隨著全球氣候變暖，“低碳”變成了當今社會的熱門詞語，“低碳經濟”、“低碳生活方式”，甚至連較熱門的房地產行業較近也推出了“低碳樓盤”。而歸根到底，“低碳”的本質就是降低能耗，減少二氧化碳的排放。據統計，60%~70%的電能是在低能耗系統中使用的，而絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。而提高電力利用效率中，起關鍵作用的是功率器件，因此如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在航天電子產品中，電子設備的功耗、體積和重量比地面設備更加重要，有時甚至是衡量該產品的主要指標。一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。徐匯區碳化硅定制

碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件” 結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。碳化硅晶片是碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。碳化硅晶片作為半導體襯底材料，經過外延生長、器件制造等環節，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。根據電阻率不同，碳化硅晶片可分為導電型和半絕緣型。其中，導電型碳化硅晶片主要應用于制造耐高溫、耐高壓的功率器件，市場規模較大；半絕緣型碳化硅襯底主要應用于微波射頻器件等領域，隨著 5G 通訊網絡的加速建設，市場需求提升較為明顯。楊浦區碳化硅廠家哪家好碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。

開關頻率高于20KHz時，全SiC模塊的輸出功率比IGBT模塊高100%以上。此外，輸出功率對開關頻率的依賴也小。反過來，全SiC功率模塊可用于非常高的開關頻率，因為與10kHz時的輸出功率相比，40kHz時的輸出功率只低28%。當開關頻率低于5kHz時，IGBT模塊顯示出較高的輸出功率。這是以內全SiC的模塊中所用的SiC芯片組是針對非常高的開關頻率而優化的。針對較低開關頻率的優化也是可能的。再次，通過考慮用于硅和SiC芯片的芯片面積，來處理這兩個模塊的功率密度是有用的。在圖4b中，輸出功率除以芯片面積得到功率密度。

電動汽車的電動機是有源負載，其轉速范圍很寬，且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速，工作條件比一般的調速系統要復雜，因此，其驅動系統是決定電動汽車性能的關鍵所在。隨著電動汽車的發展，對電力電子功率驅動系統提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠。常用的半導體材料，尤其是各種電子產品中的處理器、存儲器等芯片，通常都是基于硅晶體(單晶硅或多晶硅)制造出來的。而實際上還有一類半導體是基于化合物晶體制造的，SiC(碳化硅)半導體就是其中之一。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，只次于世界上較硬的金剛石（10級）。

利用碳化硅具有耐高溫，強度大，導熱性能良好，抗沖擊，作高溫間接加熱材料，如堅罐蒸餾爐，精餾爐塔盤，鋁電解槽，銅熔化爐內襯，鋅粉爐用弧型板，熱電偶保護管等。利用碳化硅的耐腐蝕，抗熱沖擊耐磨損，導熱好的特點，用于大型高爐內襯提高了使用壽命。碳化硅硬度只次于金剛石，具有較強的耐磨性能，是耐磨管道、葉輪、泵室、旋流器、礦斗內襯的理想材料，其耐磨性能是鑄鐵.橡膠使用壽命的5-20倍也是航空飛行跑道的理想材料之一。利用其導熱系數、熱輻射、高熱強度大的特性，制造薄板窯具，不只能減少窯具容量，還提高了窯爐的裝容量和產品質量，縮短了生產周期，是陶瓷釉面烘烤燒結理想的間接材料。通常情況下，碳化硅含量越高，結晶越好，光澤度越好，結晶更密實。松江區碳化硅廠商

碳化硅本身夠硬、抗熱。徐匯區碳化硅定制

碳化硅器件的極限工作溫度有望達到 600℃以上, 而硅器件的較大結溫只為 150℃。碳化硅器件抗輻射能力較強,在航空等領域應用可以減輕輻射屏蔽設備的重量。碳化硅器件對電動車充電模塊性能的提升主要體現在三方面： （1）提高頻率，簡化供電網絡； （2）降低損耗，減少溫升。 （3）縮小體積，提升效率。較大的增長機會在汽車領域，尤其是電動汽車。基于SiC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術正在進入系統的關鍵部分——牽引逆變器。牽引逆變器為電動機提供牽引力，以推動車輛前進。SiC正在進軍車載充電器、DC-DC轉換器和牽引逆變器。車載充電器通過電網為車輛充電。徐匯區碳化硅定制

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