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如何看貼片三極管的型號？由于貼片三極管的體積很小，無法標注完整型號，故不少廠家都采用絲印來表示貼片三極管的型號。NPN型三極管是指由兩塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成的三極管；也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中較重要的器件。三極管是電子電路中較重要...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

三極管的參數，三極管的參數有很多，可以分成三大類：直流參數、交流參數、極限參數。直流參數：a.集電極—基極反向飽和電流Icbo集電極—基極反向飽和電流是指發射極開路時，基極和集電極之間加上規定的反向電壓Ucb時的集電極反向電流。b.集電極—發射極反向電流Ice...

三極管能夠放大信號的理解，三極管具有電流放大作用，它是一個電流控制器件。所謂電流控制器件是指，它用很小的基極電流來控制比較大的集電極電流和發射極電流。三極管電路中，三極管輸出電流（集電極電流、發射極電流）是由直流電源提供的，基極電流則是一部分由所要放大的信號源...

在電子工程領域，二極管作為基礎的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩壓二極管和普通二極管因其獨特的特性和應用場景而備受關注。本文將詳細比較穩壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應用這兩種元件。功能區別，穩壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電...

場效應晶體管。當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關斷時間(死區時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞...

場效應管主要參數：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應...

電流放大原理，下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發射極的,所以發射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊...

二極管的反向特性：當外加反向電壓時，所加的反向電壓加強了內電場對多數載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數載流子漂移，所以少數載流子形成很小的反向電流。由于少數載流子數量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數載流子越過PN結...

二極管的分類：一、按半導體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...

場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優點。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數值時，PN結被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊...

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發現后，...

可以通過手動調節晶體表面上的導線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀...

MOS場效應管，即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數電中則作開關或者邏輯轉換。三極管的主要結構是PN結，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號放大成一定強度的信號，...

場效應管注意事項：為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采...

二極管保護：二極管可用于保護電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護電路不受損壞。穩壓：二極管還可以作為穩壓器使用，它可以在電路中提供一個固定的電壓，使電路的工作更加穩定。二極管的實際案例解說：整流器：二極管被普遍應用于...

MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能(下圖)，這些開關交替在電感里存儲能量，...

三極管的分類：三極管的應用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據結構：NPN型三極管；PNP型三極管。根據功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據PN結材料：鍺...

三極管的飽和狀態，當三極管發射結正偏，集電結正偏時，三極管工作在飽和狀態。在飽和狀態下，三極管集電極電流ic的大小已經不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關系。飽和狀態下的三極管基極電流ib變大時，集電極電流ic也不會變大了，這就相當于水龍頭的開關已經...

交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管，當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜...

三極管具有電流放大作用，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量，也用作無觸點開關。三極管的簡介，三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件，是半導體基本元器件之一，是電子電路的主要元件，具有電流放大作用，三極管是在一塊半導體...