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  • 通用半導體器件技術
    通用半導體器件技術

    無錫微原電子科技有限公司的主營業務主要包括以下方面: 1.半導體器件業務:集成電路設計:公司擁有專業的技術團隊,致力于高性能模擬和數模混合集成電路以及特種分立器件的設計。其設計的集成電路產品廣泛應用于多個領域,如通信設備、消費電子產品等。 2.集成電路測試:具備先進的測試設備和技術,對設計完成的集成電路進行***的測試,包括功能測試、性能測試、可靠性測試等,確保產品的質量和穩定性。 3.集成電路制造:擁有自己的生產工廠或與質量的代工廠合作,進行集成電路的制造。在制造過程中,嚴格把控生產工藝和質量控制,以滿足不同客戶對產品的需求。 4.電子元器件銷售:除了自主設計...

  • 江西半導體器件構件
    江西半導體器件構件

    雙極型晶體管它是由兩個PN結構成,其中一個PN結稱為發射結,另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在應用時,發射結處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過發射結的電流使大量的少數載流子注入到基區里,這些少數載流子靠擴散遷移到集電結而形成集電極電流,只有極少量的少數載流子在基區內復合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流放大系數。在共發射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩...

  • 現代化半導體器件性能
    現代化半導體器件性能

    大功率電源轉換交流電和直流電的相互轉換對于電器的使用十分重要,是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高,禁帶寬度寬,熱導性高,因此SiC半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合,電源轉換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的優異表現使得現在被***使用到深井鉆探,發電裝置中的逆變器,電氣混動汽車的能量轉化器,輕軌列車牽引動力轉換等領域。由于SiC本身的優勢以及現階段行業對于輕量化、高轉換效率的半導體材料需要,SiC將會取代Si,成為應用*****的半導體材料。半導體器件行業的每一次飛躍,都離不開無錫微原電子科技的努力!現代化半導體器件性能 ...

  • 玄武區半導體器件歡迎選購
    玄武區半導體器件歡迎選購

    這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。在一定溫度下,電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子-空穴對,載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大,實際應用不多。 半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域應用。光伏應用半導體材料光生伏***應是太陽能電池運行的基本原理。現階段半導...

  • 應用半導體器件功能
    應用半導體器件功能

    在通信和雷達等***裝備中,主要靠高靈敏度、低噪聲的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波通信技術的迅速發展,微波半導件低噪聲器件發展很快,工作頻率不斷提高,而噪聲系數不斷下降。微波半導體器件由于性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性,在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的應用。晶體二極管晶體二極管的基本結構是由一塊P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個PN結。 在PN結的交界面處,由于P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續擴散而使PN結達到平衡狀態。當PN結的P端(P型半導體那邊...

  • 江西半導體器件哪家好
    江西半導體器件哪家好

    半導體的分類,按照其制造技術可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,雖然不常用,但還是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10E-5~10E7歐·米之間,溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 半導體器件行業的...

  • 濱湖區應用半導體器件
    濱湖區應用半導體器件

    空間電荷區:擴散到P區的自由電子與空穴復合,而擴散到N區的空穴與自由電子復合,所以在交界面附近多子的濃度下降,P區出現負離子區,N區出現正離子區,它們是不能移動,稱為空間電荷區。電場形成:空間電荷區形成內電場。空間電荷加寬,內電場增強,其方向由N區指向P區,阻止擴散運動的進行。漂移運動:在電場力作用下,載流子的運動稱漂移運動。PN結的形成過程:將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,在無外電場和其它激發作用下,參與擴散運動的多子數目等于參與漂移運動的少子數目,從而達到動態平衡,形成PN結。電位差:空間電荷區具有一定的寬度,形成電位差Uho,電流為零。耗盡層:絕大部分空...

  • 寶山區半導體器件性能
    寶山區半導體器件性能

    中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。 五個部分意義如下: ***部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-...

  • 鼓樓區半導體器件
    鼓樓區半導體器件

    中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。 五個部分意義如下: ***部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-...

