在開關電源系統中,二極管一般被用作整流、續流保護等。用做整流時,經常會因為整流二極管的反向恢復時間過長,進而導致轉換效率降低,發熱增加。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復問題,但普通硅(Si)肖特基二極管的擊穿電壓很低(通常低于200V),再加上降額設計,不適合高壓應用。而用碳化硅(SiC)制作的肖特基二極管耐壓可達1200V,反向恢復電流幾乎可忽略不計,因而能有效減小器件的開關損耗,同時,還可簡化開關電源電路中的保護電路,是公司提供的使用碳化硅肖特基二極管后對Boost型拓撲結構開關電源的簡化。 碳化硅具有優良的導熱性能,是一種半導體,高溫時能抗氧化。徐匯區碳化硅
純碳化硅為無色,而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體,已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優越石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊,經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。徐匯區碳化硅在半導體高功率元件的應用上,不少人試著用它來取代硅。
由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一,它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱:SiC顆粒料,因含有C且超硬,因此SiC顆粒料曾被稱為:金剛砂。
碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導率高于任何其它金屬,這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統Si基半導體器件散熱片體積的對比,可看出,采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV,一般包含兩套水冷系統,一套是引擎冷卻系統,冷卻溫度約105℃,另一套是電力電子設備的冷卻系統,冷卻溫度約為70℃。 碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種。
SiC 主要應用于微波領域,非常適合在雷達發射機中使用;使用它可明顯提高雷達發射機的輸出功率和功率密度,提高工作頻率和工作頻帶寬度,提高雷達發射機的環境溫度適應性,提高抗輻射能力。和普通硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件所具有的優勢非常明顯。雖然碳化硅功率器件的市場化推廣還處于起步階段,但其應用前景廣大,發展速度迅猛,在“低碳”經濟理念的推動下,必將加快其發展步伐。航天電子產品對其重量、體積、功耗和抗輻射程度都有嚴格的要求,碳化硅功率器件的出現及進一步推廣,必將對今后航天電子產品的開發產生深遠影響。黑碳化硅含SiC約95%,其韌性高于綠碳化硅。嘉定區碳化硅哪家比較便宜
用以制成的耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強度高,節能效果好。徐匯區碳化硅
但要注意:它與天然金剛砂(石榴子石)的成分不同。在工業生產中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專門用的碳化硅電爐,其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。徐匯區碳化硅
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