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單向晶閘管的并聯與串聯應用技術 在實際應用中，當單個單向晶閘管的電壓或電流容量無法滿足要求時，需要將多個晶閘管進行并聯或串聯使用。晶閘管的并聯應用可以提高電路的電流容量。但在并聯時，需要解決各晶閘管之間的電流均衡問題。由于各晶閘管的伏安特性存在差異，在并聯運行時，可能會出現電流分配不均的現象，導致某些晶閘管過載而損壞。為了解決這個問題，可以在每個晶閘管上串聯一個小阻值的均流電阻，或者采用均流電抗器。同時，在選擇晶閘管時，應盡量選擇伏安特性相近的器件。晶閘管的串聯應用可以提高電路的耐壓能力。但在串聯時，需要解決各晶閘管之間的電壓均衡問題。由于各晶閘管的反向漏電流存在差異，在反向電壓作用下，可...

單向晶閘管的伏安特性研究 單向晶閘管的伏安特性曲線直觀地反映了其工作狀態。當門極開路時，如果陽極加正向電壓，在一定范圍內，晶閘管處于正向阻斷狀態，只有很小的漏電流。當正向電壓超過正向轉折電壓時，晶閘管會突然導通，進入低阻狀態。而當門極施加正向觸發脈沖時，晶閘管在較低的正向電壓下就能導通，觸發電流越大，導通時間越短。在反向電壓作用下，晶閘管處于反向阻斷狀態，只有極小的反向漏電流，當反向電壓超過反向擊穿電壓時，器件會因擊穿而損壞。深入理解伏安特性對于合理選擇晶閘管的參數以及設計觸發電路至關重要。例如，在設計過壓保護電路時，需要確保晶閘管的正向轉折電壓高于正常工作電壓，以避免誤觸發。 晶閘管與I...

晶閘管模塊的散熱設計與失效分析 晶閘管是一種半控型功率半導體器件，主要用于電力電子控制。其散熱能力直接決定其功率上限。常見方案包括：風冷：鋁散熱片配合風扇，適用于50A以下模塊。水冷：銅質冷板內嵌流道，可處理1000A以上電流（如西門子Simodrive模塊）。相變冷卻：蒸發冷卻技術用于超高頻場景。失效模式多源于過熱或電壓擊穿，如焊料層疲勞導致熱阻上升，或dv/dt過高引發誤觸發。通過紅外熱成像和在線監測可提前預警故障。 晶閘管常用于不間斷電源（UPS）和逆變器。福建晶閘管哪個品牌好晶閘管新能源領域中的晶閘管模塊技術 在光伏和風電系統中，晶閘管模塊用于DC-AC逆變及電網并網。例如，集...

單向晶閘管（SCR）與可控硅的關系 晶閘管根據結構與特性分類，可分為單向晶閘管、雙向晶閘管。單向晶閘管（SCR）是**基礎的晶閘管類型，早期被稱為“可控硅”。它*允許電流從陽極流向陰極，適用于直流或單向交流電路。SCR的典型應用包括整流器、逆變器和固態繼電器。其名稱“可控硅”源于硅材料和對導通的可控性，但現代術語中，“晶閘管”涵蓋更廣，SCR*為子類。SCR的缺點是關斷依賴外部條件，因此在需要快速開關的場合需搭配輔助電路。 晶閘管的觸發電路需匹配門極特性以提高可靠性。湖南晶閘管咨詢電話晶閘管單向晶閘管的制造工藝詳解 單向晶閘管的制造依賴于半導體平面工藝，主要材料是高純度單晶硅。其...

晶閘管模塊的散熱設計與失效分析 晶閘管是一種半控型功率半導體器件，主要用于電力電子控制。其散熱能力直接決定其功率上限。常見方案包括：風冷：鋁散熱片配合風扇，適用于50A以下模塊。水冷：銅質冷板內嵌流道，可處理1000A以上電流（如西門子Simodrive模塊）。相變冷卻：蒸發冷卻技術用于超高頻場景。失效模式多源于過熱或電壓擊穿，如焊料層疲勞導致熱阻上升，或dv/dt過高引發誤觸發。通過紅外熱成像和在線監測可提前預警故障。 晶閘管在過壓或過流時易損壞，需加保護電路。遼寧晶閘管品牌晶閘管晶閘管的主要分類及其應用領域 晶閘管家族成員眾多，根據結構和功能可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（...

