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得注意的是，兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(cè)（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測(cè)）與背面檢測(cè)（透過(guò)硅襯底觀測(cè)），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測(cè)角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)（如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷）。在實(shí)際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過(guò)EMMI與OBIR...

柵氧化層缺陷顯微鏡發(fā)光技術(shù)定位的失效問題中，薄氧化層擊穿現(xiàn)象尤為關(guān)鍵。然而，當(dāng)多晶硅與阱的摻雜類型一致時(shí)，擊穿并不必然伴隨著空間電荷區(qū)的形成。關(guān)于其發(fā)光機(jī)制的解釋如下：當(dāng)電流密度達(dá)到足夠高的水平時(shí)，會(huì)在失效區(qū)域產(chǎn)生的電壓降。該電壓降進(jìn)而引起顯微鏡光譜區(qū)內(nèi)的場(chǎng)加...

EMMI的本質(zhì)只是一臺(tái)光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢？ 原因就在于集成電路在通電后會(huì)出現(xiàn)三種情況：1.載流子復(fù)合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當(dāng)這三種情況發(fā)生時(shí)集成電路上就會(huì)產(chǎn)生微弱的熒光，這...

在國(guó)內(nèi)失效分析設(shè)備領(lǐng)域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，尤其在熱紅外檢測(cè)這類高精度細(xì)分領(lǐng)域，具備自主技術(shù)積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術(shù)門檻 —— 需融合光學(xué)、紅外探測(cè)、信號(hào)處理等多學(xué)科技術(shù)，也受限于市場(chǎng)需求的專業(yè)化程度，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)傾向于代...

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測(cè)信號(hào)源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測(cè)靈敏度，并且其探測(cè)波長(zhǎng)范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光...

除了熱輻射，電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時(shí)，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強(qiáng)。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測(cè)器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強(qiáng)度的光信號(hào)。這類光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級(jí)躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過(guò)...

在國(guó)內(nèi)失效分析設(shè)備領(lǐng)域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，尤其在熱紅外檢測(cè)這類高精度細(xì)分領(lǐng)域，具備自主技術(shù)積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術(shù)門檻 —— 需融合光學(xué)、紅外探測(cè)、信號(hào)處理等多學(xué)科技術(shù)，也受限于市場(chǎng)需求的專業(yè)化程度，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)傾向于代...

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復(fù)雜多樣，既可能源于晶體管長(zhǎng)期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。 與短路類似，芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時(shí)，漏電路徑中會(huì)伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號(hào)的強(qiáng)度往往遠(yuǎn)低于短路產(chǎn)生的光輻射，對(duì)檢測(cè)設(shè)備的靈敏...

定位短路故障點(diǎn)短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。 當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，短路區(qū)域會(huì)形成異常電流通路，引發(fā)局部溫度驟升，并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號(hào)，再通過(guò)對(duì)光信號(hào)的強(qiáng)度分布...

芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測(cè)試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測(cè)技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號(hào)，定位微米級(jí)甚至納米級(jí)...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號(hào)的精密儀器，其優(yōu)勢(shì)在于對(duì)材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測(cè)。 然而，在面對(duì)微弱熱信號(hào)（如納米尺度結(jié)構(gòu)的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等）時(shí)，傳統(tǒng)熱成像方法易受環(huán)境噪聲、背...

同時(shí)，我們誠(chéng)摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行深入交流。在這里，我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程，從基礎(chǔ)功能到高級(jí)應(yīng)用，一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對(duì)您在設(shè)備選型、使用場(chǎng)景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問，我們也會(huì)給予細(xì)致...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI ）技術(shù)不僅可實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的故障精細(xì)定位，更在性能評(píng)估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領(lǐng)域展現(xiàn)獨(dú)特價(jià)值。通過(guò)高分辨率熱成像捕捉設(shè)備熱點(diǎn)分布圖譜，工程師能深度解析器件熱傳導(dǎo)特性，以此為依據(jù)優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效提升設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與...

致晟光電熱紅外顯微鏡的軟件算法優(yōu)化，信號(hào)處理邏輯也是其競(jìng)爭(zhēng)力之一。 其搭載的自適應(yīng)降噪算法，能通過(guò)多幀信號(hào)累積與特征學(xué)習(xí)，精細(xì)識(shí)別背景噪聲的頻譜特征 —— 無(wú)論是環(huán)境溫度波動(dòng)產(chǎn)生的低頻干擾，還是電子元件的隨機(jī)噪聲，都能被針對(duì)性濾除，使信噪比提升 2-...

失效分析是指通過(guò)系統(tǒng)的檢測(cè)、實(shí)驗(yàn)和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過(guò)程中出現(xiàn)故障、性能異常或失效的根本原因，進(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過(guò)程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細(xì)定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 圖像分析是通過(guò)探測(cè)物體自身發(fā)出的紅外輻射，將其轉(zhuǎn)化為可視化圖像，進(jìn)而分析物體表面溫度分布等信息的技術(shù)。其原理是溫度高于零度的物體都會(huì)向外發(fā)射紅外光，熱紅外顯微鏡通過(guò)吸收這些紅外光，利用光電轉(zhuǎn)換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內(nèi)電...

在半導(dǎo)體芯片的精密檢測(cè)領(lǐng)域，微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”，各自憑借獨(dú)特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測(cè)，但在邏輯與適用場(chǎng)景上的差異，使其成為互補(bǔ)而非替代的檢測(cè)組合。從技術(shù)原...