  • 無錫半導體器件
    無錫半導體器件

    把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上,稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數小于 100個的稱為小規模集成電路,從 100個元件到1000 個元件的稱為中規模集成電路,從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規模集成電路,100000 個元件以上的稱為超大規模集成電路。集成電路是當前發展計算機所必需的基礎電子器件。許多工業先進國家都十分重視集成電路工業的發展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長。每個芯片上集成256千位的MOS隨機存儲器已研制成功,正在向1兆位 MOS隨機存儲器探索。在半導體器件的廣闊天地里,無錫微原電子科技正書寫著屬于自己...

  • 寧波半導體器件發展現狀
    寧波半導體器件發展現狀

    雙極型晶體管它是由兩個PN結構成,其中一個PN結稱為發射結,另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在應用時,發射結處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過發射結的電流使大量的少數載流子注入到基區里,這些少數載流子靠擴散遷移到集電結而形成集電極電流,只有極少量的少數載流子在基區內復合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流放大系數。在共發射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩...

  • 錫山區推廣半導體器件
    錫山區推廣半導體器件

    無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導體/集成電路領域的服務商,成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室,目前有的板塊有集成電路芯片、半導體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關。公司專注于電子/半導體/集成電路領域,提供從技術服務、產品開發到進出口貿易的***服務,致力于推動行業技術進步和市場拓展。 公司將積極響應國家號召,緊跟行業發展趨勢,努力成為推動中國微電子行業發展的重要力量之一。 無錫微原電子科技有限公司在未來將繼續保持其在電子/半導體/集成電路領域的**地位,通過技術...

  • 南京半導體器件生產過程
    南京半導體器件生產過程

    光電池當光線投射到一個PN結上時,由光激發的電子空穴對受到PN結附近的內在電場的作用而向相反方向分離,因此在PN結兩端產生一個電動勢,這就成為一個光電池。把日光轉換成電能的日光電池很受人們重視。較早應用的日光電池都是用硅單晶制造的,成本太高,不能大量推廣使用。國際上都在尋找成本低的日光電池,用的材料有多晶硅和無定形硅等。 其它利用半導體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏晶體管和表面波器件等。 今年是摩爾法則(Moore’slaw)問世50周年,這一法則的誕生是半導體技術發展史上的一個里程碑。這50年里,摩爾法則成為了信息技術發展的指路明燈。計算機從神秘不...

  • 福建半導體器件功能
    福建半導體器件功能

    本征半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶,受到熱激發后,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導帶,價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位,稱為空穴。空穴導電并不是實際運動,而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。 這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。 在一定溫度下,電子-空穴...

  • 普陀區半導體器件
    普陀區半導體器件

    光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉換成電信號,然后經過放大器將電信號放大,從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發展的一種光電探測器。它利用了半導體受光照后電阻變小的效應。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微弱的光信號,可以用雪崩光電二極管來探測。它是把一個PN結偏置在接近雪崩的偏壓下,微弱光信號所激發的少量載流子通過接近雪崩的強場區,由于碰撞電離而數量倍增,因而得到一個較大的電信號。除了光電探測器外,還有與它類似的用半導體制成的粒子探測器。 在當地口碑服務是很不錯的。普陀區半導體器件 本征半導體:不含雜質且無晶格缺...

  • 溧水區半導體器件功能
    溧水區半導體器件功能

    使用半導體空調,與日常生活中使用的空調不同,而是應用于特殊場所中,諸如機艙、潛艇等等。采用相對穩定的制冷技術,不僅可以保證快速制冷,而且可能夠滿足半導體制冷技術的各項要求。一些美國公司發現半導體制冷技術還有一個重要的功能,就是在有源電池中合理應用,就可以確保電源持續供應,可以超過8小時。在汽車制冷設備中,半導體制冷技術也得到應用。包括農業、天文學以及醫學領域,半導體制冷技術也發揮著重要的作用。 難點以及所存在的問題 :半導體制冷技術的難點半導體制冷的過程中會涉及到很多的參數,而且條件是復雜多變的。任何一個參數對冷卻效果都會產生影響。實驗室研究中,由于難以滿足規定的噪聲,就需要對實...

