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r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據實施方案13所述的有機發光二極管，其中所述基質選自式8：[式8]15.根據實施方案1所述的有機發光二極管，還包括：包含藍色摻雜劑并布置在所述發光材料層與所述第二電極之間的第二發光材料層；和在所述發光材料層與所述第二發光材料層之間的電荷生成層。16.根據實施方案15所述的有機發光二極管，還包括：包含第二藍色摻雜劑并布置在所述電極與所述發光材料層之間的第三發光材料層；和在所述發光材料層與所述第三發光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據實施方案15所...

由第二發光部分450提供紅色波長范圍的光和綠色波長范圍的光。因此，包括第二發光部分450、包含藍色摻雜劑422的發光部分430和包含第二藍色摻雜劑462的第三發光部分470的oledd3發射白色光。此外，由于發光部分430和第三發光部分470分別包括分別包含藍色摻雜劑422和第二藍色摻雜劑462的eml420和第三eml460，因此oledd3的色溫得到改善。圖8是根據本公開內容的第四實施方案的oled的示意性截面圖。如圖8所示，oledd4包括電極510、第二電極512、在電極510與第二電極512之間的有機發光層514。有機發光層514包括：發光部分530，發光部分530包括eml...

r2＝r4，輸出的電壓vout如公式2所示：vout接入到微控制器15的模數轉換的ad采樣口，該微控制器15完成對該發光二極管11壓差值的采樣。在一個實施例中，該溫度采集電路14獲取發光二極管11的溫度可以有多種方式，其中，在該溫度采集電路14采用熱敏電阻(negativetemperaturecoefficient，簡稱為ntc)電路的情況下，溫度采集電路14使用ntc方案，ntc體積小，可以離該發光二極管11非常近，同時精度高，靈敏度高，費用低，非常合適用來測量該發光二極管11的工作溫度。ntc的阻值隨著溫度的升高而降低，圖6是根據本發明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖，...

在照明裝置中，需要具有寬的半高全寬(fwhm)以提供高的色彩連續性的發光。為了提供w-oled，需要紅色發光材料、綠色發光材料和藍色發光材料。然而，未開發出具有寬的fwhm的紅色延遲熒光材料。因此，需要開發具有高的色彩連續性和高的發光效率的發光材料層。技術實現要素：因此，本公開內容涉及有機發光二極管(oled)和包括其的有機發光顯示裝置，其基本上消除了由于現有技術的限制和缺點而引起的一個或更多個問題。本發明的另外的特征和優點將在下面的描述中闡述，并且部分地將根據該描述而顯而易見，或者可以通過本發明的實踐而獲知。本發明的目的和其他優點將通過書面說明書及其權利要求以及附圖中特別指出的結構來...

有機發光二極管、有機發光顯示裝置或照明裝置的外量子效率(eqe)等于或大于約15％、17％、19％、20％、21％、23％或甚至25％。應理解，前面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供所要求保護的本發明的進一步說明。附圖說明附圖被包括以提供對本發明的進一步理解并且被并入本說明書中并構成本說明書的一部分，舉例說明了本發明的實施方案并與說明書一起用于解釋本發明的原理。圖1為根據本公開內容的實施方案的oled的示意性截面圖。圖2為示出本公開內容的實施方案的oled的發光機理的示意圖。圖3a至圖3n為示出本公開內容的實施方案的oled的發射光譜的圖。圖4為根據本公開內容...

cgl280被定位在發光部分250與第二發光部分270之間。即，發光部分250和第二發光部分270通過cgl280連接。cgl280可以為包括n型cgl282和p型cgl284的p-n結型cgl。n型cgl282被定位在etl256與第二htl272之間，p型cgl284被定位在n型cgl282與第二htl272之間。在圖5中，與作為陽極的電極220相鄰的eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244，與作為陰極的第二電極230相鄰的第二eml260包含藍色摻雜劑262。或者，與作為陽極的電極220相鄰的eml240可以包含藍色摻雜劑，與作為陰極...

顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光。基板310和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體...

十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運算放大器o...

參數解釋：泄漏電流是指電器在正常工作時，其火線與零線之間產生的極為微小的電流，相當于一般電器的靜電一樣，測試時用泄漏電流測試儀，主要測試其L極與N極。------摘自百度百科）比較大額定參數（25℃）：Ppp（脈沖峰值功率）600WTj（結溫）-55到150℃Tstg（儲存溫度）-65到150℃TL(10s焊接過程中比較大焊接溫度)260℃（25℃）：VRM=5VVBR=VCL=(10/1000us)VCL=(8/20us)因此在選擇TVS瞬態抑制二極管的過程中，我們需要重點關注的參數為VRM反向關斷電壓即為電路正常工作時的電壓，脈沖峰值電流要小于IPP，VCL鉗位電壓在電路遇到浪涌沖...

r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，m為2至5的整數，n為1至3的整數，以及m+n小于或等于6。例如，延遲熒光摻雜劑152可以選自式2。[式2]延遲熒光摻雜劑152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。此外，a和b分別由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜...

基質的重量百分比為約50％至80％。相對于基質，延遲熒光摻雜劑152的重量百分比可以為約20％至70％，磷光摻雜劑154的重量百分比可以為約％至2％。基質可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中，x為o、s或nr，以及r為c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中，y為o或s。在式7-1和式7-2中，r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。例如，基質可以選自式8。[式8]有機發光層140還包括在電極120與eml150之間的空穴傳輸層(htl)164、在電極120與htl...

發光部分530、cgl580、第二發光部分550、第二cgl590和第三發光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520...

參數解釋：泄漏電流是指電器在正常工作時，其火線與零線之間產生的極為微小的電流，相當于一般電器的靜電一樣，測試時用泄漏電流測試儀，主要測試其L極與N極。------摘自百度百科）比較大額定參數（25℃）：Ppp（脈沖峰值功率）600WTj（結溫）-55到150℃Tstg（儲存溫度）-65到150℃TL(10s焊接過程中比較大焊接溫度)260℃（25℃）：VRM=5VVBR=VCL=(10/1000us)VCL=(8/20us)因此在選擇TVS瞬態抑制二極管的過程中，我們需要重點關注的參數為VRM反向關斷電壓即為電路正常工作時的電壓，脈沖峰值電流要小于IPP，VCL鉗位電壓在電路遇到浪涌沖...

可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進行復制，如當只有一開關s1閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:1的比例進行復制，當一開關s1和二開關s2同時閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:3的比例進行復制，當一開關s1、二開關s2和三開關s3都閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:7的比例進行復制。按照相同的原理可以設置多種開關組合實現想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實現形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，...

背景技術：：隨著對占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機發光二極管(oled)的有機發光顯示裝置已成為近來研究和開發的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發光材料層(eml)中，使電子與空穴結合，生成激子，并使激子從激發態轉變成基態來發光。可以使用柔性基板例如塑料基板作為在其中形成元件的基礎基板。此外，有機發光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運行。此外，有機發光顯示裝置在功耗和色感方面具有優勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機...

oledd1包括電極120、面向電極120的第二電極130、和在電極120與第二電極130之間的有機發光層140。有機發光層140包括包含具有發射波長范圍的延遲熒光摻雜劑152和具有第二發射波長范圍的磷光摻雜劑154的eml150。電極120包含具有相對高的功函數的導電材料并用作陽極。例如，電極120可以包含透明導電材料例如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)，但不限于此。當oledd1為頂部發射型時，可以在電極120下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。第二電極130包含具有相對低的功函數的導電材料并用作陰極。例如，第二電極130可...

