相比于傳統的切割方式，激光切割屬于非接觸式加工，可以避免對晶體硅表面造成損傷，并且具有加工精度高、加工效率高等特點，可以大幅提升芯片生產制造的質量、效率、效益。據了解，超通智能超快激光玻璃晶圓切割設備，配備***皮秒激光器，通過超高峰值功率的皮秒激光在玻璃晶圓內部產生非線性自聚焦效應，達到激光成絲切割的效果。該設備還可應用于各類透明脆性材料的快速劃線、切割。公司也通過了ISO9001質量管理體系認證，質量優，歡迎詢價！無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設備安心售后。遼寧自主研發超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的**材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優勢。對于它的加工也有很多方式，其中激光劃片是目前較為理想的方式之一。激光劃片設備采用工業激光器，波長主要有 1 064 nm、532 nm、355 nm 三種，脈寬為納秒、皮秒和飛秒級。理論上，激光波長越短、脈寬越短，加工熱效應越小，有利于微細精密加工，但成本相對較高。355 nm 的紫外納秒激光器因其技術成熟、成本低、加工熱效應小，應用非常多。近幾年 1 064 nm 的皮秒激光器技術發展迅速，應用到很多新領域，獲得了很好的效果。天津銷售超快激光玻璃晶圓切割設備解決方案超快激光玻璃晶圓切割設備去哪找？無錫超通智能告訴您。

半導體晶圓機械劃線直至1990年代未曾改變[6]，刀具有硬質合金刀輪、三角錐或四角錐臺等形式，皆以鑽石及其他硬質合金製成，因其耐磨性比較好。機械劃線用角錐的稜劃線，輪流標示刻槽，此法的應用受限于有如應力集中系數k之標準，透過施加彎矩決定在表面的比較大彎曲應力，可經下列公式計算：k=(0.355(t-d)/r)+0.85)/2+0.08(1)其中，t：晶圓厚度；d：切割深度；r：鉆石粒徑。由此可知，晶圓愈厚所需的彎曲應力愈大。可透過增加劃痕深度減少所需的彎曲應力，但如此沿切割線的缺陷程度便會增加，且劃線工具上壓力提高可能導致材料分裂不受控制；另可加大鉆石粒徑，但同樣會影響芯片斷面品質及其機械強度。

超通智能自主研發超快激光玻璃晶圓切割設備，隨著市場的持續增長，LED制造業對于產能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術迅速成為LED制造業普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業標準。激光刻劃LED刻劃線條較傳統的機械刻劃窄得多，所以使得材料利用率顯著提高，因此提高產出效率。另外激光加工是非接觸式工藝，刻劃帶來晶圓微裂紋以及其他損傷更小，這就使得晶圓顆粒之間更緊密，產出效率高、產能高，同時成品LED器件的可靠性也**提高。無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設備誠信經營。

硅材料對紅外透過率很高，所以硅的隱形切割設備，通過選用短脈沖紅外激光器，將激光脈沖聚焦到硅襯底內部，實現隱形切割。激光隱形切割是非接觸式切割，解決了砂輪切割引入外力沖擊對產品破壞的問題。不過一般設備的激光隱形切割形成的改質層區域會使材料變得酥脆，還是會形成少量細小硅碎屑掉落，雖然碎屑數量遠少于砂輪切割，如前文所述，MEMS晶圓因為無法通過清洗的方法去除細小硅碎屑，故這些碎屑將對芯片造成破壞，影響良率。超通智能生產的硅晶圓激光切割設備，選用自制的紅外激光器和自主開發的激光加工系統，實現硅晶圓的隱形切割，該設備能夠很好的控制隱形切割后碎屑的產生，從而滿足***MEMS晶圓切割的要求，保證切割良率無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設備的優勢。遼寧自主研發超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

超快激光玻璃晶圓切割設備的應用范圍十分廣闊。遼寧自主研發超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

硅晶圓是一種極薄的片狀硅，它是由高純度、幾乎無缺陷的單晶硅棒經過切片制成。硅晶圓是制造集成電路的載板，在上面布滿晶粒，將晶粒切開后得到芯片，將芯片經過封裝測試，制成集成電路。其中，將晶粒切開得到單一芯片的過程，稱為晶圓切割。晶圓切割是半導體芯片制造工藝流程中不可或缺的關鍵工序之一，在晶圓制造中屬于后道工序。為了實現硅晶圓的比較大利用率，其表面布滿了高密度集成電路，對硅晶圓進行切割時，尤其需要考慮切口的寬度和質量，以充分保護硅板上的電路，同時兼顧加工效率。傳統切割方式主要是采用金剛石鋸片劃片切割，存在效率低，崩邊大，邊緣破碎物多、不平整等問題，而且機械應力的存在容易對晶體的內部和外部產生損傷，良品率低，影響加工效率。同時，還需要根據晶圓的厚度不同選擇不同的刀具，增加成本支出，因此傳統的切割方式已經不能滿足當前的加工需求。遼寧自主研發超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

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