15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的 PN 結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為 RC 時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。只做原裝，控制芯片，選深圳市凱軒業科技有限公司。質量通用二極管廠家供應

橋式整流電路是使用較多的一種整流電路。這種電路,只要增加兩只二極管口連接成"橋"式結構,便具有全波整流電路的優點,而同時在一定程度上克服了它的缺點。橋式整流電路的工作原理如下:e2為正半周時,對D1、D3和方向電壓,Dl,D3導通;對D2、D4加反向電壓,D2、D4截止。電路中構成e2、Dl、Rfz 、D3通電回路,在Rfz ,上形成上正下負的半波整洗電壓,e2為負半周時,對D2、D4加正向電壓,D2、D4導通;對D1、D3加反向電壓,D1、D3截止。電路中構成e2、D2Rfz 、D4通電回路,同樣在Rfz 上形成上正下負的另外半波的整流電壓質量通用二極管廠家供應廠家直銷，原裝控制芯片就選凱軒業科技。

二極管的工作原理晶體二極管為一個由 p 型半導體和 n 型半導體形成的 p-n 結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于 p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流 I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n 結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。

12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電流和電壓關系上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。使用穩壓二極管的關鍵是設計好它的電流值。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。控制芯片原裝選深圳市凱軒業科技有限公司。

1N4007的正向壓降為1.0V、較大正向平均整流電流為1.0A、較高反向耐壓為1000V、A105J2ZQ004反向漏電流為5 p,A（較大值）、較大反向峰值電流為30pA，正向壓降是指使二極管能夠導通的正向較低電壓，1N4007是一種硅材料整流二極管，在小功率情況下正向導通電壓約為0.6～0.8 V，在大功率情況下，正向壓降往往達到1V左右；2，平均整流電流是指二極管長期工作時允許通過的較大正向平均電流；3，較高反向耐壓是指當二極管反向偏置時，允許加在二極管兩端的反向電壓的較大值，當高于這個數值時，會將二極管擊穿，在交流通路中是指反復加上的峰值電壓，在直流通路中是指連續加上的直流電壓；控制芯片原裝廠家直銷選凱軒業電子科技有限公司。質量通用二極管廠家供應

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二極管的特性與應用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生較早的半導體器件之一，其應用也非常擴大。二極管的應用1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。質量通用二極管廠家供應