光電流指在入射光照射下光電探測器所產生的光生電流，暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機的靈敏度大小，是探測器的主要指標之一。暗電流主要包括以下幾種：①耗盡區中邊界的少子擴散電流;②載流子的產生-復合電流，通過在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效減小載流子的產生-復合電流，通常對于高純度的單晶硅產生-復合電流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏電流，在制造工藝結束時，對芯片表面進行鈍化處理，可以將表面漏電流降低到1011A/nm2量級。當然，暗電流也受探測器工作溫度和偏置電壓的影響。探測器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：a暗電流噪聲：對于一個光電探測器來講，可接收的光功率是由探測器的暗電流大小決定的，所以減小探測器的暗電流能提高光接收機的靈敏度;b散粒噪聲：當探測器接收入射光時，散粒噪聲就產生于光子的產生-復合過程中。由于光生載流子的數量變化規律服從泊松統計分部，所以光生載流子的產生過程存在散粒噪聲;c熱噪聲：由于導體中電子的隨機運動會產生導體兩端電壓的波動，因此就會產生熱噪聲。APD雪崩二極管在很多地方使用于雷達、通信、遙控、遙測、儀器儀表中。深圳高靈敏度光電探測器24小時服務

1873年，英國W.史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。深圳相干接收機光電探測器銷售PIN優點在于響應度高響應速度快，頻帶也較寬工作電壓低。

光電三級管與光電二極管比較，光電三級管輸出電流較大，一般在毫安級，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場合。光電三極管有pnp和npn型兩種結構，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結構、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結構和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結面積的大小和基極引線的設置上和普通晶體管不同。因為光電三極管要響應光輻射，受光面即集電結（bc結）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設置引線進行電控制，也可以不設，完全同光一控制。它的工作原理是工作時各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結反偏置，發射正偏聽偏置。由于集電結是反偏壓，在結區有很強的內建電場，對3DU管來講，內建電場方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。

現代光電子系統非常復雜，但它的基本組成可用待傳送信號經過編碼器編碼后加到調制器上去調制光源發出的光，被調制后的光由發射光學系統發送出去.發射光學系統又稱為發射天線，因為光波是一種電磁波，發射光學系統所起的作用和無線電發射天線所起的作用完全相同.發送出去的光信號經過傳輸介質，如大氣等，到達接收端.由接收光學系統或接收天線將光聚焦到光電探測器上，光電過長距離傳輸后會衰減，使接收到的信號一般很弱，因此需要用前置放大器將其放大，然后進行解碼，還原成發送端原始的待傳送信號，然后由終端顯示器顯示出來.光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號，光電探測器不僅要和被測信號、光學系統相匹配，而且要和后續的電子線路在特性和工作參數上相匹配，使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態。現將光電探測器件的應用選擇要點歸納如下：光電探測器必須和輻射信號源及光學系統在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段，則選用光電倍增管或專門的紫外光電半導體器件；如果信號是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。光電探測器能把光信號轉換為電信號。30GHZ APD光電探測器價格比較

APD適用于接收靈敏度要求高的長距離傳輸和高速率通信系統。深圳高靈敏度光電探測器24小時服務

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內有較高的量子效率，因而在各種工業控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在國民經濟的各個領域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。深圳高靈敏度光電探測器24小時服務

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