雙向晶閘管的并聯與串聯應用技術 在高電壓、大電流應用場景中，需將多個雙向晶閘管并聯或串聯使用。并聯應用時，主要問題是電流不均衡。由于各器件的伏安特性差異，可能導致部分器件過載。解決方法包括：1）選用同一批次、參數匹配的雙向晶閘管。2）在每個器件上串聯小阻值均流電阻（如 0.1Ω/5W），抑制電流不均。3）采用均流電抗器，利用電感的電流滯后特性平衡電流。串聯應用時，主要問題是電壓不均衡。各器件的反向漏電流差異會導致電壓分配不均，可能使部分器件承受過高電壓而擊穿。解決方法有：1）在每個雙向晶閘管兩端并聯均壓電阻（如 100kΩ/2W），使漏電流通過電阻分流。2）采用 RC 均壓網絡（如 0.1...

晶閘管模塊的散熱器設計需考慮材料選擇、結構優化和表面處理。常用的散熱器材料為鋁合金（如 6063、6061），具有良好的導熱性和加工性能。散熱器的結構形式包括平板式、針狀式和翅片式，其中翅片式散熱器通過增加表面積提高散熱效率。表面處理（如陽極氧化）可增強散熱效果并提高抗腐蝕能力。熱阻計算是散熱設計的**。熱阻（Rth）表示熱量從熱源（芯片結）傳遞到環境的阻力，單位為℃/W。總熱阻由結到殼熱阻（Rth(j-c)）、殼到散熱器熱阻（Rth(c-s)）和散熱器到環境熱阻（Rth(s-a)）串聯組成。例如，某晶閘管模塊的Rth(j-c)=0.1℃/W，若要求結溫不超過125℃，環境溫度為40℃，則允許...

晶閘管模塊的分類與選型要點 晶閘管模塊可按功能分為整流模塊、逆變模塊、交流調壓模塊等，也可按封裝形式分為塑封型、壓接型和智能模塊（IPM）。選型時需重點考慮以下參數：電壓/電流等級：如額定電壓（VDRM）需高于實際工作電壓的1.5倍，電流容量（IT(RMS)）需留有余量。散熱需求：風冷模塊適用于中低功率（如10-100A），水冷模塊則用于兆瓦級變流器。控制方式：普通SCR模塊需外置觸發電路，而智能模塊（如富士7MBR系列）集成驅動和保護功能，簡化設計。應用場景也影響選型，例如電焊機需選擇高di/dt耐受能力的模塊，而光伏逆變器則需低開關損耗的快速晶閘管模塊。 晶閘管的觸發角控制可調節輸出電...

可控硅的主要參數有： 1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。 2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。 3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的**小控制極電流和電壓。 5...

晶閘管與 IGBT 的技術對比與應用場景分析 晶閘管和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是電力電子領域的兩大**器件，各自具有獨特的性能優勢和適用場景。 應用場景上，晶閘管在傳統高功率領域占據主導地位。例如，電解鋁行業需要數萬安培的直流電流，晶閘管整流器是推薦方案；高壓直流輸電系統中，晶閘管換流器可實現GW級功率傳輸。而IGBT則是現代電力電子設備的**。在光伏逆變器中，IGBT通過高頻開關實現最大功率點跟蹤（MPPT）；電動汽車的電機控制器依賴IGBT實現高效電能轉換。 發展趨勢方面，晶閘管技術正朝著更高耐壓、更大電流容量和智能化方向發展，例如光控晶閘管和集成保護功能的模塊；IGBT則不斷提...

由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱...

晶閘管模塊（Thyristor Module）是一種集成了晶閘管芯片、驅動電路、散熱結構和保護功能的功率電子器件，廣泛應用于工業控制、電力電子、新能源等領域。與分立式晶閘管相比，模塊化設計具有更高的功率密度、更好的散熱性能和更便捷的系統集成能力。 晶閘管模塊的基本組成晶閘管模塊通常由以下部分構成： 晶閘管芯片：如單向晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、門極可關斷晶閘管（GTO）等。 驅動電路：部分模塊（如智能功率模塊IPM）內置驅動IC，簡化外部控制。 散熱基板：采用銅或鋁基板，部分大功率模塊采用陶瓷基板（如AlN、Al?O?）以提高導熱性。 封裝結構：常見的有塑封（T...

