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MOS場效應管電源開關電路，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。...

二極管概述，二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結，關于PN結首先要了解三個概念。本征半導體：指不含任何摻雜元素的半導體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半...

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，...

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態，...

三極管的參數。三極管主要性能參數：直流參數： 1、共射直流電流放大系數β;2、ICBO是發射極開路時，集電結的反向飽和電流;3、ICEO是基極開路時，集電極與發射極之間的穿透電流。交流參數： 1、共射交流電流放大系數β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時對...

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數載...

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在...

用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型（用指針式萬用表）：1.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑...

由于點接觸型二極管金屬絲很細，形成的PN結面積很小，所以極間電容很小，同時，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻檢波和脈沖數字電路里的開關元件，也可用來作小電流整流。如2APl是點接觸型鍺二極管，較大整流電流為16mA，較高工作頻率為15...

三極管的功能應用：1、三極管放大電路，三極管是一種電流放大器件，可制成交流或直流信號放大器，由基極輸入一個很小的電流從而控制集電極輸出很大的電流。三極管基極（b）電流較小，且遠小于另兩個引腳的電流；發射極（e）電流較大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（...

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。...

MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能(下圖)，這些開關交替在電感里存儲能量，...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

三極管的構造，三極管有三個區域，分別被命名為發射結、基極和集電結。它的基本原理是利用半導體材料中P型和N型材料間的PN結和PNP結的特性來實現信號放大。三極管的白色瓷體上標注著三個觸點，分別為發射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復雜，但可...

穩壓二極管和普通二極管電性能區別，穩壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩壓二極管的電性能主要表現在穩定的工作電壓、穩定的反向阻斷電壓和低動態電阻等方面。這使得穩壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現出色，如通信設備、電源設備、工業自動化設備等。...

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應管，在查找相關資料時，經常會看到另幾個元器件，比如mos管、二極管、三極管，網上甚至有種說法：場效應管和mos管就是一種東西。這種說法當然是不夠準確的，為了能夠更好地認識這幾種元器件，本文就給大...

半導體二極管的參數介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時的反向電流， 其值愈小，則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加，反向電流會急劇增加，所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導電陽極與一池作為陰極的液態汞之間會形成電弧，電壓單位可達數百千瓦，這對高壓直流輸電的發展起到了促進作用。一些小型的熱離子整流器有時候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強真空器件的電流額定值。...

導電溝道的形成：當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極...

組成，FET由各種半導體構成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半...

二極管應用：1.續流，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。2.檢波，檢波二極管的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結構為點接觸型。其結電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。3.阻尼，阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反...

場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，...

導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通時的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅動能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應管能夠承受的較大電流，超過這個電流值可能會導致器件過熱、性能退化...

當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件，PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：...

肖特基二極管，利用金屬和半導體二者的接合面的'肖特基效應'的整流作用。由于正向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊...

場效應管與雙極性晶體管的比較：1.場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。2.場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界...

功能，二極管具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。對二極管所具備的這種單向特性的應用，通常稱之為“整流”功能。在真空管內，借由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達陽極，因而有整流的作用。將交...

什么是三極管？三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導體器件。通常指本征半導體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對端子的電壓或電流控制通過另一對端子的...