晶閘管模塊的類型
晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
根據封裝工藝的不同,晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。
晶閘管模塊可分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX);普通整流模塊(MDC);普通晶閘管、整流混合模塊(MFC);快速晶閘管、整流混合模塊(MKC\MZC);非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG);三相整流橋輸出晶閘管模塊(MDS);單相(三相)整流橋模塊(MDQ);單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)。 正高電氣建立雙方共贏的伙伴關系是我們孜孜不斷的追求。內蒙古工業(yè)窯爐晶閘管智能模塊
VDRM)的計算:由公式:Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT(AV)的計算:由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據公式:Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT(AV)=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產品注意事項:l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件,使用時必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后,在模塊底板上均勻涂上(采用滾柱來回滾動涂抹)導熱硅脂,導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊,檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負載)額定電流就會下降。l散熱器與模塊接觸面應平整,散熱器的平面度≤(1),確保良好的熱傳導,電極與銅排連接時。河南反并聯(lián)晶閘管模塊價格正高電氣公司將以質量的產品,完善的服務與尊敬的用戶攜手并進!
即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機中,如應用于點焊、電阻焊機中的晶閘管模塊MTX系列;應用于CO2氣體保護焊機、WSM普通焊機等MTG系列模塊。各焊機應用晶閘管模塊在下表中簡述:整機種類使用模塊常見主回路形式電路特點S可控硅直流氬弧焊機MFG單相全波整流CO2氣保焊機MDG雙反星并聯(lián)(帶平衡電抗器)CO2氣保焊機MTG雙反星并聯(lián)(帶平衡電抗器)逆變焊機變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點焊機MTXMTC電子開關三、CO2焊機**晶閘管MTG模塊:l模塊內部電路圖:l焊機**MTG模塊特點簡介:2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結構組件。模塊內管芯參數(shù)針對焊機特點專門設計,額定結溫高、通態(tài)壓降低、通流和過載能力強動態(tài)性能的一致性好、耐疲勞性強,免除螺栓式晶閘管裝機前參數(shù)挑選和配對的難題,提高工效。2焊機目前正朝模塊化方向發(fā)展,而且由于裝配,調試,維修簡單;整機裝置美觀大方等優(yōu)點;能明顯地提升焊機品位,因此模塊應用會越來越。l適用焊機典型主回路形式:適用于雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器電路l焊機額定輸出電流對模塊的選擇:見下表焊機型號適用主回路焊機額定輸出電流MTGMTG。
晶閘管模塊電流規(guī)格的選取
1、根據負載性質及負載額定電流進行選取
(1)電阻負載的較大電流應是負載額定電流的2倍。
(2)感性負載的較大電流應為額定負載電流的3倍。
(3)負載電流變化較大時,電流倍數(shù)適當增大。
(4)在運行過程中,負載的實際工作電流不應超過模塊的較大電流。
2、散熱器風機的選用
模塊正常工作時必須配備散熱器和風機,推薦采用廠家配套的散熱器和風機。如果用戶是自己提供的,則使用以下原則來選擇:
(1)模塊正常工作時,必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃;
(2)當模塊負載較輕時,可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻;
(3) 有水冷條件的,應優(yōu)先水冷散熱 。
3、使用要求
(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃;
(2)模塊周圍需要干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。
(3)模塊電極上的銅線嚴禁不用端子直接壓接,以免接觸不良引起附加發(fā)熱。
(4)應經常測量固體繼電器導熱襯底側或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度,測點溫度應小于80℃。 正高電氣從國內外引進了一大批先進的設備,實現(xiàn)了工程設備的現(xiàn)代化。
所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,所述硅凝膠對所述導電片9、第二導電片10、瓷板11進行包覆固定。從而,所述銅底板3通過所述硅凝膠實現(xiàn)對位于其上的導電片9、第二導電片10、瓷板11進行固定。所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中,所述第二壓塊12設置于所述第二門極壓接式組件13上,并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力,所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設置于所述銅底板3上。為了實現(xiàn)所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固定連接,所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,所述硅凝膠對所述第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17進行包覆固定。從而,所述銅底板3通過所述硅凝膠實現(xiàn)對位于其上的第三導電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17進行固定。進一步地,所述接頭4包括:螺栓和螺母,所述螺栓和螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。相應地,所述第二接頭5包括:第二螺栓和第二螺母,所述第二螺栓和第二螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。所述第三接頭6包括:第三螺栓和第三螺母。正高電氣產品質量好,收到廣大業(yè)主一致好評。河南反并聯(lián)晶閘管模塊價格
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3)換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的,所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后,出現(xiàn)換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產生的振蕩電壓,其值和換相結束后的反向電壓有關。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;過電壓能量上升的速率,延緩已產生能量的消散速度,增加其消散的途徑;采用電子線路進行保護等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。(4)阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率,因此常用電容作為吸收元件,為防止振蕩,常加阻尼電阻,構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側、直流側,或并接在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路比較好選用無感電容,接線應盡量短。。5)由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,過電壓的效果較差。因此,一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。內蒙古工業(yè)窯爐晶閘管智能模塊
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