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氧化鈮靶材根據其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達到99.95%,但對氧化鈮的物理性能指標要求不同。平面靶材的生產使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細且均勻,成形性能好;旋轉靶材采用熱噴涂法生產,要求氧化鈮具有良好的流動性及嚴格的粒...

ITO靶材生產過程包括金屬提純和靶材制造兩個主要環節。因高純金屬原料的品質影響靶材的導電性能等性狀，對成膜的質量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標，定制屬性明顯。故而金屬提純環節技術壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性...

光伏領域對靶材的使用主要是薄膜電池和HJT光伏電池。以HJT電池片為例，在HJT電池片結構中具有TCO薄膜層，該薄膜承擔著透光以及導電的重要作用。應用PVD技術，使離子和靶材表面的原子離開靶材，在基底上形成透明導電薄膜。以鈣鈦礦電池結構為例，鈣鈦礦電池是由多層...

光伏領域對靶材的使用主要是薄膜電池和HJT光伏電池。以HJT電池片為例，在HJT電池片結構中具有TCO薄膜層，該薄膜承擔著透光以及導電的重要作用。應用PVD技術，使離子和靶材表面的原子離開靶材，在基底上形成透明導電薄膜。以鈣鈦礦電池結構為例，鈣鈦礦電池是由多層...

靶材是半導體、顯示面板、異質結光伏領域等的關鍵材料，存在工藝不可替代性。據測算 2019年全球靶材市場規模在 160 億美元左右，而國內總需求占比超 30%。本土廠商供給約占國內市場的 30%，以中低端產品為主，先進靶材主要從美日韓進口，當前國內頭部企業靶材合...

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定 1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如I...

靶材開裂影響因素裂紋形成通常發生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應力。這些內應力是在靶材制造過程中產生的。此外，這些應力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺...

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統把電子發射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速...

ITO靶材生產過程包括金屬提純和靶材制造兩個主要環節。因高純金屬原料的品質影響靶材的導電性能等性狀，對成膜的質量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標，定制屬性明顯。故而金屬提純環節技術壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性...

陶瓷靶材是一種重要的濺射靶材，廣泛應用于各個領域的薄膜制備和表面處理。作為一種高純度、高密度的材料，陶瓷靶材具有許多獨特的特點和優勢。首先，陶瓷靶材具有優異的化學穩定性和熱穩定性，能夠在高溫和復雜的化學環境下保持穩定的性能。這使得陶瓷靶材在各種薄膜制備過程中能...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經過一系列的生產工藝加工成型，再高溫氣氛燒結（1600度，通氧氣燒結）形成的黑灰色陶瓷半導體。中低端ITO靶材有玻...

濺射靶材開裂原因生產中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產產生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產品報廢增加。陶瓷或脆性材...

陶瓷靶材和金屬靶材各自優缺點：1.導電性:金屬靶材都具有導電性,可以適應各種不同電源類型機臺,而陶瓷靶材因為大部分不具備導電性,只能使用射頻電源. 2.導熱性:金屬靶材導熱性能好,濺射時可以大功率運行.陶瓷靶材導熱性較差,濺射時功率不宜過高.復合性:3. 金屬...

陶瓷靶材是一種重要的濺射靶材，廣泛應用于各個領域的薄膜制備和表面處理。作為一種高純度、高密度的材料，陶瓷靶材具有許多獨特的特點和優勢。首先，陶瓷靶材具有優異的化學穩定性和熱穩定性，能夠在高溫和復雜的化學環境下保持穩定的性能。這使得陶瓷靶材在各種薄膜制備過程中能...

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定 1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如I...

背板材料：無氧銅(OFC)–目前經常使用的作背板的材料。因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。如果保養適當，無氧銅背板可以重復使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進行高溫貼合的條件下，無氧銅容易被氧化和...

靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉化效率較高、性能穩定，且各個產業環節比較成熟，占據了太陽能電池市場的主導地位。而晶體硅太陽能電池按照生產工藝不同可分...

主要PVD方法的特點：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專業性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷。（4）終端應用：1）半導體芯片：單元器件中的介質層、導體層與保護層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板...

透明導電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關鍵。高質量的成品 ITO...

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發生復雜的物理化學變化,ITO靶材表面會產生許多小的結瘤,這個現象被稱為ITO靶材的毒化現象。靶材結瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降...

從ITO靶材制備方法來看，制備方法多樣，冷等靜壓優勢突出。ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫燒結法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優點：1）冷等靜壓法壓力較大，工件受力相對更加均勻，尤其適用于壓制大尺寸粉末制品，符合ITO靶材...

鍍膜的主要工藝有PVD和化學氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導體、顯示面板應用廣。PVD技術分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優劣勢：真空蒸鍍法對于基板材質沒有限制；濺鍍法薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜好；...

磁控濺射的工作原理簡單說就是利用磁場與電場交互作用，氬離子轟擊靶材表面，同時也把動能傳導進去，隨后靶材表面的原子就被轟擊出來，從不同角度飛向基片，在其表面凝集沉積形成一層薄膜。“這層薄膜非常薄，往往都在納米量級，是人類肉眼看不見的，而一支10毫米厚的靶材所鍍的...

平板顯示行業主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產品生產環節需要使用靶材濺射鍍膜，主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是氧化銦錫（ITO）靶材，其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1）平板顯示面板的生產工藝中，玻璃基板要經過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃，然后再...