  • 哪些是半導體器件構件
    哪些是半導體器件構件

    在通信和雷達等***裝備中,主要靠高靈敏度、低噪聲的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波通信技術的迅速發展,微波半導件低噪聲器件發展很快,工作頻率不斷提高,而噪聲系數不斷下降。微波半導體器件由于性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性,在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的應用。晶體二極管晶體二極管的基本結構是由一塊P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個PN結。 在PN結的交界面處,由于P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續擴散而使PN結達到平衡狀態。當PN結的P端(P型半導體那邊...

  • 江蘇進口半導體器件
    江蘇進口半導體器件

    在業務發展方面,無錫微原電子科技有限公司采取多元化的市場策略,不僅鞏固和擴大了國內市場的份額,還積極拓展海外市場。通過與國際**企業的合作,公司的產品和服務已經遍布亞洲、歐洲、美洲等多個地區,實現了品牌的國際化。展望未來,無錫微原電子科技有限公司將繼續堅持以技術創新為**,加大研發投入,推動產品和服務的升級換代。 公司計劃在未來幾年內,重點發展以下幾個方向: 一是持續優化現有產品線,提高產品的競爭力。通過對材料、設計、工藝等方面的深入研究,提升產品的性能和可靠性,滿足市場對***半導體器件的需求。 二是拓展新的應用領域,開拓市場空間。隨著智能穿戴設備、...

  • 天津本地半導體器件
    天津本地半導體器件

    日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下: ***部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅...

  • 江陰國產半導體器件
    江陰國產半導體器件

    如果把電源的方向反過來接,則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚,同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此,PN結具有單向導電性。此外,PN結的偶極層還起一個電容的作用,這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時,偶極層內部會發生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數量級。 利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有:整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變容二極管、開關二極管、穩壓二極管(曾訥二極管)、崩越二極管(碰撞雪崩渡越二極管)和俘越二極管(俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管)等。此外,還有利用PN結...

  • 青浦區半導體器件性能
    青浦區半導體器件性能

    光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉換成電信號,然后經過放大器將電信號放大,從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發展的一種光電探測器。它利用了半導體受光照后電阻變小的效應。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微弱的光信號,可以用雪崩光電二極管來探測。它是把一個PN結偏置在接近雪崩的偏壓下,微弱光信號所激發的少量載流子通過接近雪崩的強場區,由于碰撞電離而數量倍增,因而得到一個較大的電信號。除了光電探測器外,還有與它類似的用半導體制成的粒子探測器。 無錫微原電子科技,用科技創新推動半導體器件行業的持續發展!青浦區半導體器件性...

  • 楊浦區半導體器件生產過程
    楊浦區半導體器件生產過程

    在業務發展方面,無錫微原電子科技有限公司采取多元化的市場策略,不僅鞏固和擴大了國內市場的份額,還積極拓展海外市場。通過與國際**企業的合作,公司的產品和服務已經遍布亞洲、歐洲、美洲等多個地區,實現了品牌的國際化。展望未來,無錫微原電子科技有限公司將繼續堅持以技術創新為**,加大研發投入,推動產品和服務的升級換代。 公司計劃在未來幾年內,重點發展以下幾個方向: 一是持續優化現有產品線,提高產品的競爭力。通過對材料、設計、工藝等方面的深入研究,提升產品的性能和可靠性,滿足市場對***半導體器件的需求。 二是拓展新的應用領域,開拓市場空間。隨著智能穿戴設備、...

  • 無錫節能半導體器件
    無錫節能半導體器件

    導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對,均能自由移動,即載流子,它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴,電子-空穴對消失,稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射(發光)或晶格的熱振動能量(發熱)。在一定溫度下,電子 - 空穴對的產生和復合同時存在并達到動態平衡,此時半導體具有一定的載流子密度,從而具有一定的電阻率。溫度升高時,將產生更多的電子 - 空穴對,載流子密度增加,電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大,實際應用不多。無錫微原電子科技,以匠心...

