驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能,以實現主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強的抗干擾能力,避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。驅動電路是電子設備中的“動力源泉”,它負責將微弱的控制信號轉換為強大的驅動信號。奉賢區本地驅動電路量大從優
比如安裝打印機這類的硬件外設,并不是把連接線接上就算完成,如果你這時候開始使用,系統會告訴你,找不到驅動程序,參照說明書也未必就能順利安裝。其實在安裝方面還是有一定的慣例與通則可尋的,這些都可以幫你做到無障礙安裝。在Windows系統中,需要安裝主板、光驅、顯卡、聲卡等一套完整的驅動程序。如果你需要外接別的硬件設備,則還要安裝相應的驅動程序,如:外接游戲硬件要安裝手柄、方向盤、搖桿、跳舞毯等的驅動程序,外接打印機要安裝打印機驅動程序,上網或接入局域網要安裝網卡、Modem甚至ISDN、ADSL的驅動程序。 [1]上海國產驅動電路貨源充足半橋驅動和全橋驅動:這兩種驅動方式多用于需要更高功率轉換效率的場合,如電機驅動、電源轉換等。
MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關損耗。針對兩個與電源無關的輸入進行配置。高壓側輸入邏輯信號在內部被電平移位至自舉電源,此電源可以在高出地電位達 114V 的電壓條件下運行。●分布式電源架構●汽車電源●高密度●電信系統●欠壓閉鎖功能●自適應貫通保護功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強型 8 引腳 MSOP 封裝
IGBT驅動:IGBT常被用于中大功率數字電源開發,其驅動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅動電路分為正壓驅動和負壓驅動,負壓關斷可以避免誤導通風險,加快關斷速度,減小關斷損耗。IGBT的驅動電路一般采用**的驅動芯片,如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅動電路的應用顯示控制:驅動電路可以將數字信號轉換為模擬信號,以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設備;也可以將模擬信號轉換為數字信號,以控制數碼管等顯示設備。高邊驅動:則用于將功率開關器件連接在電源正極一側。
推挽驅動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器(有OTL、OCL等)。是兩個參數相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務,電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流,也可以從負載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管,始終處于一個導通、一個截止的狀態,也就是兩個三級管推挽相連,這樣的電路結構稱為推拉式電路或圖騰柱(Totem- pole)輸出電路。當輸出低電平時,也就是下級負載門輸入低電平時,輸出端的電流將是下級門灌入T4;當輸出高電平時,也就是下級負載門輸入高電平時,輸出端的電流將是下級門從本級電源經 T3、D1 拉出。浮動接地驅動:功率器件接地端電位會隨電路狀態變化而浮動,典型的為自舉驅動電路。奉賢區本地驅動電路量大從優
電機驅動電路:直流電機驅動電路、步進電機驅動電路和伺服電機驅動電路,通常需要控制電機的轉速和方向。奉賢區本地驅動電路量大從優
如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)如果IGBT數據手冊中已經給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值:門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2奉賢區本地驅動電路量大從優
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