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湖南SIM卡ESD保護元件參數

來源: 發布時間:2023-09-21

靜電ESD保護元件選型注意事項:1.傳輸速率,也就是電容量的控制,現在隨著工藝的不斷完善,電容量越做越低。2.符合測試要求的標準,不是越高越好,而是適合自已的產品,例如:空氣放電15KV 接觸 8KV3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮,yint公司首席技術經理,說過一句很經典的話,在電路中,假如非萬不得已不要增加多余的器件,每增加一個,就是增加失效風險,保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件,它也有失效益機率,所以設計選型時盡量找些資質比較好的供應商。ESD靜電保護元件在選型時應注意其封裝,電容,靜電防護等級等參數。湖南SIM卡ESD保護元件參數

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似,但等效電容是200pF,等效電阻為0,機器模型與人體模型的差異較大,實際上機器的儲電電容變化較大,但為了描述的統一,取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻,且儲電電容大于人體模式,同等電壓對器件的損害,機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中,由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦,就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時,發生對地放電引起器件失效而建立的。廣東SIM卡ESD保護元件參數ESD靜電保護元件的浪涌防護等級可用IPP這個參數來表示。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission,IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時,主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害,忽視了靜電放電的電磁脈沖效應,直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改,規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式,但沒有關于ESD輻射場的明確規定,對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測設備(equip—mentundertest,EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發現,由于ESD模擬器內部繼電器與接地回路等因素的影響,符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結果并不相同。

常見人體帶電過程如下:(1)人從椅子上站起來,或擦拭墻壁等過程(**初的電荷分離發生在衣物或其他相關物體外表面,然后,人體由感應帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(**初的電荷分離發生在鞋和地板之間,然后,對于導電性鞋,人體由電荷傳遞而帶電;對于絕緣鞋,人體是因感應而帶電)。(3)脫下外衣時的靜電。這是發生在外層衣物與內層衣物之間的接觸起電,人體則經過電荷傳遞或感應而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走,將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對高度帶電粉體取樣時的帶電。當存在連續起電過程時,由于電荷泄漏和放電,使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地,另一條通過內部PCB流向大地。

TVS/ESD靜電保護元件陣列,ESD靜電保護元器件RLESD保護器件可避免電子設備中的敏感電路受到ESD的。可提供非常低的電容,與其他同類元件相比具有更優異的傳輸線脈沖(TLP)測試,以及IEC6100-4-2測試能力,尤其是在多采樣數(高達1000)之后。該器件可比傳統的聚合物SEO器件提供更低的觸發電壓和更低的箝拉電壓,進而改善對敏感電子元件的保護。靜電保護元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡稱ESD,是一種過壓保護元件,是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。RLESD保護器件是用來避免電子設備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響。可提供非常低的電容,具有優異的傳輸線脈沖(TLP)測試,以及IEC6100-4-2測試能力,尤其是在多采樣數高達1000之后,進而改善對敏感電子元件的保護。 ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。河南SIM卡ESD保護元件應用

靜電源包裝,出ESD防護區的器件必須使用防靜電包裝,以防外界靜電源的影響。湖南SIM卡ESD保護元件參數

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中,帶電的人體都用100皮法(pF)電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中,電容會充電到數千伏(常見的是2kV、4kV、6kV及8kV),再借由電阻串聯到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流,及200納秒脈沖寬度的雙重指數信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件,如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產生的放電稱為人體-金屬ESD模型,與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5~7倍。原因是金屬物件的電極效應使得人體放電的等效電阻***變小。湖南SIM卡ESD保護元件參數

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