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徐匯區通用可控硅設計

來源: 發布時間:2025-07-09

耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時,額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允許的操作過電壓裕量。 [1]·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時, 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM 和 IRRM。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。徐匯區通用可控硅設計

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在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。長寧區國產可控硅圖片可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;

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當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當BG1的基一射間)輸入一個正的觸發信號,BG1將產生基極電流Ib1,經放大,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大,直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程,對可控硅來說,觸發信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。

“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且*需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個字母)交流半導體開關:ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統稱。雙 向:Bi-directional(取***個字母)反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。

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可控硅一經觸發導通后,由于循環反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,可控硅方可關斷。當然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時,即使輸入觸發信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動發信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。額定通態電流(IT)即大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。松江區挑選可控硅生產企業

使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。徐匯區通用可控硅設計

這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電極。但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,是把兩個可控硅反接在一起畫成的,如圖2所示。它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示;國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同,但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,電極引腳向下,面對標有字符的一面)。市場上最常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。徐匯區通用可控硅設計

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