氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無機化工產品，其分子式為HfO2，分子量為210.4888。產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發展的尺寸極限問題。氧化鉿是什么顏色的？河北氧化鉿理化性質
化學性質氧化鉿的化學性質與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關，煅燒溫度越高，化學活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發生反應，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中。在11Chemicalbook00℃下，氧化鉿與鉿酸鋰。在高于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達到HfO(OH)2，再升高溫度即轉換為氧化鉿。遼寧化學試劑氧化鉿氧化鉿的分子量是多少？
應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩定，因此在原子能工業中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。
基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結構密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發溫度~2600~2800℃，基片溫度~250℃，蒸發速率2nm/s應用領域:UV增透膜，干涉膜氧化鉿是指二氧化鉿嗎？
性質白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。
應用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統SiO?/Si結構的發展的尺寸極限問題。 氧化鉿的化學式是多少？有名的氧化鉿價格
氧化鉿的重原子數量？河北氧化鉿理化性質
氧化鉿用途與合成方法物理性質氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續加熱至1000~1650℃發生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數α相應從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結構轉化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。河北氧化鉿理化性質