  • 松江區半導體器件發展現狀
    松江區半導體器件發展現狀

    半導體發光二極管半導體發光二極管的結構是一個PN結,它正向通電流時,注入的少數載流子靠復合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體激光器如果使高效率的半導體發光管的發光區處在一個光學諧振腔內,則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導體激光器或注入式激光器。 **早的半導體激光器所用的PN結是同質結,以后采用雙異質結結構。雙異質結激光器的優點在于它可以使注入的少數載流子被限制在很薄的一層有源區內復合發光,同時由雙異質結結構組成的光導管又可以使產生的光子也被限...

  • 松江區半導體器件技術
    松江區半導體器件技術

    大功率電源轉換交流電和直流電的相互轉換對于電器的使用十分重要,是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高,禁帶寬度寬,熱導性高,因此SiC半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合,電源轉換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的優異表現使得現在被***使用到深井鉆探,發電裝置中的逆變器,電氣混動汽車的能量轉化器,輕軌列車牽引動力轉換等領域。由于SiC本身的優勢以及現階段行業對于輕量化、高轉換效率的半導體材料需要,SiC將會取代Si,成為應用*****的半導體材料。以后有相關的業務金蝶找他們。松江區半導體器件技術 半導體制冷技術是目前的...

  • 杭州大規模半導體器件
    杭州大規模半導體器件

    美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下: ***部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非***品。 第二部分:用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。 第三部分:美國電子工業協會(EIA)注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會(EIA)注冊登記。 第四部分:美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。 第五部分:用字母表示器件分檔...

  • 山東半導體器件性能
    山東半導體器件性能

    有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物,把有機化合物和碳鍵垂直,疊加的方式能夠形成導帶,通過化學的添加,能夠讓其進入到能帶,這樣可以發生電導率,從而形成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比,具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能,應用的范圍比較廣,主要用于有機薄膜、有機照明等方面。 非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體,屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣,都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置,改變原有的周期性排列,形成非晶硅。晶態和非晶態主要區別于原子排列是否具有長...

  • 北京半導體器件扣件
    北京半導體器件扣件

    空間電荷區:擴散到P區的自由電子與空穴復合,而擴散到N區的空穴與自由電子復合,所以在交界面附近多子的濃度下降,P區出現負離子區,N區出現正離子區,它們是不能移動,稱為空間電荷區。電場形成:空間電荷區形成內電場。空間電荷加寬,內電場增強,其方向由N區指向P區,阻止擴散運動的進行。漂移運動:在電場力作用下,載流子的運動稱漂移運動。PN結的形成過程:將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,在無外電場和其它激發作用下,參與擴散運動的多子數目等于參與漂移運動的少子數目,從而達到動態平衡,形成PN結。電位差:空間電荷區具有一定的寬度,形成電位差Uho,電流為零。耗盡層:絕大部分空...

  • 長寧區半導體器件
    長寧區半導體器件

    應用策略半導體制冷技術已經廣泛應用在醫藥領域中,工業領域中,即便是日常生活中也得以應用,所以,該技術是有非常重要的發展前景的。例如,將半導體制冷技術用于現代的各種制冷設備中,諸如冰箱、空調等等,都可以配置電子冷卻器。半導體冰箱就是使用了半導體制冷技術。在具體的應用中,可以根據不同客戶的需要使用,以更好地滿足客戶的要求。不同數量的半導體制冷芯片,在連接的過程中可以根據需要采用并聯的方式或串聯的方式,放置在合適的位置就可以發揮作用。二十世紀50年代,前蘇聯開發了一種小型模型冰箱,只有10升的容量,冰箱的體積非常小,使用便利。日本研制出一種冰箱,是專門用于儲存紅酒的。對于溫度要嚴格控...

  • 福建現代化半導體器件
    福建現代化半導體器件

    半導體的分類,按照其制造技術可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,雖然不常用,但還是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10E-5~10E7歐·米之間,溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。 半導體器件行業的...

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