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制備氧化石墨導(dǎo)熱膜

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-08

Su等人28利用氫碘酸和抗壞血酸對(duì)PET基底上的多層氧化石墨烯薄膜進(jìn)行化學(xué)還原,得到30nm厚的RGO薄膜,并測(cè)試了其滲透性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),對(duì)He原子和水分子完全不能透過。而厚度超過100nm的RGO薄膜對(duì)幾乎所有氣體、液體和腐蝕性化學(xué)試劑(如HF)是高度不可滲透的。特殊的阻隔性能歸因于石墨烯層壓板的高度石墨化和在還原過程中幾乎沒有結(jié)構(gòu)損壞。與此結(jié)果相反,Liu等人29已經(jīng)證明了通過HI蒸氣和水輔助分層制備**式超薄rGO膜的簡(jiǎn)便且可重復(fù)的方法,利用rGO膜的毛細(xì)管力和疏水性,通過水實(shí)現(xiàn)**終的分層。采用真空抽濾在微孔濾膜基底上制備厚度低至20nm的**式rGO薄膜。氧化石墨的親水性好,易于分散到水泥基復(fù)合材料中。制備氧化石墨導(dǎo)熱膜

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太赫茲技術(shù)可用于醫(yī)學(xué)診斷與成像、反恐安全檢查、通信雷達(dá)、射電天文等領(lǐng)域,將對(duì)技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展以及**等領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。作為極具發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g(shù),2004年,美國(guó)**將THz科技評(píng)為“改變未來世界的**技術(shù)”之一,而日本于2005年1月8日更是將THz技術(shù)列為“國(guó)家支柱**重點(diǎn)戰(zhàn)略目標(biāo)”**,舉全國(guó)之力進(jìn)行研發(fā)。傳統(tǒng)的寬帶THz波可以通過光整流、光電導(dǎo)天線、激光氣體等離子體等方法產(chǎn)生,窄帶THz波可以通過太赫茲激光器、光學(xué)混頻、加速電子、光參量轉(zhuǎn)換等方法產(chǎn)生。單層氧化石墨研發(fā)氧化石墨的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)取決于合成它的方法。

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解決GO在不同介質(zhì)中的解理和分散等問題是實(shí)現(xiàn)GO廣泛應(yīng)用的重要前提。此外,不同的應(yīng)用體系往往要不同的功能體現(xiàn)和界面結(jié)合等特征,故而要經(jīng)常對(duì)GO表面進(jìn)行修飾改性。GO本身含有豐富的含氧官能團(tuán),也可在GO表面引入其他功能基團(tuán),或者利用GO之間和GO與其它物質(zhì)間的共價(jià)鍵或非共價(jià)鍵作用進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)接枝其他官能團(tuán)。由于GO結(jié)構(gòu)的不確定性,以上均屬于一大類復(fù)雜的GO化學(xué),導(dǎo)致采用化學(xué)方式對(duì)GO進(jìn)行修飾與改性機(jī)理復(fù)雜化,很難得到結(jié)構(gòu)單一的產(chǎn)品。盡管面臨諸多難以解釋清楚的問題,但是對(duì)GO復(fù)合材料優(yōu)異性能的期望使得非常必要總結(jié)對(duì)GO進(jìn)行修飾改性的常用方法和技術(shù),同時(shí)也是氧化石墨烯相關(guān)材料應(yīng)用能否實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可控規(guī)模化應(yīng)用的關(guān)鍵。

