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漏源電壓Vds對MOSFET性能有何影響?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

導通損耗:VDS↑→RDS(on)↑(強電場致載流子遷移率↓),芯技超結(jié)MOS在600V時RDS(on)比平面結(jié)構(gòu)低50%

深圳市芯技科技有限公司
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簡介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應用于消費電子等多個領域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    開關特性:VDS>100V時米勒電容Cgd非線性加劇,芯技優(yōu)化電荷平衡技術(shù)降低Qgd 30%

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-30

    雪崩能力:VDS接近BVDSS時EAS驟降,芯技Avalanche Rated系列BVDSS余量>20%

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