晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點,自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。 晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問,存在導通角,負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。 模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。河南雙向晶閘管模塊 ...
5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導通的器件,它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力,因而被應用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補償(SVC)等領域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關斷時間(10~15s)而主要用于中頻感應加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內。7非對稱晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯...
額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時,會產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時,一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否...
強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...
三)按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘...
特點:1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構,優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷,400A以上模塊既可選用風冷,也可選用水冷5、安裝簡單,使用維修方便典型應用:1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、如果產(chǎn)品裝機配型不適用,可退換貨給您滿意貼心的服務,是我們一貫的宗旨!有10多年功率半導體元器件制造經(jīng)驗,是專業(yè)從事功率半導體器件的研發(fā)、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****,多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產(chǎn)化工作。我公司的...
它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓,從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強型的區(qū)別在感性負載的場合,當LSR由通態(tài)關斷時,由于電流、電壓的相位不一致,將產(chǎn)生一個很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài),只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯(lián)構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了...