可控硅元件的三個(gè)電極分別為陽(yáng)極(Anode,簡(jiǎn)稱A)、陰極(Cathode,簡(jiǎn)稱K)和控制極(Gate,簡(jiǎn)稱G)。陽(yáng)極和陰極是可控硅元件的主要電流通路,而控制極則用于控制可控硅元件的導(dǎo)通和關(guān)斷。在正常工作情況下,陽(yáng)極和陰極之間施加正向電壓,控制極則用于施加觸發(fā)...
電壓比較器:電壓比較器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷号c參考電壓進(jìn)行比較的電路。當(dāng)輸入電壓超過(guò)參考電壓時(shí),電壓比較器會(huì)輸出一個(gè)高電平信號(hào),該信號(hào)可以觸發(fā)報(bào)警電路或切斷電源電路。在可控硅調(diào)壓模塊中,電壓比較器常被用作過(guò)壓檢測(cè)的重點(diǎn)元件,配合繼電器等執(zhí)行元件實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)功能。...
控制電路的工作原理涉及多個(gè)方面,包括信號(hào)的采集與處理、觸發(fā)信號(hào)的生成與輸出、以及可控硅元件的導(dǎo)通控制等。以下是對(duì)這些方面的詳細(xì)闡述:控制電路首先需要采集外部指令和反饋信號(hào)。外部指令可能來(lái)自控制系統(tǒng)或用戶輸入設(shè)備,而反饋信號(hào)則通常來(lái)自電壓傳感器或電流傳感器等。采...
在可控硅調(diào)壓模塊中,控制電路的作用類(lèi)似于人的大腦。它接收來(lái)自外部的信號(hào)(如電壓調(diào)節(jié)指令、負(fù)載電流變化信號(hào)等),并根據(jù)這些信號(hào)進(jìn)行相應(yīng)的處理和分析。然后,控制電路會(huì)生成一個(gè)合適的觸發(fā)信號(hào),并施加到可控硅元件的控制端。這個(gè)觸發(fā)信號(hào)的寬度(即脈寬調(diào)制)決定了可控硅元...
觸發(fā)角的定義:觸發(fā)角是指可控硅元件開(kāi)始導(dǎo)通的相位角,通常以交流電源的正弦波周期作為參考。觸發(fā)角的大小決定了可控硅元件在每個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通時(shí)間。輸出電壓的調(diào)節(jié):當(dāng)觸發(fā)角較小時(shí),可控硅元件在每個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通時(shí)間較長(zhǎng),負(fù)載上的平均電壓較高;反之,當(dāng)觸發(fā)角較大時(shí),可控硅...
減少N一區(qū)的電阻Rdr值,使高耐壓的IGBT也具有低的通態(tài)壓降。在柵極上加負(fù)電壓時(shí),MOSFET內(nèi)的溝道消失,PNP晶體管的基極電流被切斷,IGBT即關(guān)斷。以上就是晶閘管模塊和IGBT模塊的不同之處。晶閘管模塊強(qiáng)觸發(fā)的優(yōu)點(diǎn)晶閘管模塊相信大家都不陌生了,晶閘管模...
以觸發(fā)角θ=60°(導(dǎo)通角α=120°)為例,在正半周期內(nèi),晶閘管從60°電角度開(kāi)始導(dǎo)通,到180°電角度關(guān)斷,輸出電壓波形為60°~180°之間的正弦波部分,負(fù)半周期無(wú)輸出(半波電路)。此時(shí)電壓波形的幅值不變,但持續(xù)時(shí)間縮短,其有效值自然小于電源電壓有效值。...
提高信號(hào)采集與處理速度可以縮短控制電路的響應(yīng)時(shí)間,提高電壓調(diào)節(jié)的動(dòng)態(tài)性能。這可以通過(guò)選擇高速、高精度的傳感器和信號(hào)調(diào)理電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。使用高速、低噪聲的運(yùn)算放大器對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大和濾波處理;使用高速、高精度的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)進(jìn)行處理。優(yōu)化...
在晶閘管調(diào)壓模塊中,通常包含若干個(gè)晶閘管、移相觸發(fā)電路、保護(hù)電路和電源等組成部分。移相觸發(fā)電路負(fù)責(zé)根據(jù)輸入的控制信號(hào)(如4-20mA、0-10V等)產(chǎn)生相應(yīng)的觸發(fā)脈沖,以控制晶閘管的導(dǎo)通角。保護(hù)電路則用于監(jiān)測(cè)電路的工作狀態(tài),一旦出現(xiàn)過(guò)流、過(guò)熱、缺相等異常情況,...
電壓比較器:電壓比較器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷号c參考電壓進(jìn)行比較的電路。當(dāng)輸入電壓超過(guò)參考電壓時(shí),電壓比較器會(huì)輸出一個(gè)高電平信號(hào),該信號(hào)可以觸發(fā)報(bào)警電路或切斷電源電路。在可控硅調(diào)壓模塊中,電壓比較器常被用作過(guò)壓檢測(cè)的重點(diǎn)元件,配合繼電器等執(zhí)行元件實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)功能。...