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢(shì)一： 熱紅外顯微鏡（Thermal emmi ）能夠檢測(cè)到極其微弱的熱輻射和光發(fā)射信號(hào)，其靈敏度通常可以達(dá)到微瓦甚至納瓦級(jí)別。同時(shí)，它還具有高分辨率的特點(diǎn)，能夠分辨出微小的熱點(diǎn)區(qū)域，分辨率可以達(dá)到微米...

在國(guó)內(nèi)失效分析設(shè)備領(lǐng)域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，尤其在熱紅外檢測(cè)這類高精度細(xì)分領(lǐng)域，具備自主技術(shù)積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術(shù)門檻 —— 需融合光學(xué)、紅外探測(cè)、信號(hào)處理等多學(xué)科技術(shù)，也受限于市場(chǎng)需求的專業(yè)化程度，導(dǎo)致多數(shù)企業(yè)傾向于代...

這一技術(shù)不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結(jié)邊緣缺陷等），更能在芯片量產(chǎn)階段實(shí)現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對(duì)性修復(fù)措施（如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進(jìn)封裝設(shè)計(jì)）提供依據(jù)，從而提升芯片的長(zhǎng)期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的E...

熱紅外顯微鏡能高效檢測(cè)微尺度半導(dǎo)體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測(cè)方面，這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析，且配備了電路板檢測(cè)用軟件包“模型比較”，能識(shí)別缺陷元件；同時(shí)還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊，專門探測(cè)不易發(fā)現(xiàn)的短路問題并定位短路點(diǎn)。在MEMS研發(fā)...

相較于宏觀熱像儀（空間分辨率約50-100μm），熱紅外顯微鏡通過(guò)顯微光學(xué)系統(tǒng)將分辨率提升至1-10μm，且支持動(dòng)態(tài)電激勵(lì)與鎖相分析，能深入揭示微觀尺度的熱-電耦合失效機(jī)理。例如，傳統(tǒng)熱像儀能檢測(cè)PCB表面的整體熱分布，而熱紅外顯微鏡可定位某一焊點(diǎn)內(nèi)部的微裂紋...

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢(shì)二： 與傳統(tǒng)接觸式檢測(cè)方法相比，熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測(cè)優(yōu)勢(shì)更勝——無(wú)需與被測(cè)設(shè)備直接物理接觸，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測(cè)中因探針壓力、靜電放電等因素對(duì)設(shè)備造成的損傷風(fēng)險(xiǎn)，這對(duì)精密電子元件與高精度設(shè)備的...

現(xiàn)市場(chǎng)呈現(xiàn) “國(guó)產(chǎn)崛起與進(jìn)口分野” 的競(jìng)爭(zhēng)格局。進(jìn)口品牌憑借早期技術(shù)積累，在市場(chǎng)仍占一定優(yōu)勢(shì)，國(guó)產(chǎn)廠商則依托本土化優(yōu)勢(shì)快速突圍，通過(guò)優(yōu)化供應(yīng)鏈、降低生產(chǎn)成本，在中低端市場(chǎng)形成強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，尤其在工業(yè)質(zhì)檢、電路板失效分析等場(chǎng)景中，憑借高性價(jià)比和快速響應(yīng)的服務(wù)搶占份額...

從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)微觀熱分析需求的深度洞察與持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。它既延續(xù)了通過(guò)紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過(guò)全尺度觀測(cè)、高靈敏度檢測(cè)、場(chǎng)景化分析等創(chuàng)新，突破了傳統(tǒng)技術(shù)的邊界。如今，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體失效分析、新材料熱特性研...

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長(zhǎng)度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴(yán)重。短溝道效應(yīng)會(huì)使得MOS管的漏結(jié)存在一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)，該電場(chǎng)會(huì)對(duì)載流子進(jìn)行加速，同時(shí)賦予載流子一個(gè)動(dòng)能，該載流子會(huì)造成中性的Si原子被極化，產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對(duì)，這種電子與空穴被稱...

同時(shí)，微光顯微鏡（EMMI）帶來(lái)的高效失效分析能力，能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段，快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題，可避免研發(fā)過(guò)程中的反復(fù)試錯(cuò)，加快產(chǎn)品從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)的速度。當(dāng)市場(chǎng)需求瞬息萬(wàn)變時(shí)，更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品，搶占市...

在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測(cè)集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對(duì)（ElectronHolePairs,EHP）的復(fù)合過(guò)程會(huì)伴隨光子（Pho...

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長(zhǎng)度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴(yán)重。短溝道效應(yīng)會(huì)使得MOS管的漏結(jié)存在一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)，該電場(chǎng)會(huì)對(duì)載流子進(jìn)行加速，同時(shí)賦予載流子一個(gè)動(dòng)能，該載流子會(huì)造成中性的Si原子被極化，產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對(duì)，這種電子與空穴被稱...

當(dāng)電子設(shè)備中的某個(gè)元件發(fā)生故障或異常時(shí)，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過(guò)高靈敏度的紅外探測(cè)器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號(hào)。這些探測(cè)器通常采用量子級(jí)聯(lián)激光器等先進(jìn)技術(shù)，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過(guò)對(duì)熱輻射信號(hào)的精細(xì)探測(cè)...