體型半導體應變片這種半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導體應變片可分為6種。①普通型：它適合于一般應力測量；②溫度自動補償型：它能使溫度引起的導致應變電阻變化的各種因素自動抵消，只適用于特定的試件材料；③靈敏度補償型：通過選擇適當的襯底材料（例如不銹鋼），并采用穩流電路，使溫度引起的靈敏度變化極小；④高輸出（高電阻）型：它的阻值很高（2～10千歐）,可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓，因而可不經放大而直接接入指示儀表。⑤超線性型：它在比較寬的應力范圍內，呈現較寬的應變線性區域，適用于大應變范圍的場合；⑥P-N組合溫度補償型：它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂，從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。             因此可以說，沒有眾多的優良的傳感器，現代化生產也就失去了基礎。高精度激光干涉儀高精度測量

中國機床行業市場萎縮同時又大量進口國外設備的原因之一就是因為這方面的技術沒有得到推廣應用。為此，需要高速多通道激光干涉儀：其測量速度達60m/min以上，采樣速度達5000次/sec以上，以適應熱誤差和幾何誤差測量的需要。空氣折射率實時測量應達到2×10的-7次方水平，其測量結果和長度測量結果可同步輸入計算機。運行和制造過程的監控和在線檢測技術綜合運用圖像、頻譜、光譜、光纖以及其它光與物質相互作用原理的傳感器具有非接觸、高靈敏度、高柔性、應用范圍廣的優點。在這個領域綜合創新的天地十分廣闊，如振動、粗糙度、污染物、含水量、加工尺寸及相互位置等。安徽非接觸激光干涉儀除基頻外，還確定了其第二次和第四次諧波。

光電效應分為：外光電效應和內光電效應。內光電效應是被光激發所產生的載流子（自由電子或空穴）仍在物質內部運動，使物質的電導率發生變化或產生光生伏特的現象。外光電效應是被光激發產生的電子逸出物質表面，形成真空中的電子的現象。外光電效應在光的作用下，物體內的電子逸出物體表面向外發射的現象叫做外光電效應。外光電效應的一些實驗規律a．只當照射物體的光頻率不小于某個確定值時，物體才能發出光電子，這個頻率叫做極限頻率(或叫做截止頻率)，相應的波長λ0叫做極限波長。不同物質的極限頻率和相應的極限波長 是不同的。

外觀檢查規定1表盤上或外殼上至少應有下述標志符號：A.儀表名稱或被測之量的標志符號；B.型號；C.系別符號；D.準確度等級；E.廠名或廠標；F.制造標準號；G.制造年月或出廠編號；H.電流種類或相數，三相儀表中測量機構的元件數量；I.正常工作位置；J.互感器的變比(指與互感器聯用的儀表)；K.定值導線值(或符號)和分流器額定電壓降值(對低量限電壓表的要求)。2儀表的端鈕和轉換開關上應有用途標志；3從外表看，零部件完整，無松動，無裂縫，無明顯殘缺或污損。當傾斜或輕搖儀表時，內部無撞擊聲；4向左右兩方向旋動機械調零器，指示器應轉動靈活，左右對稱；       探頭安裝 在線性導軌上，在一個軸上移動探頭，而線性導軌則集成在一個橋中！

利用不同構形的彈性敏感元件可測量各種物體的應力、應變、壓力、扭矩、加速度等機械量。半導體應變片與電阻應變片(見電阻應變片相比，具有靈敏系數高（約高 50～100倍）、機械滯后小、體積小、耗電少等優點。P型和N型硅的靈敏系數符號相反，適于接成電橋的相鄰兩臂測量同一應力。早期的半導體應變片采用機械加工、化學腐蝕等方法制成，稱為體型半導體應變片。它的缺點是電阻和靈敏系數的溫度系數大、非線性大和分散性大等。這曾限制了它的應用和發展。自70年代以來，隨著半導體集成電路工藝的迅速發展，相繼出現擴散型、外延型和薄膜型半導體應變片，上述缺點得到一定克服。半導體應變片主要應用于飛機、導彈、車輛、船舶、機床、橋梁等各種設備的機械量測量。在測量軟件WAVE的FFT圖中，實時顯示位移數據，可快速簡便地進行頻譜分析，以識別共振頻率。上海翹曲度激光干涉儀

超長距離測量，齒輪傳動間隙測量！高精度激光干涉儀高精度測量

干涉儀技術參數：5D/6D標準型：

1.線性：0.5ppm.

2.測量范圍：40米（1D可選80米）

3.線性分辨力：0.001um.

4.偏擺角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%顯示較大值

5.比較大范圍：800角秒

6.滾動角精度：1.0角秒

7.直線度精度：（1.0+0.2/m）um或1%顯示較大值

8.直線度比較大范圍：500um

9.垂直度精度：1角秒

10.溫度精度：0.2攝氏度

11.濕度精度：5%

12.壓力精度：1mmHg從激光器發出的光束，經擴束準直后由分光鏡分為兩路，并分別從固定反射鏡和可動反射鏡反射回來會合在分光鏡上而產生干涉條紋。 高精度激光干涉儀高精度測量