穩(wěn)壓電路的作用是在輸入電源電壓波動(dòng)或負(fù)載變化時(shí),保持輸出直流電壓的穩(wěn)定。常見(jiàn)的穩(wěn)壓電路有線性穩(wěn)壓電路和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電路。線性穩(wěn)壓電路通過(guò)調(diào)整串聯(lián)在電源輸出回路中的調(diào)整管的導(dǎo)通程度,來(lái)保持輸出電壓的穩(wěn)定,其優(yōu)點(diǎn)是輸出電壓紋波小、精度高,但效率相對(duì)較低;開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電路則...
在智能照明系統(tǒng)中,控制電路還可以與其他智能設(shè)備(如傳感器、控制器等)進(jìn)行通信和聯(lián)動(dòng)控制,以實(shí)現(xiàn)更智能化的照明控制效果。在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中,可控硅調(diào)壓模塊被廣闊應(yīng)用于控制各種電動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)和調(diào)節(jié)各種工藝參數(shù)等方面。控制電路作為可控硅調(diào)壓模塊的重點(diǎn)組成部分,在這些應(yīng)...
而采用PWM技術(shù)的可控硅調(diào)壓模塊可以通過(guò)調(diào)整脈沖寬度來(lái)逼近正弦波輸出,從而減少諧波干擾,提高電網(wǎng)的電能質(zhì)量。在可控硅調(diào)壓模塊中,PWM信號(hào)通常由專門(mén)的PWM發(fā)生器或微處理器產(chǎn)生。這些硬件設(shè)備可以根據(jù)外部指令和反饋信號(hào)來(lái)產(chǎn)生精確的PWM信號(hào),并控制可控硅元件的導(dǎo)...
多個(gè)晶閘管通常會(huì)按照特定的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行連接,常見(jiàn)的有單相半波、單相全波、單相橋式以及三相橋式等連接方式。以單相橋式連接為例,四個(gè)晶閘管兩兩反并聯(lián)組成一個(gè)電橋結(jié)構(gòu),通過(guò)控制不同晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷順序和時(shí)間,實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電壓的有效調(diào)節(jié)。不同的連接方式適用于不同的...
智能晶閘管移相調(diào)壓模塊是在傳統(tǒng)晶閘管移相調(diào)壓模塊的基礎(chǔ)上,融合了先進(jìn)的微處理器技術(shù)、通信技術(shù)和智能控制算法而形成的新一代調(diào)壓模塊。其內(nèi)部除了包含晶閘管、移相觸發(fā)電路、保護(hù)電路和電源電路外,還集成了微控制器(如單片機(jī)、DSP等)作為重點(diǎn)控制單元。微控制器通過(guò)對(duì)各...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,可控硅調(diào)壓模塊以其高效、穩(wěn)定、準(zhǔn)確的電壓調(diào)節(jié)能力,成為眾多電子設(shè)備中不可或缺的一部分。這一技術(shù)不僅廣闊應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域,還逐漸滲透到民用設(shè)備中,對(duì)電壓的準(zhǔn)確管理和優(yōu)化起到了至關(guān)重要的作用。可控硅調(diào)壓模塊是一種利用可控硅元件的導(dǎo)通特性,通...
混合觸發(fā)電路的重點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括數(shù)字控制單元、D/A轉(zhuǎn)換電路、模擬觸發(fā)脈沖生成電路和驅(qū)動(dòng)隔離環(huán)節(jié)。數(shù)字控制單元根據(jù)輸入的控制信號(hào)和同步信息,通過(guò)數(shù)字算法計(jì)算出目標(biāo)觸發(fā)角,并將其轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的模擬電壓信號(hào)(通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器)。該模擬電壓信號(hào)送入模擬觸發(fā)脈沖生成電路,替代...
模塊內(nèi)部預(yù)先設(shè)置多個(gè)電壓檔位,每個(gè)檔位對(duì)應(yīng)一個(gè)固定的觸發(fā)角,通過(guò)開(kāi)關(guān)量信號(hào)的不同組合來(lái)選擇檔位。例如,采用3位開(kāi)關(guān)量信號(hào)(A、B、C),可組合成8種狀態(tài),對(duì)應(yīng)8個(gè)電壓檔位。每個(gè)檔位的觸發(fā)角在模塊出廠前通過(guò)校準(zhǔn)確定,如狀態(tài)000對(duì)應(yīng)觸發(fā)角180°(電壓0V),狀...
一旦邏輯判斷電路判斷出異常情況,將立即切斷可控硅元件的供電或觸發(fā)信號(hào),實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。反饋電路用于將輸出電壓與設(shè)定值進(jìn)行比較,根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)精確的電壓調(diào)節(jié)。反饋電路通常由電壓傳感器、比較器和調(diào)節(jié)器等組成。電壓傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸出電壓,將監(jiān)測(cè)到的信號(hào)...
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,可控硅調(diào)壓模塊可用于各種電動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)和調(diào)節(jié)裝置中。在機(jī)器人、數(shù)控機(jī)床等設(shè)備的電源控制中,可控硅調(diào)壓模塊能夠提供穩(wěn)定可靠的電壓輸出,可控硅元件,又稱可控硅整流元件或硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,簡(jiǎn)稱SCR...
