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四川熔融鍵合鍵合機

來源: 發布時間:2020-08-28

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用

生產系統可在高通量,高產量環境中運行

盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP)

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準的預鍵合

先進的遠程診斷


技術數據:

晶圓直徑(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預鍵合室

對準類型:平面到平面或凹口到凹口

對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°

結合力:蕞高5N

鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統:9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。四川熔融鍵合鍵合機

      一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優化芯片恢復率。

      質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法,不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。

      半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備,可以關注這里:EVG光刻機和鍵合機。 青海鍵合機當地價格晶圓鍵合機系統 EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統。

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯**造,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。

鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。 根據鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。

業內主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。 EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術。美元價鍵合機美元價

以上應用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。四川熔融鍵合鍵合機

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環境要求苛刻的問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。四川熔融鍵合鍵合機

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