近期，基板質量的進步已經導致SiC器件的良率和可靠性的顯著提高。襯底的這種可用性以及更高的可用性極大地提高了這些晶體管的效率和制造成本，從而促進了它們在諸如車載充電器和牽引逆變器之類的電動汽車系統中的普遍采用。憑借SiC晶體管可實現更高效率和更高的開關頻率，從而減小了磁性元件的尺寸，WBG材料推動了SiC在工業市場上許多功率轉換領域的采用，這是汽車應用所獲得的收益。碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅單晶材料目前采用物相輸運（PVT）法，在超過2000℃的高溫下，將碳粉和硅粉通過高溫分解成原子，通過溫度控制沉積在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶體。 碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種。黃浦區碳化硅批發公司

在開關電源系統中，二極管一般被用作整流、續流保護等。用做整流時，經常會因為整流二極管的反向恢復時間過長，進而導致轉換效率降低，發熱增加。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復問題，但普通硅（Si）肖特基二極管的擊穿電壓很低（通常低于200V），再加上降額設計，不適合高壓應用。而用碳化硅（SiC）制作的肖特基二極管耐壓可達1200V，反向恢復電流幾乎可忽略不計，因而能有效減小器件的開關損耗，同時，還可簡化開關電源電路中的保護電路，是公司提供的使用碳化硅肖特基二極管后對Boost型拓撲結構開關電源的簡化。 松江區碳化硅哪家專業碳化硅的工業制法是用優良石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。

碳化硅半導體材料的革新：碳化硅基功率器件性能優于硅基器件，更高效，更節能，更輕便！隨著寬禁帶半導體技術的日益普及，需要在高溫和苛刻的電流循環條件下，對二極管操作進行各種耐久性測試，以評估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續發展。而新型碳化硅（SiC）半導體材料更是不負眾望，它比傳統硅材料導熱性更佳、開關速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小。因此，碳化硅開關也成為設計人員的新寵。碳化硅二極管主要為肖特基二極管。一款商用碳化硅肖特基二極管十多年前就已推出。

目前已知的碳化硅有約200種晶體結構形態，分立方密排的閃鋅礦α晶型結構（2H、4H、6H、15R）和六角密排的纖鋅礦β晶型結構（3C-SiC）等。其中β晶型結構（3C-SiC）可以用來制造高頻器件以及其他薄膜材料的襯底，例如用來生長氮化鎵外延層、制造碳化硅基氮化鎵微波射頻器件等。α晶型4H可以用來制造大功率器件；6H較穩定，可以用來制作光電器件。目前傳統硅基產業極其成熟的商業環境，至少有一大半原因是硅材料較為容易得到。硅材料成熟且高效的制備技術使得硅材料目分低廉，目前6英寸硅拋光片只150元，8英寸300元，12英寸850元左右。碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好。

碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能，UPS，工業，汽車等應用：主要集中在光伏儲能中的逆變器，數據中心服務器的UPS電源，智能電網充電站等需要轉換效率較高的領域。但是隨著近些年電動和混合動力汽車（xEV）的發展，SiC也在這個新領域迅速崛起，輻射的產業包括能源（PV，EV充電，智能電網等）、汽車（OBC,逆變器）、基礎設施（服務器）等。與常規硅相比，WBG材料具有相對較寬的能帶隙（在價帶和導帶之間）。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是當今使用較普遍的WBG材料。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性。 碳化硅在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用普遍、經濟的一種。黃浦區碳化硅批發公司

碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。黃浦區碳化硅批發公司

如果只算碳化硅芯片，在功率半導體方面碳化硅的對比傳統硅基功率芯片，有著無可比擬的優勢：碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件，使得整個功率器件模組更加輕巧、節能、輸出功率更強，同時還增強了可靠性，優點十分明顯，具體總結如下： 1、更低的阻抗，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率； 2、適用于更高頻率和更快的開關速度； 3、較佳的高溫特性，能在更高溫度下工作。 黃浦區碳化硅批發公司

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