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可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進行復制，如當只有一開關s1閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:1的比例進行復制，當一開關s1和二開關s2同時閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:3的比例進行復制，當一開關s1、二開關s2和三開關s3都閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:7的比例進行復制。按照相同的原理可以設置多種開關組合實現想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實現形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

發光部分530、cgl580、第二發光部分550、第二cgl590和第三發光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...

延遲熒光摻雜劑152提供高的發光效率和相對寬的fwhm，以及延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發光。因此，oledd1提供高的發光效率和改善的色彩連續性。參照圖2，其為示出本公開內容的實施方案的oled的發光機理的示意圖，“基質”中生成的激子通過德克斯振能量轉移(dexterresonanceenergytransfer，dret)轉移到延遲熒光摻雜劑“td”中，并且延遲熒光摻雜劑“td”的單線態能量“s1”和三線態能量“t1”中的至少部分通過dret轉移到磷光摻雜劑“pd”中。因此，從磷光摻雜劑“pd”發射紅色光。根據本發明的一方面，當磷光摻雜劑“pd”相對于延遲熒光摻...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實施例8(ex8...

該微控制器15獲取該發光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發光二極管11的良好溫度值。在本發明的一個實施例中，提供了一種發光二極管11的控制方法，圖7是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良...

發送報警信息。圖3是根據發明實施例的壓降和電流的初始工作統計示意圖，如圖3所示，該發光二極管的正向壓降為隨電流變化而變化的曲線，是正向壓降本身的曲線，該發光二極管11的正向壓降的偏移量與工作電流呈正相關，例如，在依據該第二壓差值和電流值與該曲線進行對比的情況下，對比的結果超過預設的閾值，該微控制器15生成報警信息，該發光二極管11出廠前，對可以進行長時間的工作測試，例如，進行500小時的工作測試，該微控制器15記錄發光二極管11正常工作在不同電流下的正向壓降，依據該正向壓降的偏移量生成該第二校準數據表，該第二校準數據表用于對該第二壓差值進行對比判斷，判斷該發光二極管11的壓差值是否在允...

本發明屬于集成電路領域與光電領域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調節的電路。背景技術：單光子探測技術是近年來剛剛發展起來的一種基于單光子的新式探測技術，它可以實現對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優點，因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工...

并發送給該微控制器15；該微控制器15控制并獲取該發光二極管11的電流值，該驅動板12依據該電流值驅動該發光二極管11；該微控制器15依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良好對比，依據該良好對比的結果對該良好壓差值進行校準后，獲取第二壓差值，良好校準數據表為該發光二極管的初始溫度值和該初始電壓值統計表；圖2是根據發明實施例的壓降和溫度的初始工作統計示意圖，如圖2所示，發光二極管的正向壓降是隨溫度變化而改變的曲線，是大小偏移的曲線，且該發光二極管11的正向壓降的偏移量與工作溫度呈負相關，例如，該良好壓差值可以依據該正向壓降的曲線進行校準，調整為第二壓差值，該發光...

十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運算放大器o...

良好校準數據表為所述發光二極管的初始溫度值和所述初始電壓值統計表；獲取發光二極管的電流值，依據所述第二壓差值和所述電流值，調用預存儲的第二校準數據表進行第二對比，第二校準數據表為所述發光二極管的初始壓差值和初始電流值統計表，在所述第二對比的結果不符合預設閾值的情況下，發送報警信息。在其中一個實施例中，所述獲取發光二極管電流值包括：獲取脈沖調制pwm信號，依據所述pwm信號和預設的最大電流值，確定所述電流值。在其中一個實施例中，所述獲取發光二極管的良好壓差值包括：通過運算差分電路接入所述發光二極管的兩端，獲取所述發光二極管的良好壓差值。在其中一個實施例中，所述獲取發光二極管溫度值包括：獲...

所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變，從而將其鉗位到步進電壓處。本發明提出通過引入負電源電壓vne對apd的偏壓進行調節，為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時，四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟，四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth，而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定，pmos管的閾值電壓vth接近1v，所以負電源電壓vne可以設置為-1v?？梢姳景l明通過引入負電源電壓vne擴大了apd偏置電壓的調節范圍。一些實施例中，一運算...

發光部分530、cgl580、第二發光部分550、第二cgl590和第三發光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...

oledd1包括電極120、面向電極120的第二電極130、和在電極120與第二電極130之間的有機發光層140。有機發光層140包括包含具有發射波長范圍的延遲熒光摻雜劑152和具有第二發射波長范圍的磷光摻雜劑154的eml150。電極120包含具有相對高的功函數的導電材料并用作陽極。例如，電極120可以包含透明導電材料例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)，但不限于此。當oledd1為頂部發射型時，可以在電極120下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。第二電極130包含具有相對低的功函數的導電材料并用作陰極。例如，第二電極130可...

本實施例提出的折疊式共源共柵運放以pmos管作為輸入對管，其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端，十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對主要是出于對共模輸入范圍的考慮。因為該運放需鉗位步進電壓和0v的電壓，倘若使用nmos管作為輸入對，為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區，則nmos輸入對的源端電壓應該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅動電壓，共模輸入范圍比較低點vgs9+vov13，vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓，vov13為三nmos管m13的過驅電壓。不妨假設vov13＝，nmos的閾值...

