UV納米壓印光刻系統
EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT：具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對準系統
■高精度對準臺
■自動楔形誤差補償機制
■電動和程序控制的曝光間隙
■支持***的UV-LED技術
■**小化系統占地面積和設施要求
EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自動化的全場納米壓印解決方案，適用于第3代基材
■體積驗證的壓印技術，具有出色的復制保真度
■專有的SmartNIL®技術和多用途聚合物印章技術
■集成式壓印，UV固化，脫模和工作印模制作
■盒帶間自動處理以及半自動研發模式
■適用于所有市售壓印材料的開放平臺
SmartNIL的主要技術是可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印結果。EVG620NT納米壓印高性價比選擇
EVG ® 620 NT特征：
頂部和底部對準能力
高精度對準臺
自動楔形補償序列
電動和程序控制的曝光間隙
支持***的UV-LED技術
**小化系統占地面積和設施要求
分步流程指導
遠程技術支持
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
敏捷處理和轉換工具
臺式或帶防震花崗巖臺的單機版
EVG ® 620 NT附加功能：
鍵對準
紅外對準
SmartNIL
μ接觸印刷技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）
標準光刻：比較大150毫米的碎片
柔軟的UV-NIL：比較大150毫米的碎片
SmartNIL ®：在100毫米范圍
解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：軟UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外線LED光源
對準：
軟NIL：≤±0.5 μm
SmartNIL ®：≤±3微米
自動分離：柔紫外線NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔軟的UV-NIL：外部：SmartNIL ®：支持
湖北納米壓印技術原理EVG的納米壓印設備已使納米圖案能夠在面板尺寸比較大為第三代（550 mm x 650 mm）的基板上實現。
EVG ® 7200 LA大面積SmartNIL
® UV納米壓印光刻系統
用于大面積****的共形納米壓印光刻。
EVG7200大面積UV納米壓印系統使用EVG專有且經過量證明的SmartNIL技術，將納米壓印光刻（NIL）縮放為第三代（550 mm x 650 mm）面板尺寸的基板。對于不能減小尺寸的顯示器，線柵偏振器，生物技術和光子元件等應用，至關重要的是通過增加圖案面積來提高基板利用率。NIL已被證明是能夠在大面積上制造納米圖案的**經濟有效的方法，因為它不受光學系統的限制，并且可以為**小的結構提供比較好的圖案保真度。
SmartNIL利用非常強大且可控的加工工藝，提供了低至40 nm *的出色保形壓印結果。憑借獨特且經過驗證的設備功能（包括****的易用性）以及高水平的工藝專業知識，EVG通過將納米壓印提升到一個新的水平來滿足行業需求。
*分辨率取決于過程和模板
EVG610特征：
頂部和底部對準能力
高精度對準臺
自動楔形誤差補償機制
電動和程序控制的曝光間隙
支持***的UV-LED技術
**小化系統占地面積和設施要求
分步流程指導
遠程技術支持
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
敏捷處理和光刻工藝之間的轉換
臺式或帶防震花崗巖臺的單機版
EVG610附加功能：
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻
μ接觸印刷
EVG610技術數據：
晶圓直徑（基板尺寸）
標準光刻：比較大150毫米的碎片
柔軟的UV-NIL：比較大150毫米的碎片
解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：柔軟的UV-NIL
曝光源：汞光源或紫外線LED光源
自動分離：不支持
工作印章制作：外部
EVG ? 520 HE是熱壓印系統。
EVG ® 720自動SmartNIL
® UV納米壓印光刻系統
自動全視野的UV納米壓印溶液達150毫米，設有EVG's專有SmartNIL ®技術
EVG720系統利用EVG的創新SmartNIL技術和材料專業知識，能夠大規模制造微米和納米級結構。具有SmartNIL技術的EVG720系統能夠在大面積上印刷小至40 nm *的納米結構，具有****的吞吐量，非常適合批量生產下一代微流控和光子器件，例如衍射光學元件（ DOEs）。
*分辨率取決于過程和模板
如果需要詳細的信息，請聯系我們岱美儀器技術服務有限公司。也可以訪問官網，獲得更多信息。 EV Group提供混合和單片微透鏡成型工藝，能夠輕松地適應各種材料組合，以用于工作印模和微透鏡材料。中國澳門納米壓印微流控應用
分步重復刻印通常用于高 效地制造晶圓級光學器件制造或EVG的Smart NIL工藝所需的母版。EVG620NT納米壓印高性價比選擇
具體說來就是，MOSFET能夠有效地產生電流流動，因為標準的半導體制造技術旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創造出了所謂的“短溝道效應”區域，并導致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學麥迪遜分校已經同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學、德克薩斯大學、以及加州大學伯克利分校等），開發出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導體品質的新技術。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產過程。（來自網絡。EVG620NT納米壓印高性價比選擇
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