光刻是生產半導體元件時的一個工業步驟，該步驟將印在光掩膜上的外形結構轉移到基質的表面上。光刻與印刷術中的平版印刷的工藝過程類似。基質一般是硅、砷化鎵晶體的芯片，也可以是其他半導體的芯片。玻璃、藍寶石或者金屬也可以作為基質。 光刻的優點在于它可以精確地控制形成的形狀的大小和樣子，此外它可以同時在整個芯片表面產生外形輪廓。它**主要得缺點在于它必須在平面上使用，在不平的表面上它的效果不很好，此外它要求極其高的清潔條件。在生產復雜的集成電路的過程中一塊芯片可能經過50多次光刻。在生產薄膜晶體管的過程中所需要的光刻過程要少得多廣東光刻報價

EUV技術慢慢開始替代了一部分的浸沒式光刻，EUV技術以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm，它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。EUV光刻所能提供的高分辨率已經被實驗所證實。光刻機供應商已經分別實現了20nm和14nm節點的SRAM的曝光，并與193i曝光的結果做了對比。顯然，即使是使用研發機臺，EUV曝光的分辨率也遠好于193i。14nm節點圖形的曝光聚焦深度能到達250nm以上。甘肅質量光刻

雖然浸入式光刻已受到很大的關注，但仍面臨巨大挑戰，浸入式光刻的挑戰在于控制由于浸入環境引起的缺點，包括氣泡和污染;抗蝕劑與流體或面漆的相容性，以及面漆的發展;抗蝕劑的折射指數大于1.8;折射指數大于1.65的流體滿足粘度、吸收和流體循環要求;折射指數大于1.65的透鏡材料滿足透鏡設計的吸收和雙折射要求。 光蝕刻系統制造的精細程度取決于很多因素。但是實現跨越性進步的有效方法是降低使用光源的波長，光刻機廠商們就是這么做的，他們將晶圓曝光工具從人眼可見的藍光端開始逐漸減小波長，直到光譜上的紫外線端。

浸沒式光刻的原理 浸沒式光刻技術需要在光刻機投影物鏡***一個透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體。浸沒式光刻機工作時并不是把晶圓完全浸沒在水中，而只是在曝光區域與光刻機透鏡之間充滿水。光刻機的鏡頭必須特殊設計，以保證水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動，沒有泄露;水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下，水的折射率是1.44，可以實現NA大于1。 此技術在原來的193nm干式光刻技術平臺之上，因為此種技術的原理清晰及配合現有的光刻技術變動不大，獲得了人們的極大贊賞。

常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。 ①光復印工藝：經曝光系統將預制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光致抗蝕劑薄層上。 ②刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復進行。 正規光刻報價

廣東光刻報價

光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。 隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。廣東光刻報價

蘇州原位芯片科技有限責任公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在江蘇省蘇州市等地區的儀器儀表行業中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發展奠定的良好的行業基礎，也希望未來公司能成為*****，努力為行業領域的發展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態度和不斷的完善創新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業精神將**蘇州原位芯片科技和您一起攜手步入輝煌，共創佳績，一直以來，公司貫徹執行科學管理、創新發展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協同奮取，以品質、服務來贏得市場，我們一直在路上！