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面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因為受到電阻 Rc的限制(Rc是固定值,那么最大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當基極電流的增大,不能使集電極電流繼續增大 時,三極管就進入了飽和狀態.一般判斷三極管是否飽和的準則是：...

晶體三極管，也稱為NPN三極管，是一種由三個摻雜不同類型的半導體材料構成的電子器件。它由一個N型半導體材料夾在兩個P型半導體材料之間構成。晶體三極管的結構主要包括發射極、基極和集電極三個區域。晶體三極管的工作原理基于PN結的電子輸運特性。當發射極(N區)與基極...

BVCEO是三極管基極開路時，集電極-發射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發射極之間的電壓超過這個數值時，將可能使三極管產生很大的集電極電流，這種現象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時，集電極電流...

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。焊接用的電烙鐵須要不錯接地。在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分離。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機時依次相反。電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去...

場效應管傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:點，金屬柵極采用V型槽結構；具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜...

制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以...

78XX系列集成穩壓器的典型應用電路如下圖所示，這是一個輸出正5V直流電壓的穩壓電源電路。IC采用集成穩壓器7805，C1、C2分別為輸入端和輸出端濾波電容，RL為負載電阻。當輸出電流較大時，7805應配上散熱板。提高輸出電壓的應用電路。穩壓二極管VD1串接在...

場效應管（FieldEffectTransistor，簡稱FET）是一種利用場效應原理工作的半導體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功率小、易于集成等特點。在電路中，場效應管通常用字母“Q”表示。場效應管一般具有3個極，即柵極（G）、源極（S）和漏極...

晶體管是一種與其他電路元件結合使用時可產生電流增益、電壓增益和信號功率增益的多結半導體器件。因此，晶體管稱為有源器件，而二極管稱為無源器件。晶體管的基本工作方式是在其兩端施加電壓時控制另一端的電流。晶體管兩種主要類型：雙極型晶體管(BJT)和場效應管(FET)...

二極管一個熱離子二極管就是一個真空管（也稱“電子管”），由一個包含著兩個電極的密封真空玻璃殼組成：由燈絲加熱的陰極，和一個陽極。早期產品的外觀和現在的白熾燈泡相當類似。在操作中，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態（...

齊納二極管又稱為穩壓二極管，簡稱穩壓管，是一種利用特殊工藝的面結型硅半導體二極管，符號如圖1(a)所示。穩壓二極管的雜質濃度比較高，空間電荷區的電荷密度也比較大，因此該區域很窄，容易形成強電場。當反向電壓達到一定數值時，反向電流激增，產生反向擊穿，特性曲線向擊...

穩壓二極管也分很多種類，開關二極管、肖特基二極管、穩壓二極管、TVS管、ESD保護管等等……我們要講的是整流二極管，其中整流二極管又分為普通的整流二極管（材料多為硅、鍺）和肖特基二極管（材料為金屬和硅），乃至后續的碳化硅二極管。但對于這些管子的特性和參數不做贅...

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高...

用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻...

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高...

場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可...

場效應管的應用常用的場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管 。CMOS (互補金屬氧化物半導體)工藝技術是現代數字化集成電路的基礎。這種工藝技術采用一種增強模式設計，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯連接，使得當一個導通時，另一個閉合。在場效...

BVCEO是三極管基極開路時，集電極-發射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發射極之間的電壓超過這個數值時，將可能使三極管產生很大的集電極電流，這種現象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降。 PCM是集電極大允許耗散功率。三極管在工作時，集電極電流...

場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在...

NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發射極的,所以發射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電流受基極電流的控制(假設電源 ...

場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10...

如果我們在上面這個圖中,將電阻Rc換成一個燈泡,那么當基極電流為0時,集電極電流為0,燈泡滅.如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管 的放大倍數 β),三極管就飽和,相當于開關閉合,燈泡就亮了.由于電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了,所以就...

mengkedz穩壓二極管比較特殊，基本結構與普通二極管一樣，也有一個PN結。由于制造工藝的不同，當這種PN結處于反向擊穿狀態時，PN結不會損壞(普通二極管的PN結是會損壞)，在穩壓二極管用來穩定電壓時就是利用它的這一擊穿特性。由于穩壓二極管具有穩壓作用，因此...

對于在線式TL431電源誤差比較器，可采用外接維修電源進行檢測。將維修電源接入TL431的采樣點，當電壓高于標稱電壓時，TL431導通，陰極電壓為低，就是說，當電源電壓升高時，TL431導通，使光電耦合器的二極管導通，使三極管處于飽和狀態，終縮短初級功率開關管...

通過分流來衰減放大管射極電壓的“穩定”，也許這個圖并不能讓你一下子看出它是“并聯”的，但細心一看，確實如此。不過，大家在此還要注意一下：此處的穩壓管，是利用它的非線性區工作的，因此，如果認為它是一個電源，它也是一個非線性電源。為了便于大家理解，回頭我們找一個理...

線性穩壓電源有一個共同的特點就是它的功率器件調整管工作在線性區，靠調整管極間的電壓降來穩定輸出。由于調整管靜態損耗大，需要安裝一個很大的散熱器給它散熱。同時線性電源的變壓器工作在工頻(50Hz)上，所以質量、體積較大。當要制作多組電壓輸出時變壓器會更龐大線性穩...

穩壓管應用，浪涌保護電路：穩壓管在準確的電壓下擊穿，這就使得它可作為限制或保護元件電壓來使用，因為各種電壓的穩壓二極管都可以得到，故對于這種應用特別適宜。電視機里的過壓保護電路：EC是電視機主供電壓，當EC電壓過高時，D1導通，三極管BG導通，其集電極電位將由...

通常續流二極管會選用快速開關二極管和肖特基二極管，因為部分電路對二極管的反向恢復速度也有要求。一般來說，續流二極管反向并聯在感性負載邊上，正常工作下不導通，不占用電路中的功耗；在開關斷開的瞬間與感性負載組成回路，二極管可以正向導通，快速泄放掉多余電動勢，防止多...

通過分流來衰減放大管射極電壓的“穩定”，也許這個圖并不能讓你一下子看出它是“并聯”的，但細心一看，確實如此。不過，大家在此還要注意一下：此處的穩壓管，是利用它的非線性區工作的，因此，如果認為它是一個電源，它也是一個非線性電源。為了便于大家理解，回頭我們找一個理...

二極管中PN結電容的大小除了與本身結構尺寸和工藝有關，還與外加電壓有關。一般來說，結電容隨反向電壓的增加而減小，這種效應的二極管稱為變容二極管，對于一般的半導體二極管，總希望減小結電容。對于變容二極管，需要利用結電容。變容二極管在鎖相環上具有時重要應用肖特基二...