圖4是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制系統的結構框圖二，如圖4所示，該系統還包括報警電路21，所述報警電路21與所述微控制器15電性連接，在所述第二對比的結果超出第二校準數據表的合理范圍的情況下，所述微控制器15發送報警信號給所述報警電路21，所述報警電路21進行報警，該報警電路21可以為發光設備的燈光報警，也可以是發聲設備的聲音報警。在一個實施例中，該驅動板12與該發光二極管11連接，微控制器15控制該驅動板15給該發光二管11輸出電流的大小，該微控制器15可以設置一個變化的電流值范圍，驅動板12將變化的電流值輸出給該發光二極管11，該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信...

圖5為根據本公開內容的第二實施方案的oled的示意性截面圖。如圖5所示，oledd2包括電極220、第二電極230、在電極220與第二電極230之間的有機發光層290。有機發光層290包括發光部分250，其包括eml240；第二發光部分270，其包括第二eml260；和在發光部分250與第二發光部分270之間的電荷生成層(cgl)280。電極220為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數的導電材料例如ito或izo。第二電極230為用于注入電子的陰極并且包含低的功函數的導電材料例如al、mg或al-mg合金。cgl280被定位在發光部分250與第二發光部分270之間。即，發光部分250、...

背景技術：在相關技術中，帶影像功能的醫療器械主要包括前端圖像采集裝置，后端主機和冷光源。其中前端圖像采集裝置和后端主機主要負責圖像的采集與傳輸，冷光源負責提供合格的光源，圖像的好壞與冷光源的工作狀態有直接的關聯，冷光源的中心部件就是led燈。市場上的led產品壽命通常標稱30000-60000小時，但是在使用一定時間后，led燈會出現光衰，色偏等不良變化。光衰導致亮度降低，色偏導致色溫偏移，進而影響顯色性，這在醫用光源里是不可接受的。并且每個led燈都有細微的差別，依靠廠家的測試報告來推導工作壽命是不可取的，這就需要實時預警led的壽命針對相關技術中，單個led燈的使用壽命無法準確預測...

并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間，第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍色摻雜劑542。藍色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發射波長范圍。例如，藍色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出，但是第二eml540還可以包含基質。相對于基質，藍色摻雜劑542的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。第三發光部...

陣列探測器的性能受到嚴重影響，制約其陣列規模。目前，可通過調節apd偏置電壓的方法來提高陣列探測器性能的均勻性。傳統方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數模轉換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩壓器)結構相結合的調節方式來調節apd的偏置電壓，即dac產生同時調節數個像素的基準電壓作為ldo中誤差放大器的輸入，隨后ldo結構根據dac提供的基準電壓來實現apd偏置電壓的調節。但是這種調節方式中ldo面積大且不能實現單個像素的調節，此外ldo有限的帶寬較難實現apd快速充放電過程中的電壓穩定性。技術實現要素：針對傳統apd偏置...

附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：圖1是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制系統的結構框圖一；圖2是根據發明實施例的壓降和溫度的初始工作統計示意圖；圖3是根據發明實施例的壓降和電流的初始工作統計示意圖；圖4是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制系統的結構框圖二；圖5是根據本發明實施例的運放差分輸入電路的示意圖；圖6是根據本發明實施例的熱敏電阻ntc溫度采集電路的示意圖；圖7是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制方法的流程圖。具體實施方式下文中將參考附圖并結合實...

第二藍色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍色摻雜劑422和第二藍色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出，但是第三eml460還可以包含基質。相對于基質，第二藍色摻雜劑462的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。cgl480被定位在發光部分430與第二發光部分450之間，第二cgl490被定位在第二發光部分450與第三發光部分470之間。即，發光部分430和第二發光部分450通過cgl480彼此連接，第二發光部分450和第三發光部分470通過第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結型cgl。cgl480...

