Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開(kāi)通能量E，然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡(jiǎn)單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門(mén)極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）它們通常用于控制電機(jī)、繼電器、LED、顯示器等負(fù)載。楊浦區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

驅(qū)動(dòng)程序作為Windows 10必備的組件，為系統(tǒng)安全平穩(wěn)地運(yùn)行提供了有力的保障。為了驅(qū)動(dòng)程序的安全，系統(tǒng)或軟件在安裝時(shí)會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)程序做必要的儲(chǔ)備，這一儲(chǔ)備具體體現(xiàn)在系統(tǒng)DriverStore驅(qū)動(dòng)文件夾。然而，該文件夾中的文件不一定是當(dāng)前系統(tǒng)必不可少的，*在驅(qū)動(dòng)失效、缺失或重裝時(shí)才可能會(huì)被用到。如果系統(tǒng)空間確實(shí)緊張而又沒(méi)有別的辦法，可將其中作為儲(chǔ)備而暫時(shí)用不著的文件清理掉。 [3]驅(qū)動(dòng)本質(zhì)上是軟件代碼，其主要作用是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與硬件設(shè)備之間完成數(shù)據(jù)傳送的功能，只有借助驅(qū)動(dòng)程序，兩者才能通信并完成特定的功能。如果一個(gè)硬件設(shè)備沒(méi)有驅(qū)動(dòng)程序，只有操作系統(tǒng)是不能發(fā)揮特有功效的，也就是說(shuō)驅(qū)動(dòng)程序是介于操作系統(tǒng)與硬件之間的媒介，實(shí)現(xiàn)雙向的傳達(dá)，即將硬件設(shè)備本身具有的功能傳達(dá)給操作系統(tǒng)，同時(shí)也將操作系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)指令傳達(dá)給硬件設(shè)備，從而實(shí)現(xiàn)兩者的無(wú)縫連接。 [2]上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣(mài)店效率：選擇合適的元件以提高電路的效率，減少功耗。

優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)變換器性能的影響驅(qū)動(dòng)電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開(kāi)關(guān)器件開(kāi)關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力(開(kāi)/關(guān)過(guò)程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動(dòng)電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問(wèn)題，驅(qū)動(dòng)電路副邊與主電路有耦合關(guān)系，而驅(qū)動(dòng)原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路， 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣，實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動(dòng)電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地（e極） 同—驅(qū)動(dòng)電路無(wú)需隔離；無(wú)需隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地（e極）不同—驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)隔離。

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。

a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過(guò)粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IGBT 開(kāi)通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果，IGBT開(kāi)通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開(kāi)通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了?？刂菩盘?hào)：確定控制信號(hào)的類型（如PWM信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等）。上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣(mài)店

驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷。楊浦區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

推挽驅(qū)動(dòng)是兩不同極性晶體管輸出電路無(wú)輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。如果輸出級(jí)的有兩個(gè)三極管，始終處于一個(gè)導(dǎo)通、一個(gè)截止的狀態(tài)，也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門(mén)輸入低電平時(shí)，輸出端的電流將是下級(jí)門(mén)灌入T4；當(dāng)輸出高電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門(mén)輸入高電平時(shí)，輸出端的電流將是下級(jí)門(mén)從本級(jí)電源經(jīng) T3、D1 拉出。楊浦區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

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