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若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷...

畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半...

這樣一來，輸出高低電平時，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗，提高了每個管的承受能力。又由于不論走哪一路，管子導通電阻都很小，使 RC 常數很小，轉變速度很快。因此，推拉式輸出級既提高電路的負載能力，又提高開關速度。推挽結構一般是指兩個三極管分...

以及負載電流的大小還隨時間而變化，因此，通常稱它為脈動直流。這種除去半周、圖下半周的整流方法，叫半波整流。不難看出，半波整流是以"**"一半交流為代價而換取整流效果的，電流利用率很低（計算表明，整流得出的半波電壓在整個周期內的平均值，即負載上的直流電壓Usc ...

紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見，內部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向...

常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等?？煽毓璧闹饕獏涤校?、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...

整流電路全波整流電路如果把整流電路的結構作一些調整，可以得到一種能充分利用電能的全波整流電路。圖5-3 是全波整流電路的電原理圖。圖片全波整流電路，可以看作是由兩個半波整流電路組合成的。變壓器次級線圈中間需要引出一個抽頭，把次組線圈分成兩個對稱的繞組，從而引出...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態，增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態。因此，比較好給處于截止狀態的IGBT加一反向...

帶平衡電抗器的雙反星型可控整流電路帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路是將整流變壓器的兩組二次繞組都接成星形，但兩組接到晶閘管的同名端相反；兩組二次繞組的中性點通過平衡電控器LB連接在一起。橋式整流電路橋式整流電路是使用**多的一種整流電路。這種電路，只要增加兩...

IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通...

Windows怎樣知道安裝的是什么設備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設備安裝信息的文件，它用特定語法的文字來說明要安裝的設備類型、生產廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標路徑，以及要添加到...

三相橋式全控電路TR為三相整流變壓器，其接線組別采用Y/Y-12。VT1~VT6為晶閘管元件，FU1~FU6為快速熔斷器。TS為三相同步變壓器，其接線組別采用△/Y-11。P端為集成化六脈沖觸發電路+24V電源輸出端，接脈沖變壓器一次繞組連接公共端。P1~P6...

無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片...

IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通...

電路中構成e2、Dl、Rfz 、D3通電回路，在Rfz ，上形成上正下負的半波整流電壓，e2為負半周時，對D2、D4加正向電壓，D2、D4導通；對D1、D3加反向電壓，D1、D3截止。電路中構成e2、D2Rfz 、D4通電回路，同樣在Rfz 上形成上正下負的另...

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用?？煽毓?..

驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能，以實現主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。光...

從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶...

檢測光敏二極管，可用萬用表Rx1k電阻檔。當沒有光照射在光敏二極管時，它和普通的二極管一樣，具有單向導電作用。正向電阻為8-9kΩ，反向電阻大于5MΩ。如果不知道光敏二極管的正負極，可用測量普通二極管正、負極的辦法來確定，當測正向電阻時，黑表筆接的就是光敏二極...

作用全波整流輸出電壓的直流成分（較半波）增大，脈動程度減小，但變壓器需要中心抽頭、制造麻煩，整流二極管需承受的反向電壓高，故一般適用于要求輸出電壓不太高的場合。原理橋式整流電路的工作原理如下：e2為正半周時，對D1、D3加正向電壓，Dl、D3導通；對D2、D4...

LED的光學參數中重要的幾個方面就是：光通量、發光效率、發光強度、光強分布、波長。發光效率和光通量發光效率就是光通量與電功率之比，單位一般為lm/W。發光效率**了光源的節能特性，這是衡量現代光源性能的一個重要指標。發光強度和光強分布LED發光強度是表征它在某...

另外在IGBT驅動器選擇中還應該注意的參數包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）...

（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內，有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到**限幅二極管，如保護儀表時。 [6]（3）穩壓電路在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一...

按電流方向方向是單向或雙向，又分為單拍電路和雙拍電路。其中所有半波整流電路都是單拍電路，所有全波整流電路都是雙拍電路。按控制方式可分為相控式電路和斬波式電路（斬波器）；1）通過控制觸發脈沖的相位來控制直流輸出電壓大小的方式稱為相位控制方式，簡稱相控方式。2）斬...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態，增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態。因此，比較好給處于截止狀態的IGBT加一反向...

單相整流電路比較簡單,對觸發電路的要求較低,相位同步問題很簡單，調整也比較容易。但它的輸出直流電壓的紋波系數較大。由于它接在電網的一相上，易造成電網負載不平衡,所以一般只用于4kW以下的中小容量的設備上。如果負載較大，一般都用三相電路。三相整流電路當整流容量較...

常用的紅外發光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發光二極管基于半導體材料的紫外發光二極管(UV LED)具有節能、環保和壽命長等優點，在殺菌消毒、醫療和生化檢測等領域有重大的應用價值。近年來，半導體紫外光電材料和...

“整流電路”（rectifying circuit）是把交流電能轉換為直流電能的電路。大多數整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調速、發電機的勵磁調節、電解、電鍍等領域得到廣泛應用。20世紀70年代以后，主電路多用硅整流二極管和晶閘管組...

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型...

紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見，內部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向...