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嘉定區碳化硅怎么樣

來源: 發布時間:2023-04-26

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,而高穩定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術。之前,這項技術只掌握在美國人手里,且長期對我國技術封鎖。過去,我國的半導體材料長期依賴國外進口,由此帶來的問題就是半導體材料價格昂貴、渠道不穩,隨時都可能面對禁運的風險,而且產品的質量也難以得到有效保證,國人備受半導體材料和重要技術 “卡脖子”之痛。碳化硅晶體的生長條件十分嚴苛,不只需要經歷高溫還需要壓力精確控制的生長環境,同時這些晶體的生長速度很緩慢,生長質量也不易控制。在生長的過程中即便只出現一絲肉眼無法察覺的管洞,也可能影響這個晶體的生長質量。碳化硅晶體的生長過程就如同“蒙眼繡花”一樣,因為溫度太高,難以進行人工干預,所以晶體的生長過程十分容易遭到擾動,而如何在苛刻的生長條件下穩定生長環境恰恰又是晶體生長較重要的技術。要想生產出高質量的碳化硅晶片,就必須攻克這些技術難關。 純碳化硅是屬于無色透明的晶體。嘉定區碳化硅怎么樣

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導率高于任何其它金屬,這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統Si基半導體器件散熱片體積的對比,可看出,采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV,一般包含兩套水冷系統,一套是引擎冷卻系統,冷卻溫度約105℃,另一套是電力電子設備的冷卻系統,冷卻溫度約為70℃。 嘉定區碳化硅哪里有碳化硅在鋼材冶煉中也常被用作添加劑使用。

目前,彈/箭上使用的無刷直流電機或電動舵機的功率日趨增加,對于無刷直流電機或電動舵機的驅動器來說,因彈/箭上電池電壓的限制,只有提升電流才能輸出足夠的功率。而大的電流帶來了更大的耗散功率和發熱量,這就會增加驅動器的體積、重量,無形中就增加了彈/箭的無效載荷,縮短了射程。碳化硅肖特基二極管所具有的耐高溫、反向恢復電流為零的特性,可極大地提高電機驅動器的性能,減小耗散功率、體積和重量,提高產品的可靠性。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。

利用碳化硅具有耐高溫,強度大,導熱性能良好,抗沖擊,作高溫間接加熱材料,如堅罐蒸餾爐,精餾爐塔盤,鋁電解槽,銅熔化爐內襯,鋅粉爐用弧型板,熱電偶保護管等。利用碳化硅的耐腐蝕,抗熱沖擊耐磨損,導熱好的特點,用于大型高爐內襯提高了使用壽命。碳化硅硬度只次于金剛石,具有較強的耐磨性能,是耐磨管道、葉輪、泵室、旋流器、礦斗內襯的理想材料,其耐磨性能是鑄鐵.橡膠使用壽命的5-20倍也是航空飛行跑道的理想材料之一。利用其導熱系數、熱輻射、高熱強度大的特性,制造薄板窯具,不只能減少窯具容量,還提高了窯爐的裝容量和產品質量,縮短了生產周期,是陶瓷釉面烘烤燒結理想的間接材料。碳化硅在高于2000 °C高溫下形成,具有六角晶系結晶構造(似纖維鋅礦)。

許多物質化合物以稱為多晶型物的不同晶體結構存在。碳化硅在這方面非常獨特,因為研究人員已經鑒定出250多種不同的碳化硅多晶型物。3C-SiC和4H-SiC由于其優越的半導體性能而成為較常用的多型體。本文使用的SiC晶體管基于4H-SiC。用eV表示的能隙是結晶固體中電子的導帶底部和價帶頂部之間的差。半導體表現出1 eV

要注意:它與天然金剛砂(石榴子石)的成分不同。嘉定區碳化硅怎么樣

盡管當前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ,但生產SiC器件的技術仍處于學習曲線的早期階段。因此,我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是,對于給定的導通電阻和擊穿電壓,SiC MOSFET所需的管芯面積比常規硅MOSFET顯著更少。因此,它將具有較小的電容和較低的柵極電荷,這轉化為較低的開關損耗和較高的效率。較高的導熱率反映為較低的熱阻。SiC MOSFET的面積相等時,其熱阻要低得多,從而可以降低工作結溫。盡管先前描述了所有優點,但以前SiC晶體管的高成本使其只能用于優越工業市場(例如,石油鉆探電源,電源系統等)的專門用應用中。影響其成本的主要因素歸因于諸如SiC襯底的成本較高和可用性較低,SiC制造工藝的成本較高以及生產率較低(主要歸因于襯底的缺陷密度較高)等因素。嘉定區碳化硅怎么樣

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