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VMOS場效應管，VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不只繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐...

對于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發射極上面那個箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負載電阻。發光二極管D指示作用,三極管T開關作用,電池E供電。三極管可以看成是2個PN結...

基本結構三極管的內部構造非常簡單，主要由三部分構成：基區：由pn型材料組成、起導電作用的部分稱為本征層；集電極和發射極：分別由n型和p型的兩種半導體制成、起開關作用的部分稱為功能層或柵欄層；溝道和耗盡區：兩個相鄰的pn結之間有一條很窄的過渡區域叫做溝道。功能特...

二極管的反向性，外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。擊穿，外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然...

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時，不能形成導電溝道，管子處于截止狀態。只有當vGS≥VT時，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以后，在漏—...

肖特基二極管，利用金屬和半導體二者的接合面的'肖特基效應'的整流作用。由于正向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊...

高、低頻小功率管，高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz，功率小于1W的晶體三極管。主要使用于工作頻率比較高，功率不高于1W的放大電路，高頻振蕩電路。比如在晶體管收錄機、收音機、電視機的高頻電路中，可選用高頻小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。低頻...

二極管的誕生得益于半導體技術，從原理上講它涉及到微觀電子學，所以它的底層原理是比較復雜的，但我們實際運用時主要在于根據我們電路的特點選擇合適的二極管型號，所以底層原理這里沒有說明，之后在實際電子設計中再將進一步了解。你是否還記得，很多時候你媽媽興沖沖的走到你面...

早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)。現今較普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。正向性，外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小...

三級管作用是什么？主要是將較微弱的信號轉變成較大幅度值的電信號。三極管的全稱稱為半導體三極管，也就是人們常說的雙極型晶體管和晶體三極管，它主要是控制電流的一種半導體器件。三級管的工作狀態是怎么樣的？1、截止狀態，當三極管中的發射結電壓小于導通電壓時，集電極與發...

三極管的分類：a.按材質分: 硅管、鍺管。b.按結構分: NPN 、 PNP。c.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等。d. 按功率分：小功率管、中等功率管、大功率管。e.按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管。f.按結構工藝分：合金管、平面管。g.按...

金屬半導體場效應管（MESFET），其結構獨特之處在于利用金屬與半導體接觸形成的肖特基勢壘作為柵極。這種特殊的柵極結構，當施加合適的柵源電壓時，能夠極為精細地調控溝道的導電能力。從微觀層面來看，高純度的半導體材料使得電子遷移率極高，電子在其中移動時幾乎不受阻礙...

三極管具有三個工作狀態，分別為：截止區、放大區、飽和區。在模擬電路中可以用這些特性實現不一樣的功能，在數字電路中，只有0和1兩個狀態，所以數字電路中三極管主要用作電子開關來使用，這時候三極管工作在截止和飽和狀態，即要么導通，要么斷開，就相當于一個開關。三極管的...

二極管串聯的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯,每只管子承受的反向電壓就應等于總電壓的幾分之一。但因為每只二極管的反向電阻不盡相同,會造成電壓分配不均:內阻大的二極管,有可能由于電壓過高而被擊穿,并由此引起連鎖反應,逐個把二極管擊穿。在二極管上并聯的電阻R...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

對于開關頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且...

搭建如下電路，使集電結反偏，發射結正偏。反向偏置的集電結在外部電場的幫助下變寬，同時正向偏置的發射結，由于內部電場被削弱，自由電子擴散運動增強，發射區內部的大量自由電子擴散到了基區，被集電結的內部電場捕獲，被電場加速送到了集電結，集電區內部的自由電子被反向偏置...

瞬態抑制二極管(TVS管)，瞬態電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護器件的一種二極管。當瞬態電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高...

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關斷時間(死區時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞...

結型場管腳識別，場效應管的柵極相當于晶體管的基極，源極和漏極分別對應于晶體管的發射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個...

普通二極管是由一個PN結構成的半導體器件，即將一個PN結加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區的引出線稱為正極或陽極，N型區的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向導通電壓（PN結電壓）差別較大，鍺管為0.2～0....

場效應管由于它只靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結合可代換其它器件，完成相應功能。比如：兩只三極管串聯可代換調光臺燈中的雙向觸發二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩壓管，代換30V的穩壓管等等。三極管的分類：1、按材質分...

當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件，PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NMOS增強型管：...

結型場效應管（JFET）：1、結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。2、結型場效應管的工作原...

開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅動電路的設計對開關時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關時間，此外，器件的物理結構，也會影響開關速度。典型應用電路：開關電路：開關電路是指用于控制場效應管開通和關斷的電路。放大電路：場效...

我們經常看MOS管的PDF參數，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜...

三極管主要參數，三極管的參數有很多，可以分成三大類：直流參數、交流參數、極限參數。1、直流參數，共發射極直流放大倍數：共發射極電路中，沒有交流輸入時，集電極電流與基極電流之比；集電極-基極反向截至電流：發射極開路時，集電極上加有規定的反向偏置電壓，此時的集電極...

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來...

三極管的開關功能，三極管的集電極電流在一定范圍內隨基極電流呈線性變化，這就是放大特性。當基極電流高過此范圍時，三極管集電極電流會達到飽和值 （導通），基極電流低于此范圍時，三極管會進入截止狀態（斷路）， 這種導通或截止的特性在電路中還可起到開關作用。三極管的其...