深圳市聯(lián)合多層線路板有限公司2025-05-24
聯(lián)合多層在嵌入式芯片工藝中,需解決元件與基板熱膨脹系數(shù)匹配(CTE差≤3ppm/℃)、焊盤共面性(偏差≤10μm)和層壓壓力均勻性(±5%),通過(guò)真空壓合(壓力3MPa)和激光調(diào)阻技術(shù)確保良率≥95%。
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