氧化石墨烯(GO)的光學(xué)性質(zhì)與石墨烯有著很大差別。石墨烯是零帶隙半導(dǎo)體,在可見光范圍內(nèi)的光吸收系數(shù)近乎常數(shù)(~2.3%);相比之下,氧化石墨烯的光吸收系數(shù)要小一個(gè)數(shù)量級(jí)(~0.3%)[9][10]。而且,氧化石墨烯的光吸收系數(shù)是波長(zhǎng)的函數(shù),其吸收曲線峰值在可見光與紫外光交界附近,隨著波長(zhǎng)向近紅外一端移動(dòng),吸收系數(shù)逐漸下降。對(duì)紫外光的吸收(200-320nm)會(huì)表現(xiàn)出明顯的π-π*和n-π*躍遷,而且其強(qiáng)度會(huì)隨著含氧基團(tuán)的出現(xiàn)而增加[11]。氧化石墨烯(GO)的光響應(yīng)對(duì)其含氧基團(tuán)的數(shù)量十分敏感[12]。隨著含氧基團(tuán)的去除,氧化石墨烯(GO)在可見光波段的的光吸收率迅速上升,**終達(dá)到2.3%這一石墨烯吸收率的上限。氧化石墨正式名稱為石墨氧化物或被稱為石墨酸,是一種由物質(zhì)量之比不定的碳、氫、氧元素構(gòu)成的化合物。

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比較成熟的非線性材料有半導(dǎo)體可飽和吸收鏡和碳納米管可飽和吸收體。但是制作半導(dǎo)體可飽和吸收鏡需要相對(duì)復(fù)雜和昂貴的超凈制造系統(tǒng),這類器件的典型恢復(fù)時(shí)間約為幾個(gè)納秒,且半導(dǎo)體可飽和吸收鏡的光損傷閥值很低,常用的半導(dǎo)體飽和吸收鏡吸收帶寬較窄。碳納米管是一種直接帶隙材料,帶隙大小由碳納米管直徑和屬性決定。不同直徑碳納米管的混合可實(shí)現(xiàn)寬的非線性吸收帶,覆蓋常用的1.0~1.6um激光増益發(fā)射波段。但是由于碳納米管的管狀形態(tài)會(huì)產(chǎn)生很大的散射損耗,提高了鎖模閥值,限制了激光輸出功率和效率,所以,研究人員一直在尋找一種具有高光損傷閩值、超快恢復(fù)時(shí)間、寬帶寬和價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)的飽和吸收材料。雖然GO具有諸多特性,但是由于范德華作用力,使GO之間很容易在不同體系中發(fā)生團(tuán)聚。制備氧化石墨導(dǎo)熱膜

將氧化石墨暴露在強(qiáng)脈沖光線下,例如氙氣燈也能得到石墨烯。制備氧化石墨導(dǎo)熱膜

與石墨烯量子點(diǎn)類似,氧化石墨烯量子點(diǎn)也具備一些特殊的性質(zhì)。當(dāng)GO片徑達(dá)到若干納米量級(jí)的時(shí)候?qū)?huì)出現(xiàn)明顯的限域效應(yīng),其光學(xué)性質(zhì)會(huì)隨著片徑尺寸大小發(fā)生變化[48],當(dāng)超過某上限后氧化石墨烯量子點(diǎn)的性質(zhì)相當(dāng)接近氧化石墨烯,這就提供了一種通過控制片徑尺寸分布改變氧化石墨烯量子點(diǎn)光響應(yīng)的手段。與GO類似,這種pH依賴來源于自由型zigzag邊緣的質(zhì)子化或者去質(zhì)子化。同樣,這也可以解釋以GO為前驅(qū)體通過超聲-水熱法得到的石墨烯量子點(diǎn)的光發(fā)射性能,在藍(lán)光區(qū)域其光發(fā)射性能取決于zigzag邊緣狀態(tài),而綠色的熒光發(fā)射則來自于能級(jí)陷阱的無序狀態(tài)。通過控制氧化石墨烯量子點(diǎn)的氧化程度,可以控制其發(fā)光的波長(zhǎng)。這一類量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)類似于GO,這說明只要片徑小于量子點(diǎn),都會(huì)產(chǎn)生同樣的光學(xué)效應(yīng),也就是在結(jié)構(gòu)上存在一個(gè)限域島狀SP2雜化的碳或者含氧基團(tuán)在功能化過程中引入的缺陷狀態(tài)。制備氧化石墨導(dǎo)熱膜

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