單腔半自動快速退火爐RTP-SA-12 是在保護氣下的半自動立式快速退火系統，以紅外可見光加熱單片 Wafer 或樣品，工藝時間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸片。相對于傳統擴散爐退火系統和其他 RTP 系統，其獨特的腔體設計、先進的溫度控制技術和獨有的 RL900 軟件控制系統，確保了極好的熱均勻性。主要應用于：①離子注入退火 ；②ITO 鍍膜后快速退火； ③氧化物、氮化物生長；④硅化物合金退火；⑤砷化鎵工藝；⑥歐姆接觸快速合金；⑦氧化回流；⑧其他半導體快速熱處理工藝。

雙腔全自動快速退火爐RTP-DTS-12 是在保護氣下的雙腔全自動快速退火系統，以紅外可見光加熱單片 Wafer 或樣品，工藝時間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸片。相對于傳統擴散爐退火系統和其他 RTP 系統，其獨特的腔體設計、先進的溫度控制技術和獨有的 RL900 軟件控制系統，確保了極好的熱均勻性。同時雙腔的結構設計和增加晶圓機器手，提高了工作效率。主要應用于：①離子注入退火 ；②ITO 鍍膜后快速退火； ③氧化物、氮化物生長；④硅化物合金退火；⑤砷化鎵工藝；⑥歐姆接觸快速合金；⑦氧化回流；⑧其他半導體快速熱處理工藝。