根據(jù)可控硅元件的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)合的不同,可以將其分為多種類(lèi)型。其中較常見(jiàn)的兩種類(lèi)型是單向可控硅和雙向可控硅。單向可控硅是較常見(jiàn)的可控硅元件類(lèi)型,它只允許電流在一個(gè)方向上流通。單向可控硅的結(jié)構(gòu)與普通的PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相同,但其在正向電壓作用下才能導(dǎo)通。在...
數(shù)字觸發(fā)電路的工作流程可分為信號(hào)采樣、相位計(jì)算、脈沖生成三個(gè)階段。首先,ADC對(duì)輸入的控制信號(hào)(如0 - 10V電壓或4 - 20mA電流)和同步信號(hào)(如電源過(guò)零信號(hào))進(jìn)行高速采樣,將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字量。同步信號(hào)采樣的精度直接影響相位控制的基準(zhǔn),通常采用過(guò)零...
過(guò)溫保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)方式通常基于溫度傳感器和溫度控制器等元件。溫度傳感器用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)可控硅元件及其相關(guān)電路的溫度,并將溫度信號(hào)傳遞給溫度控制器。溫度控制器在接收到信號(hào)后會(huì)根據(jù)預(yù)設(shè)的溫度閾值進(jìn)行判斷,并采取相應(yīng)的保護(hù)措施。在可控硅調(diào)壓模塊中,常見(jiàn)的溫度傳感器包括熱...
單相晶閘管移相調(diào)壓模塊主要由單個(gè)或多個(gè)晶閘管、移相觸發(fā)電路、保護(hù)電路以及電源電路等部分組成。其工作原理基于晶閘管的可控導(dǎo)通特性,通過(guò)移相觸發(fā)電路精確控制晶閘管的導(dǎo)通角,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)單相交流電壓的調(diào)節(jié)。在結(jié)構(gòu)上,該模塊通常采用緊湊的封裝形式,將各個(gè)功能電路集成在一...
晶閘管智能模塊在電機(jī)調(diào)速中的應(yīng)用晶閘管智能模塊是新一代電力調(diào)控產(chǎn)品,它將晶閘管智能模塊和移相觸發(fā)電路集成為一體,具有使用方便、穩(wěn)定可靠、節(jié)材節(jié)能等優(yōu)點(diǎn),能降低用戶系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)及使用成本,主要應(yīng)用于交直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速及穩(wěn)定電源等領(lǐng)域。晶閘管智能模塊按主電路形式可分...
智能晶閘管移相調(diào)壓模塊是在傳統(tǒng)晶閘管移相調(diào)壓模塊的基礎(chǔ)上,融合了先進(jìn)的微處理器技術(shù)、通信技術(shù)和智能控制算法而形成的新一代調(diào)壓模塊。其內(nèi)部除了包含晶閘管、移相觸發(fā)電路、保護(hù)電路和電源電路外,還集成了微控制器(如單片機(jī)、DSP等)作為重點(diǎn)控制單元。微控制器通過(guò)對(duì)各...
數(shù)字觸發(fā)電路的典型是基于DSP的三相觸發(fā)系統(tǒng),其利用DSP的高速運(yùn)算能力和多通道定時(shí)器資源,可同時(shí)對(duì)三相電源進(jìn)行同步控制和觸發(fā)脈沖生成。通過(guò)坐標(biāo)變換算法(如Clark變換和Park變換)將三相交流信號(hào)轉(zhuǎn)換為直流控制量,實(shí)現(xiàn)更精確的相位計(jì)算和平衡控制。這種數(shù)字化...
它在電加熱爐中也發(fā)揮著重要的作用,通過(guò)電控儀表的溫度傳感器來(lái)采集爐內(nèi)溫度,然后再由恒溫儀表來(lái)控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓,形成一個(gè)溫度閉環(huán)系統(tǒng),來(lái)保持爐內(nèi)溫度恒定。下面正高電氣就來(lái)說(shuō)說(shuō)晶閘管模塊在電加熱爐中的作用。晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器...
IGBT芯片通常由N型和P型半導(dǎo)體材料組成,它們交替排列形成PN結(jié),通過(guò)控制PN結(jié)的導(dǎo)電狀態(tài),可以實(shí)現(xiàn)IGBT芯片的開(kāi)關(guān)控制。IGBT芯片的性能和參數(shù)對(duì)晶閘管模塊的性能和參數(shù)有著重要的影響。驅(qū)動(dòng)器是將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成IGBT芯片的開(kāi)關(guān)信號(hào)的電路,它通常由隔離變壓...
以單相橋式可控整流電路帶阻性負(fù)載為例,詳細(xì)分析導(dǎo)通角控制改變輸出電壓有效值的具體過(guò)程。假設(shè)輸入交流電源電壓為u=U?sinωt,負(fù)載電阻為R,觸發(fā)角為θ,導(dǎo)通角α=π-θ。在電源電壓的正半周(0~π),當(dāng)ωt=θ時(shí),觸發(fā)電路向?qū)?yīng)的兩個(gè)晶閘管施加觸發(fā)脈沖,晶閘...