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  • 江蘇電氣性能測試DDR3測試
    江蘇電氣性能測試DDR3測試

    有其特殊含義的,也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中,很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中,所有信號都是DDR控制器輸出的,而DQS和DQ信號相差90°相位,因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下,對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中,所有信號是DDR芯片輸出的,并且DQ和DQS信號是同步的,都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣,DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單,是要把邏輯設(shè)...

  • 陜西多端口矩陣測試DDR3測試
    陜西多端口矩陣測試DDR3測試

    重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設(shè)置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

  • 北京DDR3測試系列
    北京DDR3測試系列

    每個 DDR 芯片獨享 DQS,DM 信號;四片 DDR 芯片共享 RAS#,CAS#,CS#,WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA,型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設(shè)計需求之后,我們首先要進行器件選型,然后根據(jù)所選的器件,準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計資料。一般來講,對于經(jīng)過選型的器件,為了使用這個器件進行相關(guān)設(shè)計,需要有如下資料。 · 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet:這個是必須要有的。如果沒有器件手冊,是沒有辦法進行設(shè)計的(一般經(jīng)過選型的器件,設(shè)計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊)。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的...

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