本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。蘇州博洋專業生產,BOE蝕刻液。江西介紹BOE蝕刻液按需定制

    這是除去固體顆粒、電子流、水、或者或多或少具有極性的油脂污染的要求。在精細清洗中，經常存在裝有凹槽、肋條或盲孔的非常復雜的部件，必須用溶劑對其進行潤濕，以使溶劑在這些難洗位置發揮作用。氟化溶劑來自提供表面的可能性的潤濕的溶劑類型，其中，所述表面的可能性的潤濕以非常低的表面張力表示(例如，相對于，HCFC141b為)。高潤濕的另一優點是得到基底的較快干燥。在幾乎相同的分子量下，氟化溶劑具有較低的沸點和較高的蒸氣壓。因此，HCFC141b在32°C下沸騰而氯仿在61°C下沸騰。這兩種性質(低沸點和高蒸氣壓)有利于這些溶劑在利用蒸氣相操作的常規工業機器中的應用，使得能夠進行部件的漂洗和干燥，而且使得被連續蒸餾的溶劑能夠再生。這些機器裝有用于通過冷凝而使蒸氣在盤管上冷卻的大功率(heavy-duty)系統，這些機器的操作方法使得所用高蒸氣壓的缺點小化。工業家們期望可用于他們的現有機器存貨的替代解決方案。此外，氫氟烴地用于制冷和傳熱過程。本發明提供具有低GWP且具有可生物降解的優點的組合物。根據本發明的組合物含甲基四氫呋喃和至少一種式C4F90R的九氟丁基烷基醚，其中R具有14個碳原子的線型或支化的飽和烷基鏈。有利地。江西無機BOE蝕刻液生產好的BOE蝕刻液的標準是什么。

    asícomoeldeinstalaciónypruebasdelosmismos,deacuerdoconunasnormasycóásustituirseporotrodehomologació)Normasdeaplicación:Enlosplanosseindicaránlasnormasdeaplicaciónutilizadasparalaclasificacióndelosemplazamientosasícomolaseleccióndelosmaterialeseléctricos,ándecobre,conaislamientodePVCycubiertaexternadePVCresistentealoshidrocarburosynopropagadoradelallama,segúónylasintensidadesmáximasestaráónmecánica,oquedispongandearmaduraabasedehilosdeacerogalvanizado,susecciónmínimapodráserde2,5milímetroscuadrados,paraalimentacionesdefuerza;paraalumbradoycontrol,tendránunasecciónmínimadeunmilíálculodelaseccióndeloscables,laintensidadadmisibledelosconductoresdeberádisminuirseenun15por100,ademásdeaplicarlosfactoresdecorreccióndependiendodelascaracterísticasdelainstalacióándisponerdeunaproteccióncontracortocircuitosycontrasobrecargassiéánconconductordeproteccióásicas,tresfasesyconductordeprotección,encircuitosmonofásicos,fase。

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