏡上而產(chǎn)生干涉條紋。當可動反射鏡移動時，干涉條紋的光強變化由接受器中的光電轉(zhuǎn)換元件和電子線路等轉(zhuǎn)換為電脈沖信號，經(jīng)整形、放大后輸入可逆計數(shù)器計算出總脈沖數(shù)，再由電子計算機按計算式[356-11]式中λ為激光波長(N為電脈沖總數(shù))，算出可動反射鏡的位移量L。使用單頻激光干涉儀時，要求周圍大氣處于穩(wěn)定狀態(tài)，各種空氣湍流都會引起直流電平變化而影響測量結果。對每個樣品旋轉(zhuǎn)，只要安裝了反射器和傳感器且對齊良好，就可使用多探頭誤差分離技術處理原始干涉測量數(shù)據(jù)。廣東電子激光干涉儀

利用干涉原理測量光程之差從而測定有關物理量的光學儀器。兩束相干光間光程差的任何變化會非常靈敏地導致干涉條紋的移動，而某一束相干光的光程變化是由它所通過的幾何干涉儀路程或介質(zhì)折射率的變化引起，所以通過干涉條紋的移動變化可測量幾何長度或折射率的微小改變量，從而測得與此有關的其他物理量。測量精度決定于測量光程差的精度，干涉條紋每移動一個條紋間距，光程差就改變一個波長（～10-7米）。所以干涉儀是以光波波長為單位測量光程差的，其測量精度之高是任何其他測量方法所無法比擬的。番禺區(qū)激光干涉儀平臺超精密和非接觸式表面分析。

半導體應變片:用于車輛等機械量測量的元件.半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應制成的一種敏感元件。利用半導體單晶硅的壓阻效應制成的一種敏感元件，又稱半導體應變片。壓阻效應是半導體晶體材料在某一方向受力產(chǎn)生變形時材料的電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象（見壓阻式傳感器）。半導體應變片需要粘貼在試件上測量試件應變或粘貼在彈性敏感元件上間接地感受被測外力。

薄膜型半導體應變片

這種應變片是利用真空沉積技術將半導體材料沉積在帶有絕緣層的試件上或藍寶石上制成的。它通過改變真空沉積時襯底的溫度來控制沉積層電阻率的高低，從而控制電阻溫度系數(shù)和靈敏度系數(shù)。因而能制造出適于不同試件材料的溫度自補償薄膜應變片。薄膜型半導體應變片吸收了金屬應變片和半導體應變片的優(yōu)點，并避免了它的缺點，是一種較理想的應變片。

外延型半導體應變片

這種應變片是在多晶硅或藍寶石的襯底上外延一層單晶硅而制成的。它的優(yōu)點是取消了P-N結隔離，使工作溫度大為提高(可達300℃以上)。 在三個直徑為400、315和200μm的金屬圓筒上進行輪廓測量。

不同變比電流互感器。這種型號的電流互感器具有同一個鐵心和一次繞組，而二次繞組則分為兩個匝數(shù)不同、各自獨自的繞組，以滿足同一負荷電流情況下不同變比、不同準確度等級的需要，例如在同一負荷情況下，為了保證電能計量準確，要求變比較小一些（以滿足負荷電流在一次額定值的2/3左右），準確度等級高一些（如1K1.1K2為200/5.0.2級）；而用電設備的繼電保護，考慮到故障電流的保護系數(shù)較大，則要求變比較大一些，準確度等級可以稍低一點（如2K1.2K2為300/5.1級）。更多的測量軸有助于更多的旋轉(zhuǎn)參數(shù)：偏心率，表面質(zhì)量， 傾斜誤差和徑向運動。傳感器激光干涉儀測量

3軸：測量不穩(wěn)定的俯仰pitch和偏航運動yaw。廣東電子激光干涉儀

1、一次線圈串聯(lián)在電路中，并且匝數(shù)很少，因此，一次線圈中的電流完全取決于被測電路的負荷電流．而與二次電流無關；2、電流互感器二次線圈所接儀表和繼電器的電流線圈阻抗都很小，所以正常情況下，電流互感器在近于短路狀態(tài)下運行。電流互感器一、二次額定電流之比，稱為電流互感器的額定互感比：kn=I1n/I2n因為一次線圈額定電流I1n己標準化，二次線圈額定電流I2n統(tǒng)一為5（1或0.5）安，所以電流互感器額定互感比亦已標準化。kn還可以近似地表示為互感器一、二次線圈的匝數(shù)比，即kn≈kN=N1/N2式中N1.N2為一、二線圈的匝數(shù)。廣東電子激光干涉儀