單向晶閘管的保護電路設計 為了確保單向晶閘管在工作過程中的安全性和可靠性，必須設計完善的保護電路。過電壓保護電路能夠防止晶閘管因承受過高的電壓而損壞。常見的過電壓保護措施有阻容吸收電路和壓敏電阻保護。阻容吸收電路利用電容和電阻的組合，在過電壓出現時吸收能量，限制電壓的上升率。壓敏電阻則在電壓超過其擊穿電壓時，呈現低電阻狀態，將過電壓能量釋放掉。過電流保護電路用于防止晶閘管因過大的電流而燒毀。常用的過電流保護方法有快速熔斷器保護、過電流繼電器保護和電子保護電路。快速熔斷器能夠在電路出現短路等故障時迅速熔斷，切斷電路，保護晶閘管。在設計保護電路時，需要根據晶閘管的額定參數和實際工作環境，合理選...

雙向晶閘管的并聯與串聯應用技術 在高電壓、大電流應用場景中，需將多個雙向晶閘管并聯或串聯使用。并聯應用時，主要問題是電流不均衡。由于各器件的伏安特性差異，可能導致部分器件過載。解決方法包括：1）選用同一批次、參數匹配的雙向晶閘管。2）在每個器件上串聯小阻值均流電阻（如 0.1Ω/5W），抑制電流不均。3）采用均流電抗器，利用電感的電流滯后特性平衡電流。串聯應用時，主要問題是電壓不均衡。各器件的反向漏電流差異會導致電壓分配不均，可能使部分器件承受過高電壓而擊穿。解決方法有：1）在每個雙向晶閘管兩端并聯均壓電阻（如 100kΩ/2W），使漏電流通過電阻分流。2）采用 RC 均壓網絡（如 0.1...

由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱...

晶閘管的di/dt保護、dv/dt保護 晶閘管在實際應用中面臨過壓、過流、di/dt 和 dv/dt 等應力，必須設計完善的保護電路以確保其安全可靠運行。 di/dt保護是防止晶閘管在導通瞬間因電流上升率過大而損壞的關鍵。過大的di/dt會導致結溫局部過高，甚至引發器件長久性損壞。通常在晶閘管陽極串聯電感（如空心電抗器）或采用飽和電抗器，限制di/dt在允許范圍內（一般為幾十A/μs至幾百A/μs）。 dv/dt保護用于防止晶閘管在阻斷狀態下因電壓上升率過大而誤觸發。過高的dv/dt會使結電容充電電流增大，當該電流超過門極觸發電流時，晶閘管將誤導通。常用的dv/dt保護措施是在晶閘管兩端并...

晶閘管模塊的基本結構與工作原理 晶閘管模塊是一種集成了晶閘管芯片、驅動電路、散熱基板及保護元件的功率電子器件，其重要部分通常由多個晶閘管（如SCR或TRIAC）通過特定拓撲（如半橋、全橋）組合而成。模塊化設計不僅提高了功率密度，還簡化了安裝和散熱管理。晶閘管模塊的工作原理基于半控型器件的特性：通過門極施加觸發信號使其導通，但關斷需依賴外部電路強制換流（如電壓反向或電流中斷）。例如，三相全控橋模塊由6個SCR組成，通過控制觸發角實現交流電的整流或逆變，廣泛應用于工業變頻器和新能源發電系統。模塊內部通常采用陶瓷基板（如AlN）和銅層實現電氣隔離與高效導熱，確保高功率下的可靠性。 晶閘管在感應加...

晶閘管的過壓保護、過流保護 晶閘管在實際應用中面臨過壓、過流、di/dt和dv/dt等應力，必須設計完善的保護電路以確保其安全可靠運行。 過壓保護通常采用RC吸收電路和壓敏電阻（MOV）。RC吸收電路并聯在晶閘管兩端，當出現電壓尖峰時，電容充電限制電壓上升率，電阻則消耗能量防止振蕩。壓敏電阻具有非線性伏安特性，當電壓超過閾值時，其阻值急劇下降，將過電壓鉗位在安全范圍內。例如，在感性負載電路中，晶閘管關斷時會產生反電動勢，RC吸收電路和MOV可有效抑制這一電壓尖峰。 過流保護主要依靠快速熔斷器和電流檢測電路。快速熔斷器在電流超過額定值時迅速熔斷，切斷電路；電流檢測電路（如霍爾傳感器）實時監測...

