判別三管極時應首先確認基極。對于NPN管,用黑表筆接假定的基極,用紅表筆分別接觸另外兩個極,若測得電阻都小,約為幾百歐~幾千歐;而將黑、紅兩表筆對調,測得電阻均較大,在幾百千歐以上,此時黑表筆接的就是基極。PNP管,情況正相反,測量時兩個PN結都正偏的情況下,...
三極管的基本結構:基本放大電路是放大電路中基本的結構,是構成復雜放大電路的基本單元。它利用雙極型半導體三極管輸入電流控制輸出電流的特性,或場效應半導體三極管輸入電壓控制輸出電流的特性,實現信號的放大。本章基本放大電路的知識是進一步學習電子技術的重要基礎。基本放...
三極管我們任取兩個電極(如這兩個電極為1、2),用萬用電表兩支表筆顛倒測量它的正、反向電阻,觀察表針的偏轉角度;接著,再取1、3兩個電極和2、3兩個電極,分別顛倒測量它們的正、反向電阻,觀察表針的偏轉角度。在這三次顛倒測量中,必然有兩次測量結果相近:即顛倒測量...
場效應管大功率電路:(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N...
三極管基本的作用是放大作用,它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號,當然這種轉換仍然遵循能量守恒,它只是把電源的能量轉換成信號的能量罷了。三極管有一個重要參數就是電流放大系數β。當三極管的基極上加一個微小的電流時,在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流,即...
肖特基二極管:肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極...
VMOS場效應管:VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不光繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流小(左右0.1μA左右),還具有耐...
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS...
場效應管電阻法測電極:根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極...
場效應管MOSFET運用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于:首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動;...
場效應管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向...
場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態下保存,而絕緣柵型場效應管在不使用時,由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場作用而使管子損壞。焊接時,電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,也可以將...
近些年來,隨著電子電腦技術的不斷發展,各種電子合成器、各種音頻效果器和膽音效果器軟件以及虛擬揚聲器技術層出不窮。這使得音頻放大器硬件的發展和普及遠遠趕不上軟件的速度,在精確度上硬件往往也趕不上軟件,如電腦模擬3D效果逼真度很大超過真實3D效果,不受聽音室的空間...
場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時,可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的,管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ...
場效應晶體管的溝道是摻雜n型半導體或p型半導體的結果。在增強型場效應晶體管中,漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型,或者摻雜與耗盡型場效應晶體管類似的類型。場效應晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區分。場效應晶體管的類型包括:結型場效應管(結型場效應晶體管)...
場效應管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,說明均是反向電阻,該管屬于N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以...
場效應管的歷史:場效應晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權限期結束后不久,威廉姆·肖克利的團隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應并闡釋了機理。隨后,在20世紀80年代,半導體器件(即結...
場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十...
柵極電壓(UGs)對漏極電流(ID)的控制作用稱為轉移特性,反映這兩者之間關系的曲線稱為轉移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結型場效應管的轉移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時,漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq...
場效應管屬于電壓控制型元件,又利用多子導電故稱單極型元件,且具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,無二次擊穿現象等優點。場效應晶體管的優點:具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號源吸取電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控...
用測電阻法判別無標志的場效應管:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對調表筆再測量一次,把其測得電阻值記下來,兩次測得阻值較大的一次,黑表筆所接的...
場效應管電極:所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應BJT的基極(base)、集電極(collector)和發射極(emitter)。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(ba...
各類音頻放大器具有各自的優點及屬性,也各有其不足之處,而場效應管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優勢,同時還具備兩者所沒有的優勢。在電路程式上,大量實踐證明,單端甲類功放是以效率換音質的典范,具有出色的音樂魅力。不少發燒友從單純追求音質出發,反復制作功放,反...
為了安全地使用場效應管,在線路的設計中不能超過管子的耗散功率。比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接入電路中,要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結。N溝道管柵極不能加正偏壓,...
MOS場效應管的測試方法(1).準備工作測量之前,先把人體對地短路后,才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導線與大地連通,使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,然后拆掉導線。(2).判定電極將萬用表撥于R×100檔,首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是...
場效應管電極:所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應BJT的基極(base)、集電極(collector)和發射極(emitter)。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(ba...
場效應管的檢測方法:(1)判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。(2)判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個PN結,因此根據PN...
根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管...
MK3401是一款P溝道的增強型場效應管,其參數匹配萬代AO3401,有SOT-23和SOT-23-3L兩種封裝,盟科從2010年成立至今一直專注場效應管的研發、生產和應用。還有其他一些系列,如三極管,二極管,LDO,質量穩定,供貨能力強。這款電壓BVDSS是...
場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態下保存,而絕緣柵型場效應管在不使用時,由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,以免外電場作用而使管子損壞。焊接時,電烙鐵外殼必須裝有外接地線,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,也可以將...