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    本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。

    queseencuentrenentrámitedeautorizaciónenlafechadeentradaenvigordelpresenteRealDecreto,seguiránrigiéánacogersealasprescripcionesestablecidasenlaInstrucciónTécnicaComplementaria,desdeelmomentodesupublicaciónenel?BoletínOficialdelEstado?.Disposicióónalpormenordecarburantesycombustiblespetrolíferoseninstalacionesdeventaalpúblico,existentesalaentradaenvigordelaanexaITC,sesometeránalasinspeccionesypruebasperiódicasindicadasenelcapíósitosinstaladosconanterioridadalafechadeentradaenvigordelpresenteRealDecreto,dispondrándelossiguientesplazospararealizarlaspruebasestablecidasenelcapítuloVdelaanexaITC:1.oLosconstruidosantesde1963:dosa?.oLosconstruidosentre1963y1968:cuatroa?.oLosconstruidosentre1968y1973:seisa?.oLosconstruidosentre1973y1978:ochoa?os5.oLosconstruidosentre1978yfechadeentradaenvigor:dieza?üedaddelosdepósitosseráladefabricaciónolafechadelaúltimapruebarealizadaalosdepósitosencondicionessimilaresalasindicadasenelcapíónderogatoriaúnicadelRealDecr。蘇州博洋專業生產,BOE蝕刻液。

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    然后將裝有蝕刻液的石英燒瓶放入加熱套中加熱，待加熱到確定溫度后，放入氮化硅樣片進行蝕刻；蝕刻完后，取出樣片采用熱超純水清洗和氮氣吹干后，使用橢圓偏振光譜儀對蝕刻前所取位置的6個點的厚度進行測量，計算蝕刻前后6個取點的厚度差值，對比6個點之間的厚度差值的差異。與現有的使用磷酸作為蝕刻液相比，本發明的有益效果是：醇醚類和表面活性劑的添加能明顯改善磷酸溶液的浸潤性和降低磷酸溶液的表面張力，有效提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕性和蝕刻均勻性。具體實施方式下面結合具體實施例，進一步闡述本發明，對本發明做進一步詳細的說明，但不限于這些實施例。本發明的蝕刻液配制時選擇的磷酸濃度為85％，蝕刻溫度為160℃，蝕刻時間為10min。先對所配制蝕刻液的表面張力進行檢測，然后將氮化硅樣片使用超純水清洗和氮氣吹干后，進行接觸角的測量；蝕刻前使用超純水清洗和氮氣吹干氮化硅樣片后，在氮化硅樣片上取6個不同位置的點對其厚度進行測量；蝕刻完成后使用熱超純水清洗和氮氣吹干氮化硅樣片后，取與蝕刻前相同位置的6個點進行厚度測量。實施例1本發明的實施例按蝕刻液總質量為400g進行配制，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中。浙江一種BOE蝕刻液