可以將流過一pmos管mp1的電流按1-7倍的比例進行復制，如當只有一開關s1閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:1的比例進行復制，當一開關s1和二開關s2同時閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:3的比例進行復制，當一開關s1、二開關s2和三開關s3都閉合時一電流鏡單元能夠將流過一pmos管mp1的電流按1:7的比例進行復制。按照相同的原理可以設置多種開關組合實現想要的比例。二電流鏡單元用于鏡像流過三pmos管mp3的電流，如圖1所示給出二電流鏡單元的一種實現形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的柵極連接三pmos管mp3的柵極，...

根據本發明的一方面，磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量％比(wpd/wtd)等于或小于％，并且推薦地為約％至％。根據本發明的一方面，延遲熒光摻雜劑相對于基質的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示，隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加，oled的效率降低。如上所述，在本公開內容的oledd1中，eml150包含在發射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154，并且相對于延遲熒光摻雜劑152，磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5％。因此，oledd1的色彩連續性得到提高。圖4為根據本公開內容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示，照明裝...

柵極絕緣層324可以被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀。在柵極電極330上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層332。層間絕緣層332可以由無機絕緣材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有機絕緣材料(例如苯并環丁烯或光壓克力(photo-acryl))形成。層間絕緣層332包括暴露半導體層322的兩側的接觸孔334和第二接觸孔336。接觸孔334和第二接觸孔336被定位在柵極電極330的兩側以與柵極電極330間隔開。接觸孔334和第二接觸孔336形成為穿過柵極絕緣層324。或者，當柵極絕緣層324被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀時，接觸孔334和第二接觸孔336形成為只穿過層間絕緣...

折疊式共源共柵運放結構的一運算放大器op1包括十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四電阻r0，其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作為一運算放大器op1的輸入對管，其襯底均連接電源電壓；六nmos管m16的柵極連接七nmos管m17和八nmos管m18的柵極以...

圖4是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制系統的結構框圖二，如圖4所示，該系統還包括報警電路21，所述報警電路21與所述微控制器15電性連接，在所述第二對比的結果超出第二校準數據表的合理范圍的情況下，所述微控制器15發送報警信號給所述報警電路21，所述報警電路21進行報警，該報警電路21可以為發光設備的燈光報警，也可以是發聲設備的聲音報警。在一個實施例中，該驅動板12與該發光二極管11連接，微控制器15控制該驅動板15給該發光二管11輸出電流的大小，該微控制器15可以設置一個變化的電流值范圍，驅動板12將變化的電流值輸出給該發光二極管11，該微控制器15也可以輸出不同占空比的pwm信...

所述像素外偏置電壓產生模塊包括一運算放大器、二運算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一電阻、二電阻、一電流源和二電流源，一運算放大器的正相輸入端連接基準電壓，其反相輸入端連接二pmos管的源極和一電流源，其輸出端連接一pmos管的柵極；一pmos管的源極連接電源電壓，其漏極連接二pmos管的柵極并通過一電阻后連接負電源電壓；二運算放大器的正相輸入端接地，其反相輸入端連接四pmos管的源極和二電流源，其輸出端連接三pmos管的柵極；三pmos管的源極連接電源電壓，其漏極連接四pmos管的柵極并通過二電阻后連接負電源電壓；二pmos管和四pmos管的漏極連接負...

該微控制器15獲取該發光二極管11周圍的該熱敏電路ntc電路的熱敏電阻ntc的阻值，依據溫度阻值曲線圖(廠家提供的溫度-阻值曲線圖)獲取該熱敏電阻ntc的第二溫度值，依據該熱敏電阻ntc的第二溫度值確定該發光二極管11的該良好溫度值，該ntc離發光二極管距離比較近的情況下，該第二溫度值可以確定為該發光二極管11的良好溫度值。在本發明的一個實施例中，提供了一種發光二極管11的控制方法，圖7是根據本發明實施例的一種發光二極管的控制方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括如下步驟：步驟s702,獲取發光二極管良好溫度值和良好壓差值，依據該良好溫度值和該良好壓差值，調用預存儲的良好校準數據表進行良...