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濾波就是充電，放電的過程。起到穩定輸出電壓的作用。電容是電路設計中是為普通常用的器件，是無源元件之一，有源器件簡單地說就是需能（電）源的器件叫有源器件， 無需能（電）源的器件就是無源器件。電容也常常在高速電路中扮演重要角色。電容的耦合又稱“電場耦合” 耦合是指...

時鐘振蕩器的原理主要有由電容器和電感器組成的LC回路，通過電場能和磁場能的相互轉換產程自由振蕩。要維持振蕩還要有具有正反饋的放大電路，LC振蕩器又分為變壓器耦合式和三點式振蕩器，很多應用石英晶體的石英晶體振蕩器，還有用集成運放組成的LC振蕩器。由于器件不可能參...

控制電路為一脈沖寬度調制器，它主要由取樣器、比較器、振蕩器、脈寬調制及基準電壓等電路構成。這部分電路目前已集成化，制成了各種開關電源用集成電路。控制電路用來調整高頻開關元件的開關時間比例，以達到穩定輸出電壓的目的。控制電路為一脈沖寬度調制器，它主要由取樣器、比...

半導體分立器件如何分類？分立器件當燃是二極管，三極管，MOS晶體管，JFET晶體管幾大類了如果細分的話，如晶閘管，快速二極管等，就得看半導體器件相關的書了當然也可以包括電阻，電感，電容，這是分立器件，不是半導體分立器件。半導體IC芯片是什么，有什么用途？集成電...

現在普遍利用的都是串聯穩壓電路。為簡單的串聯晶體管穩壓電路。調整管T與負載電阻R。相串聯，當由于供電或用電發生變化引起電路輸出電壓波動時，它都能及時地加以調節，使輸出電壓保持基本穩定，因此它被稱做調整管。穩壓管Dz為調整管提供基準電壓，使調整管基極電位不變。R...

8、外延型二極管用外延面長的過程制造 PN 結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。9、肖特基二極管基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N 型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反...

時鐘振蕩器是利用了晶體的壓電效應制造的，當在晶片的兩面上加交變電壓時，晶片會反復的機械變形而產生振動，而這種機械振動又會反過來產生交變電壓。晶體振蕩器，以下簡稱晶振，是利用了晶體的壓電效應制造的，當在晶片的兩面上加交變電壓時，晶片會反復的機械變形而產生振動，而...

線性穩壓器（Linear Regulator）使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。其產品均采用小型封裝，具有出色的性能，并且提供熱過載保護、安全限流等增值特性，關斷模式還能大幅降低功耗。實際的線性...

1N4007的正向壓降為1.0V、較大正向平均整流電流為1.0A、較高反向耐壓為1000V、A105J2ZQ004反向漏電流為5 p,A（較大值）、較大反向峰值電流為30pA，正向壓降是指使二極管能夠導通的正向較低電壓，1N4007是一種硅材料整流二極管，在小...

開關電源中常用，快速恢復整流二極管、超快速恢復整流二極管、肖特基整流二極管特點：正向壓降低、快速恢復的特點，輸出功率較大快速恢復和超快恢復整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，壓降范圍大約是0.8～1.2V。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數。主要在小...

晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路，為輸入電壓信號，它接入基極-發射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發射極回路，稱為輸出回路。由于發射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態的外部條件是發射結正偏且集電結反向偏...

電容的種類可以從原理上分為：無極性可變電容、無極性固定電容、有極性電容等，從材料上可以分為：CBB電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨石電容、電解電容、鉭電容等[3]。無極性可變電容制作工藝：可旋轉動片為陶瓷片表面鍍金屬薄膜，定片為鍍有金屬膜的陶瓷...

整流二極管是一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。這里我們來聊一聊關于整流二極管的作用是什么,整流二極管的作用具有非常明顯的單向導電性，在電路中，電流只能從二...

線性穩壓器的應用線性穩壓器的主要應用體現在以下幾個方面：1. 簡單/低成本的解決方案。線性穩壓器和LDO簡單易用，特別適合于那些具有低輸出電流、熱應力不很關鍵的低功率應用。無需外部功率電感器。2. 低噪聲/低紋波應用。對于那些對噪聲敏感的應用（例如：通信和無線...

去藕電容：去耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象，去耦電容相當于電池，利用其充放電，使得放大后的信號不會因電流的突變而受干擾。它的容量根據信號的頻率、抑制波紋程度而定，去藕電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。旁路電容...

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反...

二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體形成的 p-n 結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于 p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏...

開關電源中常用，快速恢復整流二極管、超快速恢復整流二極管、肖特基整流二極管特點：正向壓降低、快速恢復的特點，輸出功率較大快速恢復和超快恢復整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，壓降范圍大約是0.8～1.2V。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數。主要在小...

電容（Capacitance）亦稱作“電容量”，是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為C，國際單位是法拉（F）。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。電容是指容...

線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的較小值。正輸出電壓的 LDO（低壓降）穩壓器通常使...

去耦電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾，在電路中進一步減小電源與參考地之間的高頻干擾阻抗。將旁路電容和去耦電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提供一條...

旁路電容：旁路電容，又稱為退耦電容，是為某個器件提供能量的儲能器件，它利用了電容的頻率阻抗特性（理想電容的頻率特性隨頻率的升高，阻抗降低），就像一個水塘，它能使輸出電壓輸出均勻，降低負載電壓波動。 旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳，這是阻抗要求...

用數字萬用表檢測電容器，可按以下方法進行。一、用電容檔直接檢測某些數字萬用表具有測量電容的功能，其量程分為2000p、20n、200n、2μ和20μ五檔。測量時可將已放電的電容兩引腳直接插入表板上的Cx插孔，選取適當的量程后就可讀取顯示數據[4]。2000p檔...

NPN旁路晶體管穩壓器是一種不錯的選擇，對于嵌入式應用而言，因為它壓差小，容易使用。不過這種穩壓器仍不適合具有很低壓差要求的電池供電設備使用，因為它壓差不夠低。高增益NPN旁路管可使接地電流穩定在幾個毫安，而且它公共發射極結構具有很低的輸出阻抗。其中的旁路元件...

12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電...

整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。正向導通狀態：電流只能從二極管的正極流入，負極流...

1，相互靠近，彼此絕緣的兩個金屬構成了電容器。2，由于正負電荷間相互吸引，電容器具有了容納電荷的能力。3，電容器的大小由電容器構造決定：兩個金屬的正對面積、相互的距離、絕緣材料的好壞）電容器的作用：1，隔直通交實際運用中電容器具有隔斷直流電通過交流電的性質。（...

低頻瓷介電容符號：CT電容量：10p--4.7u額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差應用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容符號：CI電容量：10p--0.1u額定電壓：63--400V主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）...

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子導電的...

線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，從應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的較小值。正輸出電壓的 LDO（低壓降）穩壓器通常使...