南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可進行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳納米管等半導體器件的工藝流片，晶片加工尺寸覆蓋不規則片、3寸晶圓片以及4寸晶圓片。公司的加工流片技術具有多項先進的特點和優勢。首先，公司采用了先進的工藝設備，保證了工藝的穩定性。其次，公司擁有豐富的流片加工經驗，能夠根據客戶的需求進行流片加工和定制化開發。再次，公司注重研發創新，不斷引入先進的材料和技術，提升性能。同時，公司具備較為完備的檢測能力，可以確保產品的質量。研究院將不斷提高研發水平和服務能力，確保客戶滿意。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務。河北SBD器件及電路芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺可為客戶提供全流程芯片制造工藝技術服務。平臺擁有先進的設備和專業的團隊，通過多道工藝環節，包括光刻、金屬化、高溫處理、鍵合等，提供技術支持，幫助客戶實現芯片從設計到制造的全過程。該技術服務平臺的優勢在于，能夠為客戶提供高效、準確、定制化的服務。不論是在工藝的選擇，還是在設備操作和技術咨詢方面，平臺都能夠全力滿足客戶的需求。從技術咨詢，到流片調試、產品測試，研究院將貼心地為客戶提供技術服務。河北SBD器件及電路芯片加工芯谷高頻研究院可進行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳納米管等半導體器件的工藝流片。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺在背面工藝方面，擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等，可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。公司公共技術服務平臺支持晶圓鍵合工藝，可以支持6英寸及以下晶圓的鍵合，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達到2um。鍵合工藝可以將不同的晶圓材料組合在一起，從而制造出具有更高性能的芯片。憑借研究院的技術實力和專業的服務團隊，公共技術服務平臺將為客戶提供更加優良的技術服務，不斷創新晶圓鍵合工藝，助力高科技產業的發展。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質集成工藝服務，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類晶圓及非標準片鍵合服務；2）襯底減薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級精細拋光服務。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的多種異質集成技術服務包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進的技術和設備，以滿足客戶的不同需求。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品開發服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是專業從事定制化芯片研發的企業。公司為客戶提供芯片設計、芯片流片、芯片測試等服務。研究院技術團隊的工程師和設計師擁有豐富的經驗，能夠將客戶的需求轉化為創新的解決方案。同時，公司還提供單步或多步工藝開發服務，使客戶能夠在短期內實現技術或產品開發。公司的優勢在于能夠提供高質量的芯片研發服務，為客戶提供了一站式的解決方案。公司的服務團隊將與客戶緊密合作，確保成功開發和交付。無論是從芯片設計到芯片測試，公司都致力于給客戶帶來優良的解決方案，為客戶的業務發展提供支持。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務。山西微波毫米波器件及電路芯片定制開發

芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產品可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料熱物性測試。河北SBD器件及電路芯片加工

1)南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司太赫茲放大器系列產品，是一項可提供太赫茲芯片解決方案的創新科技成果。太赫茲技術是一項近年來備受關注的前沿技術，具有廣泛的應用潛力。作為具有核心競爭力的創新科技企業，公司依托其強大的研發實力和創新能力，成功地實現了太赫茲芯片的自主研發。太赫茲放大器系列產品的應用前景廣闊，太赫茲技術在通訊、安全檢測、材料表征等眾多領域都具有重要意義。公司將繼續不斷創新，推動太赫茲行業的發展。河北SBD器件及電路芯片加工