三pmos管mp3柵極引出二電流鏡單元偏置電壓為二電流鏡單元的九pmos管mp9供電，二電流鏡單元鏡像的電流在一開關s1、二開關s2和三開關s3都斷開時能夠使得像素內的五pmos管mp5的源極電壓達到0v大小。具體過程為：像素外偏置電壓產生模塊中通過運放鉗位作用將四pmos管mp4的源極電壓鉗位到0v，將二pmos管mp2的源極電壓鉗位到步進電壓，步進電壓的大小即為設置的基準電壓vref的電壓值。當一開關s1、二開關s2和三開關s3都斷開時，鉗位到0v的偏置電流通過三pmos管mp3被像素內偏壓調節模塊的二電流鏡單元的pmos管鏡像，鏡像過來的電流流經像素內的三電阻r3上，從而改變五p...

該微控制器15獲取該發光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發光二極管11的良好溫度值。在本發明的一個實施例中，提供了一種發光二極管11的控制方法，圖7是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良...

背景技術：在相關技術中，帶影像功能的醫療器械主要包括前端圖像采集裝置，后端主機和冷光源。其中前端圖像采集裝置和后端主機主要負責圖像的采集與傳輸，冷光源負責提供合格的光源，圖像的好壞與冷光源的工作狀態有直接的關聯，冷光源的中心部件就是led燈。市場上的led產品壽命通常標稱30000-60000小時，但是在使用一定時間后，led燈會出現光衰，色偏等不良變化。光衰導致亮度降低，色偏導致色溫偏移，進而影響顯色性，這在醫用光源里是不可接受的。并且每個led燈都有細微的差別，依靠廠家的測試報告來推導工作壽命是不可取的，這就需要實時預警led的壽命針對相關技術中，單個led燈的使用壽命無法準確預測...

并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘?，可以將來自oledd2的光設置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接。或者，可以將第二電極230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍色像素中的藍色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp提供紅色光、綠色光和藍色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的顯示裝置30...

2.根據實施方案1所述的有機發光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑具有比較大發射波長，以及所述磷光摻雜劑具有比所述比較大發射波長更長的第二比較大發射波長。3.根據實施方案2所述的有機發光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內。4.根據實施方案3所述的有機發光二極管，其中所述磷光摻雜劑相對于所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比在％至％的范圍內。5.根據實施方案1所述的有機發光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，以...

本實施例提出的折疊式共源共柵運放以pmos管作為輸入對管，其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端，十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對主要是出于對共模輸入范圍的考慮。因為該運放需鉗位步進電壓和0v的電壓，倘若使用nmos管作為輸入對，為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區，則nmos輸入對的源端電壓應該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅動電壓，共模輸入范圍比較低點vgs9+vov13，vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓，vov13為三nmos管m13的過驅電壓。不妨假設vov13＝，nmos的閾值...

并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘?，可以將來自oledd2的光設置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接?；蛘?，可以將第二電極230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍色像素中的藍色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp提供紅色光、綠色光和藍色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的顯示裝置30...

r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數，n為1至3的整數，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜...

實時監控發光二極管的工作溫度、正向壓降值和電流值，并依據良好校準數據表對壓差值進行校準，在壓差值超出第二校準數據表的合理范圍后，進行報警提醒，解決了單個led燈的使用壽命無法準確預測的問題，實現了單個led燈的使用壽命的準確預測和報警。在一個實施例中，還提供了一種醫療設備，包括存儲器、處理器和發光二極管11，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現發光二極管的控制方法的步驟。根據本發明的另一個方面，還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，該計算機程序被處理器執行時實現上述實施例的該的方法的步驟。本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例方法中的全部或部...

有機發光二極管、有機發光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15％、17％、19％、20％、21％、23％或甚至25％。應理解，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供所要求保護的本發明的進一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對本發明的進一步理解并且被并入本說明書中并構成本說明書的一部分，舉例說明了本發明的實施方案并與說明書一起用于解釋本發明的原理。圖1為根據本公開內容的實施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內容的實施方案的oled的發光機理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內容的實施方案的oled的發射光譜的圖。圖4為根據本公開內容...

第二藍色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍色摻雜劑422和第二藍色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出，但是第三eml460還可以包含基質。相對于基質，第二藍色摻雜劑462的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。cgl480被定位在發光部分430與第二發光部分450之間，第二cgl490被定位在第二發光部分450與第三發光部分470之間。即，發光部分430和第二發光部分450通過cgl480彼此連接，第二發光部分450和第三發光部分470通過第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結型cgl。cgl480...

ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質：％，延遲熒光摻雜劑：30重量％，磷光摻雜劑：％)10.實施例8(ex8...

r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據實施方案13所述的有機發光二極管，其中所述基質選自式8：[式8]15.根據實施方案1所述的有機發光二極管，還包括：包含藍色摻雜劑并布置在所述發光材料層與所述第二電極之間的第二發光材料層；和在所述發光材料層與所述第二發光材料層之間的電荷生成層。16.根據實施方案15所述的有機發光二極管，還包括：包含第二藍色摻雜劑并布置在所述電極與所述發光材料層之間的第三發光材料層；和在所述發光材料層與所述第三發光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據實施方案15所...

折疊式共源共柵運放結構的一運算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0，其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運算放大器op1的輸入對管，其襯底均連接電源電壓；六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以...

依據溫度阻值曲線圖獲取所述熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據所述熱敏電阻ntc的第二溫度值確定所述發光二極管的所述良好溫度值。根據本發明的一個方面，還提供了一種醫療設備，包括存儲器、處理器和發光二極管，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現上述發光二極管的控制方法的步驟。根據本發明的一個方面，還提供了一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述發光二極管的控制方法的步驟。通過本發明，獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良好對比，依據該良好對比的結果對該良好壓差值進...