晶閘管的工作原理 晶閘管（Thyristor）是一種具有可控單向導電性的半導體器件，也被稱為 “晶體閘流管”，是電力電子技術中常用的功率控制元件。 晶閘管的導通機制基于“雙晶體管模型”。當陽極加正向電壓且門極注入觸發電流時，內部兩個等效晶體管（PNP和NPN）形成正反饋，使器件迅速進入飽和導通狀態。一旦導通，即使移除門極信號，晶閘管仍維持導通，直至陽極電流低于維持電流（IH）或施加反向電壓。這種“自鎖效應”使其適合高功率場景，但也帶來關斷復雜性的問題。關斷方法包括自然換相（交流過零）或強制換相（LC諧振電路）。 晶閘管的串聯使用可提高耐壓等級。貼片型晶閘管咨詢電話晶...

晶閘管在高壓直流輸電（HVDC）中的應用 高壓直流輸電（HVDC）是晶閘管的重要應用領域之一。與交流輸電相比，HVDC在長距離輸電、海底電纜輸電和異步電網互聯中具有明顯的優勢，而晶閘管是HVDC換流站的重要器件。在HVDC系統中，晶閘管主要用于構成換流器，包括整流器和逆變器。整流器將三相交流電轉換為直流電，逆變器則將直流電還原為交流電。傳統的HVDC換流器多采用12脈動橋結構，每個橋由6個晶閘管串聯組成，通過精確控制晶閘管的觸發角，可實現對直流電壓和功率的調節。晶閘管在HVDC中的關鍵優勢包括：高耐壓能力（單個晶閘管可承受數千伏電壓）、大電流容量（可達數千安培）、可靠性高（使用壽命長）和成...

晶閘管與IGBT的技術對比與應用場景分析 晶閘管和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是電力電子領域的兩大重要器件，各自具有獨特的性能優勢和適用場景。 結構與原理方面，晶閘管是四層PNPN結構的半控型器件，依靠門極觸發導通，但關斷需依賴外部電路條件；IGBT是電壓控制型全控器件，結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降特性，可通過柵極電壓快速控制導通和關斷。 性能對比顯示，晶閘管的優勢在于高耐壓（可達10kV以上）、大電流容量（可達數千安培）和低導通損耗（約1-2V），適合高壓大容量、低開關頻率（通常低于1kHz）的應用，如高壓直流輸電、工業加熱和電機軟啟動。IGBT則在中低壓（通常<...

晶閘管模塊的散熱器設計需考慮材料選擇、結構優化和表面處理。常用的散熱器材料為鋁合金（如 6063、6061），具有良好的導熱性和加工性能。散熱器的結構形式包括平板式、針狀式和翅片式，其中翅片式散熱器通過增加表面積提高散熱效率。表面處理（如陽極氧化）可增強散熱效果并提高抗腐蝕能力。熱阻計算是散熱設計的**。熱阻（Rth）表示熱量從熱源（芯片結）傳遞到環境的阻力，單位為℃/W。總熱阻由結到殼熱阻（Rth(j-c)）、殼到散熱器熱阻（Rth(c-s)）和散熱器到環境熱阻（Rth(s-a)）串聯組成。例如，某晶閘管模塊的Rth(j-c)=0.1℃/W，若要求結溫不超過125℃，環境溫度為40℃，則允許...

晶閘管在高壓直流輸電（HVDC）中的應用 高壓直流輸電（HVDC）是晶閘管的重要應用領域之一。與交流輸電相比，HVDC在長距離輸電、海底電纜輸電和異步電網互聯中具有明顯的優勢，而晶閘管是HVDC換流站的重要器件。在HVDC系統中，晶閘管主要用于構成換流器，包括整流器和逆變器。整流器將三相交流電轉換為直流電，逆變器則將直流電還原為交流電。傳統的HVDC換流器多采用12脈動橋結構，每個橋由6個晶閘管串聯組成，通過精確控制晶閘管的觸發角，可實現對直流電壓和功率的調節。晶閘管在HVDC中的關鍵優勢包括：高耐壓能力（單個晶閘管可承受數千伏電壓）、大電流容量（可達數千安培）、可靠性高（使用壽命長）和成...

單向晶閘管的觸發電路設計 單向晶閘管的觸發電路需要為門極提供合適的觸發脈沖，以確保器件可靠導通。觸發電路主要有阻容觸發、單結晶體管觸發、集成觸發電路等類型。阻容觸發電路結構簡單，成本低，它利用電容充放電來產生觸發脈沖，但脈沖寬度和相位控制精度較差。單結晶體管觸發電路能夠輸出前沿陡峭的脈沖，適用于中小功率的晶閘管電路。集成觸發電路如KJ004、TC787等，具有可靠性高、觸發精度高、溫度穩定性好等優點，廣泛應用于工業控制領域。設計觸發電路時，需要考慮觸發脈沖的幅度、寬度、前沿陡度以及與主電路的同步問題。例如，在三相橋式全控整流電路中，觸發脈沖必須與三相電源同步，以保證晶閘管在正確的時刻導通，...

