磁控濺射鍍膜（MSP）是一種先進的表面裝飾鍍膜技術，膜材做成陰極圓柱磁控旋轉靶置于鍍膜室**，通入工作氣體，在電壓（直流或脈沖）作用下產生真空輝光放電，360℃方向輻射鍍膜。靶材利用率高，工作溫度低，可用于金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷等）工件鍍制鋁、銅、鉻、鎳、鈦、金、銀以及不銹鋼等薄膜，通入反應氣體可鍍多種化合物膜，鍍膜層具有均勻、致密、附著力強、繞射性好等特點，***用于家用電器、鐘表、工藝美術、玩具、車燈反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜。江蘇磁控濺射哪家強

磁控濺射設備的主要用途 （1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉換效率。 （2）裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。 （3） 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機 （4）化學氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。 （5） 在光學領域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃目前廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。 （6）在機械加工行業中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術自問世以來得到長足發展，能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能，從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命黑龍江磁控濺射報價

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。

采用磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調節并控制，因此膜厚的可控性和重復性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。 濺射原子能量比蒸發原子能量高1-2個數量級。高能量的濺射原子沉積在基片上進行的能量轉換比蒸發原子高得多，產生較高的熱能，部分高能量的濺射原子產生不同程度的注入現象，在基片上形成一層濺射原子與基片原了相互溶合的偽擴散層，而且，在成膜過程中基片始終在等離子區中被清洗和***，***了附著力不強的濺射原子，凈化且***基片表面，增強了濺射原子與基片的附著力，因而濺射鋁膜與基片的附著力較高。

電子束蒸發和磁控濺射制Al膜是半導體器件電極制備生產中常用的兩種方法，通過理論與實驗分析，并對樣品進行了膜厚、附著力、致密性，電導率、折射率等指標的綜合測試，實驗表明：電子束蒸發制得的Al薄膜厚度的可控性和重復性較差及分散度較大鋁薄膜與Si基片的附著力較小;鋁薄膜的晶粒雖小，但很疏松，導致其致密性較差;鋁膜的電導率、折射率較塊狀鋁材小得多。而磁控濺射制得的鋁膜的性能指標則比電子束蒸發的指標優越。實踐證明，磁控濺射方法制備的鋁薄膜的綜合性能優于電子束蒸發，所以在生產實踐中絕大多數采用磁控濺射沉積半導體電極材料，這也是半導體行業中薄膜行業的發展方向。浙江磁控濺射規格齊全

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為了解決陰極濺射的缺點，人們在20世紀70年***發出了直流磁控濺射技術，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點，因而獲得了迅速發展和廣泛應用。 其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生***的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般*為20%-30%。江蘇磁控濺射哪家強

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