蝕刻是芯片生產過程中重要操作，也是芯片工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光并配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。接下來停止光照并移除遮罩，使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。然后，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以制造出N井或P井，結合上面制造的基片，芯片的門電路就完成了。半導體硅片制造包括硅單晶生長、切割、研磨、拋光、研磨、清洗、熱處理、外延、硅片分析等多個環節。黑龍江生物芯片半導體器件加工實驗室

傳感MEMS技術是指用微電子微機械加工出來的、用敏感元件如電容、壓電、壓阻、熱電耦、諧振、隧道電流等來感受轉換電信號的器件和系統。它包括速度、壓力、濕度、加速度、氣體、磁、光、聲、生物、化學等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器、諧振力敏感傳感器、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等。傳感器的發展方向是陣列化、集成化、智能化。由于傳感器是人類探索自然界的觸角，是各種自動化裝置的神經元，且應用領域普遍，未來將備受世界各國的重視。湖北集成電路半導體器件加工平臺MEMS器件以硅為主要材料。

半導體硅片生產工藝：首先將多晶硅和摻雜劑放入單晶爐內的石英坩堝中，將溫度升高至1420℃以上，得到熔融狀態的多晶硅。其中，通過調控放入摻雜劑的種類（B、P、As、Sb）及含量，可以得到不同導電類型及電阻率的硅片。待多晶硅溶液溫度穩定之后，將籽晶緩慢下降放入硅熔體中（籽晶在硅融體中也會被熔化），然后將籽晶以一定速度向上提升進行引晶過程。隨后通過縮頸操作，將引晶過程中產生的位錯消除掉。當縮頸至足夠長度后，通過調整拉速和溫度使單晶硅直徑變大至目標值，然后保持等徑生長至目標長度。較后為了防止位錯反延，對單晶錠進行收尾操作，得到單晶錠成品，待溫度冷卻后取出。

微機械是指利用半導體技術（特別是平板印制術，蝕刻技術）設計和制造微米領域的三維力學系統，以及微米尺度的力學元件的技術。它開辟了制造集成到硅片上的微米傳感器和微米電機的嶄新可能性。微機械加工技術的迅速發展導致了微執行器的誕生。人們在實踐中認識到，硅材料不只有優異的電學和光學性質。微機械加工技術的出現，使得制作硅微機械部件成為可能。MEMS器件芯片制造與封裝統一考慮。MEMS器件與集成電路芯片的主要不同在于：MEMS器件芯片一般都有活動部件，比較脆弱，在封裝前不利于運輸。所以，MEMS器件芯片制造與封裝應統一考慮。封裝技術是MEMS的一個重要研究領域，幾乎每次MEMS國際會議都對封裝技術進行專題討論。半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。

半導體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。導體電鍍設備主要分為前道銅互連電鍍設備和后道先進封裝電鍍設備。前道銅互連電鍍設備針對55nn、40nm、28nm及20－14nm以下技術節點的前道銅互連鍍銅技術UltraECPmap，主要作用在晶圓上沉淀一層致密、無孔洞、無縫隙和其他缺陷、分布均勻的銅；后道先進封裝電鍍設備針對先進封裝電鍍需求進行差異化開發，適用于大電流高速電鍍應用，并采用模塊化設計便于維護和控制，減少設備維護保養時間，提高設備使用率。晶圓制造是指在硅晶圓上制作電路與電子元件如電晶體、電容體、邏輯閘等，整個流程工藝復雜。河南醫療器械半導體器件加工公司

MEMS制造是基于半導體制造技術上發展起來的。黑龍江生物芯片半導體器件加工實驗室

半導體器件生產工藝說明：①鑄錠：首先需要加熱砂以分離一氧化碳和硅，重復該過程，直到獲得超高純電子級硅（EG-Si）。高純度硅熔化成液體，然后凝固成單晶固體形式，稱為“錠”，這是半導體制造的第一步。硅錠（硅柱）的制造精度非常高，達到納米級。②鑄錠切割：上一步完成后，需要用金剛石鋸將錠的兩端切掉，然后切成一定厚度的片。錠片的直徑決定了晶片的尺寸。更大更薄的晶圓可以分成更多的單元，這有助于降低生產成本。切割硅錠后，需要在切片上加上“平坦區域”或“縮進”標記，以便在后續步驟中以此為標準來設定加工方向。黑龍江生物芯片半導體器件加工實驗室