單向晶閘管在可控整流中的應用 可控整流是單向晶閘管的主要應用領域之一。在單相半波可控整流電路中，晶閘管在交流輸入電壓的正半周內，根據觸發角的大小導通，將交流電轉換為脈動直流電。通過改變觸發角的大小，可以調節輸出直流電壓的平均值。在單相橋式全控整流電路中，四個晶閘管組成橋式結構，能夠在交流輸入電壓的正負半周都進行整流，輸出電壓的脈動程度比半波整流電路小，平均電壓更高。在三相可控整流電路中，晶閘管將三相交流電轉換為直流電，具有輸出電壓高、脈動小等優點，廣泛應用于大功率直流電機調速、電解、電鍍等領域。例如，在直流電機調速系統中，通過調節晶閘管的觸發角，可以改變電機的輸入電壓，從而實現對電機轉速的...

雙向晶閘管與單向晶閘管的性能對比分析 雙向晶閘管與單向晶閘管在結構、性能和應用場景上存在***差異。結構上，雙向晶閘管是五層三端器件，可雙向導通；單向晶閘管是四層三端器件，*能單向導通。性能方面，雙向晶閘管觸發方式靈活，但觸發靈敏度較低，通態壓降約1.5V，高于單向晶閘管（約1V）；單向晶閘管觸發可靠性高，適合高電壓、大電流應用。應用場景上，雙向晶閘管主要用于交流調壓、固態繼電器和家用控制電路，如調光器、風扇調速器；單向晶閘管多用于直流可控整流，如電機驅動、電鍍電源。在成本上，同規格雙向晶閘管價格略高于單向晶閘管，但雙向晶閘管可簡化電路設計，減少元件數量。例如，在交流調光燈電路中，使用雙向...

晶閘管模塊的分類與選型要點 晶閘管模塊可按功能分為整流模塊、逆變模塊、交流調壓模塊等，也可按封裝形式分為塑封型、壓接型和智能模塊（IPM）。選型時需重點考慮以下參數：電壓/電流等級：如額定電壓（VDRM）需高于實際工作電壓的1.5倍，電流容量（IT(RMS)）需留有余量。散熱需求：風冷模塊適用于中低功率（如10-100A），水冷模塊則用于兆瓦級變流器。控制方式：普通SCR模塊需外置觸發電路，而智能模塊（如富士7MBR系列）集成驅動和保護功能，簡化設計。應用場景也影響選型，例如電焊機需選擇高di/dt耐受能力的模塊，而光伏逆變器則需低開關損耗的快速晶閘管模塊。 晶閘管的溫度系數影響其高溫性能...

晶閘管的工作原理與基本特性 晶閘管（Thyristor）是一種具有四層PNPN結構的半導體功率器件，由三個PN結組成，包含陽極（A）、陰極（K）和門極（G）三個端子。其工作原理基于PN結的正向偏置與反向偏置特性：當門極施加正向觸發脈沖時，晶閘管從阻斷狀態轉為導通狀態，此后即使撤去觸發信號，仍保持導通，直至陽極電流低于維持電流或施加反向電壓。晶閘管的**特性包括：單向導電性、可控觸發特性、高耐壓與大電流容量、低導通損耗等。其導通狀態下的壓降通常在1-2V之間，遠低于機械開關，因此適用于高功率場景。此外，晶閘管的關斷必須依賴外部電路條件（如電流過零或反向電壓），這一特性使其在交流電路中應用時需...

雙向晶閘管與單向晶閘管的性能對比分析 雙向晶閘管與單向晶閘管在結構、性能和應用場景上存在***差異。結構上，雙向晶閘管是五層三端器件，可雙向導通；單向晶閘管是四層三端器件，*能單向導通。性能方面，雙向晶閘管觸發方式靈活，但觸發靈敏度較低，通態壓降約1.5V，高于單向晶閘管（約1V）；單向晶閘管觸發可靠性高，適合高電壓、大電流應用。應用場景上，雙向晶閘管主要用于交流調壓、固態繼電器和家用控制電路，如調光器、風扇調速器；單向晶閘管多用于直流可控整流，如電機驅動、電鍍電源。在成本上，同規格雙向晶閘管價格略高于單向晶閘管，但雙向晶閘管可簡化電路設計，減少元件數量。例如，在交流調光燈電路中，使用雙向...

由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱...